
三星積極搶進晶圓代工市場,正面迎戰(zhàn)龍頭臺積電,引起產(chǎn)業(yè)界關(guān)注。圖為晶圓廠的無塵作業(yè)室。 報系資料照片 全文網(wǎng)址: 晶圓戰(zhàn)爭╱挖角梁孟松 三星挑戰(zhàn)臺積 | 科技產(chǎn)業(yè) | 財經(jīng)產(chǎn)業(yè) | 聯(lián)合新聞網(wǎng) http://gb.udn.c
據(jù)歐洲媒體證實,GlobalFoundries已經(jīng)開始在德國德累斯頓工廠內(nèi)28nm HKMG新工藝的試驗性投產(chǎn)。 首批上馬的28nm工藝生產(chǎn)線采用300毫米晶圓,不過上邊還不是成形的芯片,只是測試電路和SRAM單元而已 。只有這種試
晶圓代工大廠全球晶圓(GlobalFoundries)來臺布樁,將透過旗下轉(zhuǎn)投資設(shè)計服務(wù)廠虹晶科技(Socle),爭取臺灣IC設(shè)計業(yè)者65/55納米及45/40納米代工訂單,昨日更宣布指派營銷業(yè)務(wù)資深副總裁奎派克(Jim Kupec),接任虹
力成科技積極自內(nèi)存封測業(yè)務(wù)往先進封裝技術(shù)布局,繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠后,轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土,預計2012年第3季裝機試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示,實驗工廠以開發(fā)新技術(shù)為主,包括晶
力成科技積極自內(nèi)存封測業(yè)務(wù)往先進封裝技術(shù)布局,繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠后,轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土,預計2012年第3季裝機試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示,實驗工廠以開發(fā)新技術(shù)為主,包括晶
美國矽晶圓大廠MEMC Electronic Materials, Inc. 1日在股市開盤前發(fā)布新聞稿指出,旗下子公司已同意終止中國大陸太陽能電池生產(chǎn)巨擘尚德電力控股(Suntech Power Holdings)的太陽能矽晶圓長期供應(yīng)合約,此約最初于200
Intel,臺積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點走上Finfet之路,這樣一來,另一條路--FDSOI方面的進展狀況便顯得格外引人注目。最近,在日本東京召開了2011年半導體技術(shù)國際會議(Symposium on VLSI Technology)
據(jù)IHSiSuppli公司的研究,2010年無晶圓制造半導體公司擴大了在全球微機電系統(tǒng)(MEMS)市場的份額,去年占總體MEMS營業(yè)收入的近四分之一。 2010年無晶圓制造半導體公司占總體MEMS營業(yè)收入的23.2%,高于四年前
Intel,臺積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點走上Finfet之路,這樣一來,另一條路FDSOI方面的進展狀況便顯得格外引人注目。最近,在日本東京召開了2011年半導體技術(shù)國際會議(SymposiumonVLSITechnology),會
應(yīng)用材料公司本周三推出了新款VantageVulcanRTP快速退火設(shè)備,這款RTP機型采用了晶圓背面加熱技術(shù),可以顯著改善RTP處理中晶圓表面芯片核心內(nèi)部各部分的溫度均一性。應(yīng)用半導體公司硅系統(tǒng)集團前端制程用設(shè)備部門的總
不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會上提交的研究結(jié)果顯示,采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比,性能的提高達到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要
不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會上提交的研究結(jié)果顯示,采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比,性能的提高達到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要
應(yīng)用材料公司本周三推出了新款Vantage Vulcan RTP快速退火設(shè)備,這款RTP機型采用了晶圓背面加熱技術(shù),可以顯著改善RTP處理中晶圓表面芯片核心內(nèi)部各部分的溫度均一性。 新型晶體管設(shè)計需要的RTP退火處理項目圖解
Intel,臺積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點走上Finfet之路,這樣一來,另一條路FDSOI方面的進展狀況便顯得格外引人注目。最近,在日本東京召開了2011年半導體技術(shù)國際會議(Symposium on VLSI Technology),
在臺積電(2330)、聯(lián)電及中芯國際等晶圓代工廠的產(chǎn)能松動下,中芯國際與IC設(shè)計業(yè)達成共識,90奈米制程第三季代工價格降15%、65奈米制程降價10%;半導體業(yè)者預期,降價的趨勢恐怕延到今年第四季。臺積電和聯(lián)電昨(27)日都
不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會上提交的研究結(jié)果顯示,采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比,性能的提高達到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要
受到上游客戶在6月中下旬開始調(diào)整庫存影響,日月光6月營收成長動能走弱,第2季營收季增率恐落在原先預估的7%下緣,第3季雖然維持成長,但成長幅度已趨緩,今年季增率將低于過去旺季期間10%以上的成長幅度。日月光營
據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2010年無晶圓制造半導體公司擴大了在全球微機電系統(tǒng)(MEMS)市場的份額,去年占總體MEMS營業(yè)收入的近四分之一。 2010年無晶圓制造半導體公司占總體MEMS營業(yè)收入的23.2%,高于四年前的21.3
連于慧/臺北 矽晶圓供應(yīng)商臺勝科27日指出,第3季半導體矽晶圓價格已談完,預計將較第2季上漲10~20%,雖然2011年半導體成長力道趨緩,且第3季展望保守,但因為之前受到日本311地震影響,客戶庫存仍短少約1個月,加上
在臺積電(2330)、聯(lián)電及中芯國際等晶圓代工廠的產(chǎn)能松動下,中芯國際與IC設(shè)計業(yè)達成共識,90奈米制程第三季代工價格降15%、65奈米制程降價10%;半導體業(yè)者預期,降價的趨勢恐怕延到今年第四季。 臺積電和聯(lián)電昨