晶圓
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三星的野心！2020年要量產(chǎn)3nm工藝！
持續(xù)兩年多的DRMA內(nèi)存芯片漲價(jià)今年10月份就結(jié)束了，遭受漲價(jià)之苦的下游廠商及消費(fèi)者總算可以舒口氣了，花旗集團(tuán)日前給出的預(yù)測(cè)是明年DRAM內(nèi)存至少會(huì)降價(jià)30%。對(duì)于DRAM廠商來(lái)說(shuō)，內(nèi)存降價(jià)是他們極不
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英特爾放棄對(duì)外晶圓代工業(yè)務(wù)，不見(jiàn)得有利臺(tái)積電轉(zhuǎn)單
日前，市場(chǎng)傳出為了能填補(bǔ) 14 納米制程的產(chǎn)能缺口，處理器龍頭英特爾(intel)在進(jìn)行旗下 3 座位于包括美國(guó)俄勒岡州、愛(ài)爾蘭以及以色列的晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)之外，還將關(guān)閉對(duì)外定制化晶圓代工業(yè)務(wù)。有相關(guān)人士看好此舉，在英特爾退出晶圓代工市場(chǎng)的情況下，有機(jī)會(huì)對(duì)龍頭臺(tái)積電造成轉(zhuǎn)單效應(yīng)。不過(guò)，目前市場(chǎng)分析師表示，原本英特爾晶圓代工市占比例本來(lái)就不高，所以轉(zhuǎn)單效應(yīng)其實(shí)有限。
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耐威科技子公司成功研制“8英寸硅基氮化鎵外延晶圓”
耐威科技公告，公司控股子公司聚能晶源近日成功研制“8英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”。
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Intel公布晶圓廠未來(lái)版圖，將有針對(duì)性地挑選代工廠商
Intel官方近日公開(kāi)了晶圓工廠的未來(lái)版圖。
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上海華力28納米低功耗工藝進(jìn)入量產(chǎn)
2018年12月11日，華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)發(fā)科技”)共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
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聯(lián)電計(jì)劃投資61億擴(kuò)充8/12英寸晶圓廠產(chǎn)能
聯(lián)電12日召開(kāi)董事會(huì)，通過(guò)資本預(yù)算，預(yù)計(jì)投資新臺(tái)幣274.06億元(約合人民幣61.3億元)，將用來(lái)擴(kuò)充8英寸和12英寸晶圓廠產(chǎn)能。
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受累供應(yīng)商火災(zāi) 光刻機(jī)巨頭ASML推遲明年供貨日期
北京時(shí)間12月3日晚間消息，全球領(lǐng)先的光刻機(jī)廠商ASML(阿斯麥)今日宣布，由于該公司的電子零部件供應(yīng)商Prodrive發(fā)生火災(zāi)，導(dǎo)致ASML明年年初的部分產(chǎn)品供貨日期被推遲。ASML是全球許多大型計(jì)
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臺(tái)積電15年來(lái)首度興建8英寸廠
臺(tái)積電總裁魏哲家6日在一年一度的供應(yīng)鏈論壇中透露，臺(tái)積電將在南科六廠旁，新建一座8英寸廠，滿足客戶對(duì)特殊制程要求。這是2003年臺(tái)積電在上海松江8英寸廠成立后，臺(tái)積電15年來(lái)第一次新建8英寸廠。
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因應(yīng)2019年淡季 臺(tái)積電明年將降低代工價(jià)格
業(yè)界有消息傳出，臺(tái)積電為因應(yīng)明年產(chǎn)業(yè)淡季，決定開(kāi)始采取優(yōu)惠價(jià)格。
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蔚華科技與ERS electronic攜手拓展中國(guó)大陸銷(xiāo)售商機(jī)
專(zhuān)業(yè)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備經(jīng)銷(xiāo)商蔚華科技宣布與晶圓溫度測(cè)試解決方案全球創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者 ERS electronic GmbH 建立經(jīng)銷(xiāo)合作關(guān)系。蔚華科技深耕大中華地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，累計(jì)豐富經(jīng)驗(yàn)及專(zhuān)業(yè)實(shí)力，必將成為 ERS electronic GmbH 熱卡盤(pán)解決方案開(kāi)發(fā)布局中國(guó)市場(chǎng)帶來(lái)的極大助力。
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MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲！
到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺(tái)廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見(jiàn)度直至年底，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。
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搶占半導(dǎo)體商機(jī) 日月光投控?cái)M南京設(shè)立 IC 測(cè)試中心
