封裝

我要報(bào)錯(cuò)

封裝，Package，是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過(guò)程，簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是把Foundry生產(chǎn)出來(lái)的集成電路裸片（Die）放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來(lái)，然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞，“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過(guò)程和動(dòng)作；作為名詞，“封裝”主要關(guān)注封裝的形式、類別，基底和外殼、引線的材料，強(qiáng)調(diào)其保護(hù)芯片、增強(qiáng)電熱性能、方便整機(jī)裝配的重要作用。

采用塑料封裝和IMS襯底的混合動(dòng)力汽車功率IGBT模塊

混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2，最新車型甚至可能把排放量降得更多。但是，HEV需要大功率的成本效益型電源開關(guān)，到目前為止，大功率開關(guān)產(chǎn)品因?yàn)槌杀靖?，可靠性達(dá)不到汽車應(yīng)用的期望，而無(wú)法適

汽車電子
2012-04-25

IGBT模塊封裝混合動(dòng)力汽車功率模塊
IP 封裝器、集成器和目錄

賽靈思的工具架構(gòu)團(tuán)隊(duì)把重點(diǎn)放在新套件專門的IP功能設(shè)計(jì)上，以便于IP的開發(fā)、集成與存檔。為此，賽靈思開發(fā)出了IP封裝器、IP集成器和可擴(kuò)展IP目錄三種全新的IP功能。Feist表示：“今天很難找到不采用IP的IC設(shè)計(jì)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-04-25

集成賽靈思 IP 封裝
IR 推出采用 TSOP-6 封裝的 HEXFET MOSFET 系列產(chǎn)品

國(guó)際整流器公司推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。全新的功率MOSFET具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，能夠大

廠商動(dòng)態(tài)
2012-04-24

器件 MOSFET 功率MOSFET 封裝
超威半導(dǎo)體在華封裝產(chǎn)能將占其半壁江山

美國(guó)超威半導(dǎo)體公司（AMD）在華宣布，隨著其在蘇州的封裝測(cè)試工廠二期工程落成，預(yù)計(jì)到今年年底，在中國(guó)的封裝產(chǎn)能將至少占AMD全球產(chǎn)能的一半，AMD戰(zhàn)略布局中國(guó)市場(chǎng)的決心進(jìn)一步凸顯。AMD全球高級(jí)副總裁、AMD大中國(guó)區(qū)

模擬
2012-04-24

半導(dǎo)體 CPU AMD 封裝
車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在

電源
2012-04-24

MOSFET HP TRENCH 封裝
車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在

功率器件
2012-04-24

MOSFET HP TRENCH 封裝
面向汽車應(yīng)用的線性調(diào)整器與開關(guān)調(diào)整器的比較

多年來(lái)，人們一直預(yù)測(cè)低壓差線性調(diào)整器(LDO)要退出在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。但是，LDO調(diào)整器持續(xù)生存著甚至茁壯成長(zhǎng)，因?yàn)樗鼈兊膬r(jià)格便宜且使用方便。本文中，我將闡述LDO調(diào)整器的復(fù)雜性，考察市場(chǎng)上的最新進(jìn)展(確實(shí)有一些

線性電源
2012-04-24

開關(guān) 汽車應(yīng)用線性封裝
隆達(dá)獲大單照明營(yíng)收可望成長(zhǎng)50%

隆達(dá)電子參加2012法蘭克福燈光照明暨建筑物自動(dòng)化展，拿下歐洲照明大廠新訂單，隆達(dá)董事長(zhǎng)蘇峰正表示，2012年隨著產(chǎn)品線增加，照明營(yíng)收年增率將比2011年成長(zhǎng)五成。據(jù)悉，該歐洲照明大廠代工訂單中由隆達(dá)提供設(shè)計(jì)的產(chǎn)

