晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

臺(tái)積電研發(fā)部門人才告急增派數(shù)百員工加入

全球最大的合同芯片制造商臺(tái)積電(TSMC)本周四表示，目前已經(jīng)在其研究開發(fā)部門增派百名員工，用于12英寸晶圓設(shè)備研發(fā)，當(dāng)前跡象表明該部門很有可能重組。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電人力資源部門副總裁P.H.Chang表示，雖

模擬
2009-04-10

臺(tái)積電 TSMC 晶圓芯片制造商
KLA-Tencor再度裁員10%

晶圓設(shè)備商KLA-Tencor將再度裁員10%，作為其控制成本的舉措之一。此次裁員和其他成本控制措施計(jì)劃將幫助該公司減少單季運(yùn)營(yíng)支出達(dá)1.4億美元至1.45億美元。去年11月，KLA-Tencor裁員900人，約占當(dāng)時(shí)員工數(shù)的15%

半導(dǎo)體
2009-04-01

控制 TE BSP 晶圓
新日鐵開展SiC晶圓業(yè)務(wù)，“質(zhì)量不輸美國(guó)可瑞”

新日本制鐵(新日鐵)著手開展作為新一代功率半導(dǎo)體底板材料的SiC(碳化硅)晶圓業(yè)務(wù)。將從2009年4月1日起通過子公司新日鐵材料開始銷售直徑2～4英寸(50～100mm)的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品，而此次

消費(fèi)電子
2009-03-30

元件硅晶圓 SIC 晶圓
大連英特爾首批生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)廠

在世界經(jīng)濟(jì)形勢(shì)不佳，芯片巨頭英特爾近來大幅調(diào)整戰(zhàn)略布局的嚴(yán)峻情況下，英特爾大連工廠的首批生產(chǎn)設(shè)備順利運(yùn)抵，3月23日進(jìn)入新廠區(qū)。總經(jīng)理柯必杰表示，工廠已經(jīng)安全地完成了1200萬人工時(shí)的施工量，工廠建設(shè)如期推進(jìn)

消費(fèi)電子
2009-03-27

英特爾數(shù)據(jù)中心傳輸設(shè)備晶圓
“晶圓雙雄”產(chǎn)能利用率回升拉抬臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣

受惠于訂單陸續(xù)回流，在島內(nèi)并稱“晶圓雙雄”的兩大高科技龍頭企業(yè)臺(tái)灣聯(lián)華電子股份有限公司與臺(tái)灣積體電路公司，估計(jì)6月前的產(chǎn)能利用率都能回升到正常景氣谷底時(shí)的水平。一方面是緊急訂單陸續(xù)回流，另一方面是手機(jī)

消費(fèi)電子
2009-03-25

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
納米存儲(chǔ)10年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化將改寫IT產(chǎn)業(yè)

一些大學(xué)的研究人士預(yù)言，很快我們就可能看到存儲(chǔ)技術(shù)上獲得突破，在一個(gè)硬幣大小的面積上存儲(chǔ)250張DVD的內(nèi)容。因?yàn)椴痪们懊绹?guó)伯克利加利福尼亞大學(xué)和馬薩諸塞大學(xué)安姆斯特分校的科學(xué)家已經(jīng)找到了一種新的方法，能讓

智能硬件
2009-03-23

CPU 存儲(chǔ)密度 SE 晶圓
2009年晶圓級(jí)封裝趨勢(shì)

專家認(rèn)為，受持續(xù)增長(zhǎng)的移動(dòng)設(shè)備和汽車應(yīng)用需求的驅(qū)動(dòng)，晶圓級(jí)封裝(WLP)將向I/O數(shù)更高和引腳節(jié)距更小的方向發(fā)展。2009年其他需要關(guān)注的WLP趨勢(shì)還包括大功率和高精度精密器件、穿透硅通孔(TSV)、扇出和嵌入式閃存。　

半導(dǎo)體
2009-03-19

溫度封裝 I/O 晶圓
東芝遷移晶圓工廠提高產(chǎn)量降低成本

全球第二大閃存制造商?hào)|芝公司本周二表示，未來兩年將提高固態(tài)硬盤（SSD）生產(chǎn)量15倍，并計(jì)劃將基于閃存的存儲(chǔ)設(shè)備組裝工廠從日本遷移到菲律賓，借此成為全球最大的固態(tài)硬盤（SSD）提供商。東芝將從今年第二季度開

模擬
2009-03-12

東芝固態(tài)硬盤 GB 晶圓
東芝研發(fā)出將有機(jī)EL出光率提高至1.6倍的技術(shù)

2月23日消息，將微粒子作為掩模使用，蝕刻時(shí)（上）。左下方是形成了衍射光柵的4英寸SiO2晶圓。中下部是衍射光柵的截面照片。右下方是微粒子通過自組織化整齊排列的樣子。東芝在“國(guó)際納米科技綜合展（nano tech 20

顯示光電
2009-02-26

元件東芝 IO 晶圓
天科合達(dá)將高質(zhì)量碳化硅晶圓價(jià)格推向歷史新低

目前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展再次激發(fā)了現(xiàn)代技術(shù)的革新。作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料，SiC 在熱學(xué)、電學(xué)、抗腐蝕等性能方面優(yōu)越于常用的襯底材料，可廣泛用于制造半導(dǎo)體照明、微電子、電力電子等半導(dǎo)體器件。根據(jù)權(quán)

模擬
2009-02-26

碳化硅硅晶圓 SIC 晶圓

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晶圓

臺(tái)積電研發(fā)部門人才告急增派數(shù)百員工加入

KLA-Tencor再度裁員10%

新日鐵開展SiC晶圓業(yè)務(wù)，“質(zhì)量不輸美國(guó)可瑞”

大連英特爾首批生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)廠

“晶圓雙雄”產(chǎn)能利用率回升拉抬臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣

納米存儲(chǔ)10年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化將改寫IT產(chǎn)業(yè)

2009年晶圓級(jí)封裝趨勢(shì)

東芝遷移晶圓工廠提高產(chǎn)量降低成本

東芝研發(fā)出將有機(jī)EL出光率提高至1.6倍的技術(shù)

天科合達(dá)將高質(zhì)量碳化硅晶圓價(jià)格推向歷史新低

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