繼晶圓代工龍頭臺(tái)積電在南京設(shè)立晶圓廠之后，全球最大半導(dǎo)體封裝測(cè)試廠商日月光投控也計(jì)劃將在南京設(shè)立 IC 測(cè)試中心，以搶攻半導(dǎo)體發(fā)展商機(jī)。
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三星強(qiáng)攻5G 智原沾光搶ASIC訂單
韓國(guó)三星電子為了搶攻5G市場(chǎng)龐大商機(jī)，透過(guò)旗下晶圓代工事業(yè)提供10納米及7納米等先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，明年將全力搶攻5G基地臺(tái)及終端芯片市場(chǎng)，法人看好智原將受惠并搶下周邊特殊應(yīng)用芯片(ASIC)訂單。
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世芯電子布局濟(jì)南研發(fā)高端芯片
近日，全球無(wú)晶圓ASIC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商世芯電子有限公司設(shè)立的“濟(jì)南世芯電子科技有限公司”在濟(jì)南高新區(qū)齊魯軟件園正式開(kāi)業(yè)，將主要面向日本市場(chǎng)及中國(guó)北方區(qū)開(kāi)展高端芯片研發(fā)業(yè)務(wù)，這是該公司在內(nèi)地設(shè)立的第四家子公司。
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Soitec晶圓成為瑞薩新型SOTB芯片組核心成員
法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司日前宣布瑞薩電子公司采用Soitec全耗盡絕緣硅(FD-SOI)晶圓產(chǎn)品線專(zhuān)用版，用于其65nm超低功耗SOTB工藝生產(chǎn)。
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為降低成本，臺(tái)灣廠商布局面板級(jí)扇出型封裝
工研院產(chǎn)科國(guó)際所表示，各大廠投入面板級(jí)扇出型封裝技術(shù)，在制程加工技術(shù)與自動(dòng)化加工設(shè)備上，廠商積極開(kāi)發(fā)。
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臺(tái)積電擬投資33.6億美元建新晶圓廠、增產(chǎn)能
11月14日，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電(TSMC)已批準(zhǔn)撥款約33.6億美元，用于建造新的晶圓廠、推進(jìn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)及專(zhuān)業(yè)技術(shù)升級(jí)以及增加相關(guān)產(chǎn)能。新批準(zhǔn)的資本支出還將用于將某些邏輯技術(shù)能力轉(zhuǎn)化為專(zhuān)門(mén)技術(shù)能力、研發(fā)資本投資，以及2019年第一季度的持續(xù)資本支出。
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英飛凌宣布收購(gòu)Siltectra 專(zhuān)利技術(shù)可將材料損耗降到最低
英飛凌(Infineon)宣布，其已收購(gòu)一家名為 Siltectra 的初創(chuàng)企業(yè)，將一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)(Cold Spilt)也收入了囊中?！袄淝懈睢笔且环N高效的晶體材料加工工藝，能夠?qū)⒉牧蠐p失降到最低。英飛凌將把這項(xiàng)技術(shù)用于 SiC 晶圓的切割上，從而讓單片晶圓可出產(chǎn)的芯片數(shù)量翻番。據(jù)悉，本次收購(gòu)征得了大股東 MIG Fonds 風(fēng)投的同意，報(bào)價(jià)為 1.24 億歐元(1.39 億美元 / 9.7 億 RMB)。
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7納米競(jìng)賽，產(chǎn)業(yè)鏈尖端的游戲，華為、高通、三星誰(shuí)能更勝一籌？
全球三大晶園廠(做芯片加工生意的工廠)是中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電、韓國(guó)三星電子、美國(guó)的Intel。Intel主要是自給自足，生產(chǎn)自家的芯片產(chǎn)品，主要是電腦和服務(wù)器上用的因特爾CPU，現(xiàn)在也給蘋(píng)果設(shè)計(jì)、生產(chǎn)基帶芯片(手機(jī)上用的調(diào)制解調(diào)器)產(chǎn)品。
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Q3華虹半導(dǎo)體利潤(rùn)同比增長(zhǎng)44% 無(wú)錫廠明年第四季開(kāi)始生產(chǎn)
華虹半導(dǎo)體11月8日發(fā)布2018年第三季度業(yè)績(jī)情況，多項(xiàng)指標(biāo)均顯示公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)強(qiáng)勁。2018年第三季度，公司銷(xiāo)售收入再創(chuàng)新高，達(dá)2.41億美元，同比增長(zhǎng)14.9%，環(huán)比增長(zhǎng)4.9%;公司溢利(稅后利潤(rùn))為5090萬(wàn)美元，同比上升44.1%，環(huán)比上升10.9%。母公司擁有人應(yīng)占期內(nèi)溢利為4830萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)36.7%，環(huán)比增長(zhǎng)10.9%。凈利潤(rùn)凈資產(chǎn)收益率(年化)為11.2%，同比上升2.4個(gè)百分點(diǎn)，環(huán)比上升0.8個(gè)百分點(diǎn)。
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