消費(fèi)電子
2012-04-23

照明 LED照明 LED背光源封裝
采用塑料封裝和IMS襯底的混合動(dòng)力汽車功率IGBT模塊

混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2，最新車型甚至可能把排放量降得更多。但是，HEV需要大功率的成本效益型電源開關(guān)，到目前為止，大功率開關(guān)產(chǎn)品因?yàn)槌杀靖撸煽啃赃_(dá)不到汽車應(yīng)用的期望，而無(wú)法適

功率器件
2012-04-23

IGBT模塊封裝混合動(dòng)力汽車功率模塊
電源管理的開關(guān)頻率與電磁干擾之間的平衡

好的功率轉(zhuǎn)換器除了要有較高的開關(guān)頻率之外，也要顧及系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率及電磁干擾。各方面都要兼顧，力求取得適當(dāng)?shù)钠胶?。開關(guān)頻率越高，電源開關(guān)、整流器及控制電路的開關(guān)損耗便會(huì)越高。以模塊式DC/DC轉(zhuǎn)換器來(lái)說(shuō)，只要

電源
2012-04-23

電源管理電磁干擾開關(guān)頻率封裝
布局中國(guó)！AMD蘇州封裝/測(cè)試工廠落成

[泡泡網(wǎng)CPU頻道4月22日] 2012年4月21日，作為AMD(超威半導(dǎo)體公司)在華的投資性全資子公司，超威半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司）今日在蘇州工業(yè)園區(qū)舉行了AMD蘇州封裝測(cè)試工廠二期落成典禮，此次二期工廠的落成實(shí)現(xiàn)了AMD蘇州

模擬
2012-04-22

半導(dǎo)體 CPU AMD 封裝
Vishay推出采用Little Star®封裝的1W白光LED

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新系列的1W冷白、中白和暖白色器件，擴(kuò)充其Little Star®系列SMD功率LED。新器件使用了氮化磷，用以增強(qiáng)寬溫條件下的顏色穩(wěn)定性。VLMW712xxx LED集超高亮度和小封裝外

功率器件
2012-04-21

Vishay 白光LED LITTLE 封裝
Vishay推出采用Little Star®封裝的1W白光LED

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新系列的1W冷白、中白和暖白色器件，擴(kuò)充其Little Star®系列SMD功率LED。新器件使用了氮化磷，用以增強(qiáng)寬溫條件下的顏色穩(wěn)定性。VLMW712xxx LED集超高亮度和小封裝外

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-04-21

Vishay 白光LED LITTLE 封裝
美空軍希望工業(yè)界為下一代偵察衛(wèi)星開發(fā)中波紅外探測(cè)器

工業(yè)研發(fā)和軍事能力提升有著密切關(guān)系。近日，據(jù)美國(guó)《軍事與宇航電子》報(bào)道，美國(guó)空軍計(jì)劃開發(fā)低噪聲、高均勻性、中波紅外探測(cè)器陣列，以應(yīng)用于下一代天基星載探測(cè)系統(tǒng)中。美國(guó)空軍希望工業(yè)界可以提供此類探測(cè)器，因

測(cè)試測(cè)量
2012-04-20

衛(wèi)星低噪聲紅外探測(cè)器封裝
LED的多種形式封裝結(jié)構(gòu)及技術(shù)

LED是一類可直接將電能轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光和輻射能的發(fā)光器件，具有工作電壓低，耗電量小，發(fā)光效率高，發(fā)光響應(yīng)時(shí)間極短，光色純，結(jié)構(gòu)牢固，抗沖擊，耐振動(dòng)，性能穩(wěn)定可靠，重量輕，體積小，成本低等一系列特性，發(fā)展突飛

顯示光電
2012-04-20

LED 反射環(huán)氧樹脂封裝
LED照明供過(guò)于求產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)慘烈

LED照明企業(yè)整體呈現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)剩，由于缺乏上游核心技術(shù)，目前中國(guó)LED企業(yè)多扎堆在封裝、應(yīng)用等中低端領(lǐng)域，并由此帶來(lái)的產(chǎn)品同質(zhì)化嚴(yán)重問(wèn)題，加上歐美市場(chǎng)購(gòu)買力下降，除部分高端產(chǎn)品以外，訂單整體有下降趨勢(shì)。據(jù)已披

