
PCB抄板信號隔離技術是使數(shù)字或模擬信號在發(fā)送時不存在穿越發(fā)送和接收端之間屏障的電流連接。這允許發(fā)送和接收端外的地或基準電平之差值可以高達幾千伏,并且防止可能損害信號的不同地電位之間的環(huán)路電流,主要應用在
縱觀此次混合介質多層板制造等離子體處理技術運用,究其類別主要有以下三種:(1)聚四氟乙烯介質板和混合介質多層抄板的孔金屬化制作前孔壁活化處理;(2)聚四氟乙烯多層板層壓前的內層介質表面微蝕處理;(3)聚四氟
摘 要: 通過硅通孔技術實現(xiàn)紅外焦平面電極垂直互連,提高像元占空比,縮短了互連引線長度,降低了信號延遲。用單晶硅濕法刻蝕方法形成通孔,利用直寫技術將耐高溫Ag-Pd導體漿料填充通孔,實現(xiàn)紅外焦平面陣列底電極與
石明達 吳曉純(南通富士通微電子股份有限公司江蘇南通市)摘要:本文介紹了多芯片模塊的相關技術。消費類電子產品低成本的要求推動了MCM技術的應用。對于必須高密度集成以滿足高性能、小型化且低成本的要求的產品,MCM
Protel技術大全1.原理圖常見錯誤:(1)ERC報告管腳沒有接入信號:a. 創(chuàng)建封裝時給管腳定義了I/O屬性;b.創(chuàng)建元件或放置元件時修改了不一致的grid屬性,管腳與線沒有連上;c. 創(chuàng)建元件時pin方向反向,必須非pin name
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與Si相比,它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達600℃,而Si器件的最高工作溫度局限在1
日前,在2004年瑞薩科技解決方案研討會中,ITDM(Integrated Technology& Device Manufacturer,半導體專業(yè)生產商)瑞薩發(fā)布了專門為中國半導體用戶提供的系統(tǒng)封裝芯片模組SiP升級版——SIP(Solution Integrated Produ
11 BGA封裝激光重熔釬料凸點制作技術 11.1 激光重熔釬料合金凸點的特點 BGA/CSP封裝,F(xiàn)lip chip封裝時需要在基板或者芯片上制作釬料合金凸點,釬料合金凸點的制作方法有:釬料濺射/蒸鍍-重熔方法、放置釬料球-重熔方
PCB設計技術會對下面三種效應都產生影響: 1.靜電放電之前靜電場的效應2.放電產生的電荷注入效應3.靜電放電電流產生的場效應但是,主要是對第三種效應產生影響。下面的討論將針對第三條所述的問題給出設計指南。通常