美國(guó)-普瑞光電( www.bridgelux.com )近日正式對(duì)外宣布其基于實(shí)驗(yàn)室的最新技術(shù)研發(fā)成就：每瓦135流明的基于硅襯底的氮化鎵LED。

GaN-on-silicon LEDs 技術(shù)一直以來(lái)被業(yè)界認(rèn)為是快速降低LED生產(chǎn)成本的利器，過(guò)去幾年也一直是很多公司主要研發(fā)的方向。

普瑞光電相關(guān)負(fù)責(zé)人說(shuō)，它的示范代表了行業(yè)的第一個(gè)商業(yè)硅襯底LED級(jí)芯片的性能極限。350mA的工作電流，僅為2.9伏的電壓(或者3.25伏在1安培下)，規(guī)格為1.5mm*1.5mm，色溫為 4730K，光效達(dá)到135lm/W。

這個(gè)LED是基于一個(gè)8英寸的硅晶片。普瑞認(rèn)為，低成本的硅晶片基于現(xiàn)代半導(dǎo)體制造業(yè)可以提供的成熟制程工藝，與目前主流4英寸藍(lán)寶石晶圓相比，硅晶片的成本將下降75％ 。

普瑞同時(shí)指出，當(dāng)前大直徑藍(lán)寶石和碳化硅襯底昂貴，加工難度大，一旦大批量生產(chǎn)，有時(shí)無(wú)法得到廣泛應(yīng)用。目前LED生產(chǎn)成本高抑制了家庭和商業(yè)建筑LED照明的廣泛應(yīng)用。

此外，硅襯底顯示出低正向電壓和優(yōu)越的耐熱性，這使得它們非常適用于高性能，照明級(jí)應(yīng)用。同時(shí)8英寸硅片外延工藝能夠很好的與現(xiàn)有自動(dòng)化半導(dǎo)體線兼容。不過(guò)，普瑞還是注意到“當(dāng)大批量生產(chǎn)時(shí)，需要改進(jìn)目前在使用的一些其他材料，以消除與硅襯底制程工藝的不兼容?！?BR>
因?yàn)榭吹搅斯枰r底將來(lái)肯是LED產(chǎn)業(yè)的一個(gè)變革性技術(shù)工藝，在過(guò)去5年，普瑞首席技術(shù)官史蒂夫博士一直帶領(lǐng)著研發(fā)團(tuán)隊(duì)悄然專注于硅上生長(zhǎng)氮化鎵的項(xiàng)目研發(fā)。

普瑞公司表示，其在硅GaN的性能水平相當(dāng)于領(lǐng)先今天最先進(jìn)的藍(lán)寶石基LED 12-24個(gè)月的時(shí)間。

“普瑞的成就是對(duì)我們?cè)诠璨牧霞巴庋庸に嚰夹g(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，”普瑞公司首席執(zhí)行官Bill Watkins表示，“顯著降低成本的硅基LED技術(shù)使將顯著減少固態(tài)照明的前期資本投資。在今后的短短兩到三年，甚至對(duì)價(jià)格最敏感的市場(chǎng)，如商業(yè)和辦公照明，住宅應(yīng)用將快速無(wú)縫轉(zhuǎn)化為固態(tài)照明?！?