消費(fèi)電子
2012-04-20

照明企業(yè) LED芯片 LED照明封裝
IDM廠庫(kù)存回補(bǔ)外資看日月光Q2表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期

IC封測(cè)大廠日月光 (2311)在上季法說(shuō)會(huì)中預(yù)期Q2的封測(cè)與材料出貨量將季增15%，不過(guò)近期隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)回補(bǔ)庫(kù)存動(dòng)作展開，日月光 Q2能見(jiàn)度亦隨之轉(zhuǎn)佳，法人指出，日月光本季封測(cè)與材料出貨量季增幅度將較原預(yù)期的15%為

模擬
2012-04-19

IC DM 封裝
高效的LED路燈配光方案

LED路燈技術(shù)大體分為分立式與集成式兩種，分立式技術(shù)為采用1W以上的單顆光源制造路燈，集成式技術(shù)為采用集成式芯片作為光源制造路燈。目前采用分立式技術(shù)的企業(yè)較多，之所以如此，是因?yàn)槎鄶?shù)廠家認(rèn)為分立式光源散熱和

顯示光電
2012-04-19

芯片光通量 LED路燈封裝
快捷與英飛凌共同簽訂車用MOSFET H-PSOF TO無(wú)導(dǎo)線封裝授權(quán)協(xié)議

賴品如／臺(tái)北英飛凌和快捷半導(dǎo)體宣布，針對(duì)英飛凌先進(jìn)的車用 MOSFET 封裝技術(shù) H-PSOF(帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝)簽訂授權(quán)協(xié)議，該技術(shù)是符合JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的TO無(wú)導(dǎo)線封裝(MO-299)。該封裝適用于高電流汽車應(yīng)用，

模擬
2012-04-19

英飛凌 MOSFET PS 封裝
醫(yī)療電子中的微型化封裝與裝配技術(shù)

在日前召開的第三屆中國(guó)國(guó)際醫(yī)療電子技術(shù)大會(huì)（CMET2010）工藝工作坊中，偉創(chuàng)力總部技術(shù)部高級(jí)副總裁上官東鎧博士以《醫(yī)療電子中的微型化封裝與裝配技術(shù)》為題發(fā)表了精彩演講，并就醫(yī)療電子，特別是在便攜式、家用式

醫(yī)療電子
2012-04-18

集成醫(yī)療電子微型封裝

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封裝

采用塑料封裝和IMS襯底的混合動(dòng)力汽車功率IGBT模塊

IP 封裝器、集成器和目錄

IR 推出采用 TSOP-6 封裝的 HEXFET MOSFET 系列產(chǎn)品

超威半導(dǎo)體在華封裝產(chǎn)能將占其半壁江山

車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

面向汽車應(yīng)用的線性調(diào)整器與開關(guān)調(diào)整器的比較

隆達(dá)獲大單照明營(yíng)收可望成長(zhǎng)50%

采用塑料封裝和IMS襯底的混合動(dòng)力汽車功率IGBT模塊

電源管理的開關(guān)頻率與電磁干擾之間的平衡

布局中國(guó)！AMD蘇州封裝/測(cè)試工廠落成

Vishay推出采用Little Star®封裝的1W白光LED

Vishay推出采用Little Star®封裝的1W白光LED

美空軍希望工業(yè)界為下一代偵察衛(wèi)星開發(fā)中波紅外探測(cè)器

LED的多種形式封裝結(jié)構(gòu)及技術(shù)

LED照明供過(guò)于求產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)慘烈

IDM廠庫(kù)存回補(bǔ)外資看日月光Q2表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期

高效的LED路燈配光方案

快捷與英飛凌共同簽訂車用MOSFET H-PSOF TO無(wú)導(dǎo)線封裝授權(quán)協(xié)議

醫(yī)療電子中的微型化封裝與裝配技術(shù)

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