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[導(dǎo)讀]中國(guó)北京(2026年3月11日)—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986.SH、3986.HK)今日宣布,其1.2V超低功耗SPI NOR Flash GD25UF系列已實(shí)現(xiàn)8Mb至256Mb全線容量擴(kuò)展。這一舉措精準(zhǔn)響應(yīng)了從高性能AI計(jì)算到低功耗電池供電設(shè)備等多元應(yīng)用場(chǎng)景的差異化存儲(chǔ)需求。該產(chǎn)品憑借低電壓與超低功耗優(yōu)勢(shì),為可穿戴設(shè)備、智能耳機(jī)、AI ASIC平臺(tái)、醫(yī)療電子等高速發(fā)展的新興應(yīng)用市場(chǎng)提供強(qiáng)有力支撐,在顯著延長(zhǎng)終端設(shè)備續(xù)航能力的同時(shí),將進(jìn)一步推動(dòng)產(chǎn)品向邊緣AI與超小型化演進(jìn),加速新一代智能終端的創(chuàng)新升級(jí)。

中國(guó)北京(2026年3月11日)—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986.SH、3986.HK)今日宣布,其1.2V超低功耗SPI NOR Flash GD25UF系列已實(shí)現(xiàn)8Mb至256Mb全線容量擴(kuò)展。這一舉措精準(zhǔn)響應(yīng)了從高性能AI計(jì)算到低功耗電池供電設(shè)備等多元應(yīng)用場(chǎng)景的差異化存儲(chǔ)需求。該產(chǎn)品憑借低電壓與超低功耗優(yōu)勢(shì),為可穿戴設(shè)備、智能耳機(jī)、AI ASIC平臺(tái)、醫(yī)療電子等高速發(fā)展的新興應(yīng)用市場(chǎng)提供強(qiáng)有力支撐,在顯著延長(zhǎng)終端設(shè)備續(xù)航能力的同時(shí),將進(jìn)一步推動(dòng)產(chǎn)品向邊緣AI與超小型化演進(jìn),加速新一代智能終端的創(chuàng)新升級(jí)。

深度適配SoC低電壓演進(jìn),重塑系統(tǒng)設(shè)計(jì)架構(gòu)

隨著半導(dǎo)體工藝的持續(xù)革新,為了追求更高的能效比,先進(jìn)的主控芯片與處理器工作電壓已逐步跨入1.2V時(shí)代。兆易創(chuàng)新GD25UF系列SPI NOR Flash應(yīng)需而生,其1.14V至1.26V的工作電壓完美匹配了這一低電壓主控平臺(tái)趨勢(shì)。

GD25UF系列能夠與1.2V主控實(shí)現(xiàn)電源系統(tǒng)的無(wú)縫銜接,開(kāi)發(fā)者無(wú)需再為存儲(chǔ)器額外配置電壓轉(zhuǎn)換電路或復(fù)雜的電源管理模塊。這種架構(gòu)上的精簡(jiǎn)不僅大幅減少了外圍元器件的數(shù)量,降低了系統(tǒng)整體BOM成本,更從源頭上消除了電壓轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗,顯著提升了能源利用效率。

雙向容量擴(kuò)展:滿足AI計(jì)算與小型化雙重挑戰(zhàn)

隨著AI基礎(chǔ)設(shè)施由超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心向邊緣側(cè)不斷延伸,在更大規(guī)模模型、更復(fù)雜推理任務(wù)以及海量數(shù)據(jù)傳輸趨勢(shì)的推動(dòng)下,AI服務(wù)器、高性能計(jì)算平臺(tái)及機(jī)器學(xué)習(xí)系統(tǒng)正面臨與日俱增的需求壓力。從超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的代碼存儲(chǔ),到CXL等高帶寬內(nèi)存互連架構(gòu),再到光模塊的高速數(shù)據(jù)傳輸,穩(wěn)定可靠的本地非易失性存儲(chǔ)正變得愈發(fā)關(guān)鍵。為此,GD25UF系列將容量進(jìn)一步擴(kuò)展至256Mb,以提供更充足的存儲(chǔ)空間,推動(dòng)AI推理效率與系統(tǒng)靈活性的提升。

與此同時(shí),針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備及光模塊等對(duì)空間布局極其苛刻的應(yīng)用場(chǎng)景,GD25UF系列提供低至8Mb的小容量選擇,并支持WLCSP晶圓級(jí)封裝。這一舉措確保了在極度受限的物理空間內(nèi),依然能提供卓越的存儲(chǔ)性能,助力終端產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)極致的輕量化設(shè)計(jì)。

卓越的功耗與可靠性表現(xiàn)

GD25UF具備優(yōu)異的功耗與性能表現(xiàn)。該系列支持單通道、雙通道、四通道及DTR四通道SPI模式,最高時(shí)鐘頻率STR 120MHz,DTR 80MHz,數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)80MB/s。GD25UF系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode兩種工作模式,較于傳統(tǒng)的1.8V Flash產(chǎn)品,該系列的工作電壓降低約33%,功耗可降低50%至70%。這一突破性表現(xiàn)對(duì)于智能健康監(jiān)測(cè)、單電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備而言至關(guān)重要,能有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間,提升用戶體驗(yàn)。

此外,該系列展現(xiàn)了極高的可靠性,支持10萬(wàn)次擦寫(xiě)及20年數(shù)據(jù)保存期限,其工作溫度范圍廣泛覆蓋-40℃~85℃、-40℃~105℃及-40℃~125℃,能夠滿足從嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境到高性能車規(guī)級(jí)的全溫度等級(jí)要求。目前,兆易創(chuàng)新GD25UF系列各容量型號(hào)均已量產(chǎn),該系列產(chǎn)品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP多種封裝選擇,客戶可聯(lián)系當(dāng)?shù)劁N售代表或授權(quán)代理商獲取樣品及詳細(xì)技術(shù)支持。

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