【2026年3月13日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)近日宣布，全球領(lǐng)先的筆記本適配器制造商群光電能已采用其CoolGaN? G5晶體管，為核心客戶提供多款筆記本適配器。該設(shè)計(jì)方案展示了氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體如何加速向更緊湊、更節(jié)能的充電解決方案轉(zhuǎn)型，從而使主流計(jì)算設(shè)備實(shí)現(xiàn)更小的尺寸和更好的可持續(xù)性。

筆記本適配器

這款新適配器設(shè)計(jì)方案的核心是專為在各種工作條件下實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)和低導(dǎo)通損耗而設(shè)計(jì)的英飛凌CoolGaN? G5晶體管。英飛凌的高壓(HV)GaN晶體管采用名為混合漏極GIT(柵極注入晶體管)的高性能基礎(chǔ)設(shè)計(jì)，可提供極高可靠性的高壓柵極性能、出色的動態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(on))表現(xiàn)與硬開關(guān)性能，以及顯著提升的飽和電流，從而全面提升了器件的可靠性?；诖?，英飛凌最新高壓系列G5晶體管的標(biāo)準(zhǔn)性能指標(biāo)(如RDS(on) *Qg)較前代產(chǎn)品最多可提升30%。

英飛凌科技氮化鎵業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示：“CoolGaN? G5晶體管體現(xiàn)了我們對可靠、高性能功率半導(dǎo)體的承諾。此次與群光電能合作為頭部客戶的適配器供貨，凸顯了氮化鎵技術(shù)如何在確保穩(wěn)定性的前提下，為終端用戶帶來更小體積、更快充電、更低能耗的實(shí)際效益。”

群光電能研發(fā)副總裁王洋表示：“英飛凌CoolGaN? G5晶體管為我們提供了充足的設(shè)計(jì)余量，使我們能夠在緊湊的尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。此次合作幫助我們打造出符合筆記本客戶高端用戶體驗(yàn)期望的充電解決方案?！?

基于群光電能的設(shè)計(jì)能力和英飛凌高壓G5 GaN晶體管，該方案的工程亮點(diǎn)包括：運(yùn)用GaN的快速開關(guān)特性，優(yōu)化PFC和DC/DC級的高頻電源架構(gòu);充分考慮EMI的設(shè)計(jì)，通過優(yōu)化布局、濾波和開關(guān)波形，實(shí)現(xiàn)低噪聲并滿足嚴(yán)格的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn);以及能夠在緊湊型機(jī)械外殼中實(shí)現(xiàn)更低溫度下的運(yùn)行，并能夠保持在100-300W持續(xù)輸出功率的熱管理優(yōu)化方案。

英飛凌擁有強(qiáng)大的產(chǎn)品組合，過去一年已發(fā)布逾40款GaN新產(chǎn)品，是對于尋求優(yōu)質(zhì)GaN解決方案的客戶來說首選的合作伙伴。公司正按計(jì)劃推進(jìn)GaN 300 mm晶圓規(guī)模化制造，首批樣品已交付客戶。300 mm GaN工藝可顯著提升高質(zhì)量GaN產(chǎn)品的產(chǎn)能和交付速度，進(jìn)一步鞏固英飛凌在GaN市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。