晶圓
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一種新的晶圓級1/f噪聲測量方法
1. 引言 MOSFET在模擬和射頻電路中得到了廣泛的應用。但是，MOSFET中的低頻噪聲，尤其是較高頻率的1/f噪聲，是模擬和射頻電路應用中人們關注的重要因素。此外，隨著器件特征尺寸的縮小，1/f噪聲會大大增加[參考文獻
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得可DirEKt植球技術推進微型化能力
得可進一步擴展高速的植球能力，已獲認可的DirEKt Ball Placement™ 工藝現(xiàn)能以300微米細距精準地置放直徑僅為200微米的焊球。憑借以高于99.99% 的首次通過良率實現(xiàn)這一精確性和精密度的能力，DirEKt植球為現(xiàn)代
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美光新加坡廠年底導入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身
2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程，大量轉進50納米制程，就技術角度而言相當艱鉅，且同時也需要龐大的資金挹注，才能完成整個轉換過程。 美光分析，在50納米制程上，預計每
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日本開發(fā)出大量生產(chǎn)晶圓狀大型單晶金剛石技術
日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所（產(chǎn)綜研）鉆石研究中心單結晶底板開發(fā)小組開發(fā)出了大型單結晶鉆石晶圓制造技術。該技術結合運用了兩種技術：由籽晶直接制造薄板狀鉆石單結晶的“直接晶圓化技術”，以及通過依次改變生長方向
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薄晶圓系統(tǒng)提高批量制造超薄晶圓處理能力
基于極其成功的Galaxy印刷設備，得可已利用卓越的精準技術開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并擁有先進的速度和加速控制，確保強健地處理當今
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爾必達：計劃明年轉向40nm制程技術
據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制
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得可提升DirEKt Coat技術高度
預見到未來對大批量晶圓粘合劑和涂層應用的需求，得可已三倍增強其獲獎DirEKt Coat 技術的工藝能力。DirEKt Coat晶圓涂層工藝達到Cp>2@+/- 12.5µm和7微米的總厚度差 (TTV)，有效地滿足了薄晶圓產(chǎn)品目前和未來的
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得可Galaxy薄晶圓系統(tǒng) 提高大批量制造超薄晶圓的處理能力
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于極其成功的Galaxy印刷設備，得可已利用卓越的精準技術開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供
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得可Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提高大批量制造超薄晶圓的處理能力
基于極其成功的Galaxy印刷設備，得可已利用卓越的精準技術開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并擁有先進的速度和加速控制，確保強健地處
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浪潮將接盤奇夢達西安研發(fā)中心
“我們將接盤奇夢達西安研發(fā)中心， 8月中旬將宣布收購消息。”8月6日，浪潮集團一位內部人士向本報記者透露，浪潮集團將在宣布上述消息的同時，公布自己的芯片戰(zhàn)略。 此前一天，奇夢達宣布在go-dove.com網(wǎng)站上進行資
