晶圓

關(guān)注428人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓

昭和電工日前宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品，此次確立了量產(chǎn)化技術(shù)，從10月份開始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹，6英寸產(chǎn)品適于降低元件成本，也適合

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-10-09

晶圓 SIC 功率半導(dǎo)體元件
SEMI：全球矽晶圓出貨量維持穩(wěn)健成長(zhǎng)步調(diào)

根據(jù) SEMI 最新公布的年度半導(dǎo)體矽晶圓出貨預(yù)測(cè)報(bào)告， 2013年矽晶圓總出貨量預(yù)計(jì)相較去年成長(zhǎng)1%，而預(yù)計(jì) 2014和 2015年則將持續(xù)穩(wěn)健成長(zhǎng)步調(diào)。 SEMI預(yù)期，2013年全球拋光矽晶圓(polished silicon wafer)與磊晶圓(ep

模擬
2013-10-09

Silicon SEMI WAFER 晶圓
6英寸SiC晶圓接連出現(xiàn)，各公司紛紛公布供貨時(shí)間

在關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日，日本宮崎縣Phoenix Seagaia Resort）的展示會(huì)場(chǎng)內(nèi)，多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸（150mm）的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3～4英寸（75mm～100

模擬
2013-10-09

基板 CRYSTAL 晶圓 SIC
昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓

昭和電工2013年9月30日宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品，此次確立了量產(chǎn)化技術(shù)，從10月份開始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹，6英寸產(chǎn)品適于降低元件成

模擬
2013-10-08

晶圓 SIC 功率半導(dǎo)體元件
臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%

臺(tái)積電3日對(duì)媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進(jìn)完整布局；臺(tái)積電發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電16奈米年底試產(chǎn)進(jìn)度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而超超大晶圓14廠去年貢獻(xiàn)比已36%，南科廠區(qū)全部貢獻(xiàn)占比則42%。據(jù)臺(tái)積電指出，14廠P1至4期的營(yíng)業(yè)

模擬
2013-10-08

三星英特爾臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%

臺(tái)積電3日對(duì)媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進(jìn)完整布局;臺(tái)積電發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電16奈米年底試產(chǎn)進(jìn)度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而超超大晶圓14廠去年貢獻(xiàn)比已36%，南科廠區(qū)全部貢獻(xiàn)占比則42%。據(jù)臺(tái)積電指出，14廠P1至4期的營(yíng)業(yè)額

消費(fèi)電子
2013-10-08

三星英特爾臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%

臺(tái)積電3日對(duì)媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進(jìn)完整布局;臺(tái)積電發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電16奈米年底試產(chǎn)進(jìn)度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而超超大晶圓14廠去年貢獻(xiàn)比已36%，南科廠區(qū)全部貢獻(xiàn)占比則42%。據(jù)臺(tái)積電指出，14廠P1至4期的營(yíng)業(yè)額

模擬
2013-10-08

三星英特爾臺(tái)積電晶圓
全新的自動(dòng)化在線多項(xiàng)目晶圓（MPW）報(bào)價(jià)系統(tǒng)提供即時(shí)報(bào)價(jià)

全球最大的獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造服務(wù)提供商eSilicon公司日前宣布：該公司全新自動(dòng)化多項(xiàng)目晶圓(MPW)批次流片服務(wù)即時(shí)網(wǎng)上報(bào)價(jià)系統(tǒng)上線。這項(xiàng)可通過用戶友好型網(wǎng)頁(yè)或者智能手機(jī)界面接入的服務(wù)，能即時(shí)生成可執(zhí)行的MPW

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-10-08

自動(dòng)化 Silicon MIDDOT 晶圓
臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%

臺(tái)積電3日對(duì)媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進(jìn)完整布局;臺(tái)積電發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電16奈米年底試產(chǎn)進(jìn)度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而超超大晶圓14廠去年貢獻(xiàn)比已36%，南科廠區(qū)全部貢獻(xiàn)占比則42%。據(jù)臺(tái)積電指出，14廠P1至4期的營(yíng)業(yè)額

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-10-08

三星英特爾臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%

臺(tái)積電14廠P6廠區(qū)在建工程一景。(鉅亨網(wǎng)記者尹慧中攝) 臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(3)日對(duì)媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進(jìn)完整布局；臺(tái)積電發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電16奈米年底試產(chǎn)進(jìn)度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而超超大晶圓14

模擬
2013-10-03

三星英特爾臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電拚先進(jìn)制程，南科生產(chǎn)重鎮(zhèn)將亮相

臺(tái)積電(2330)研發(fā)大將蔣尚義退休的利空淡化，臺(tái)積電今早股價(jià)開平走高，守穩(wěn)百元關(guān)卡。臺(tái)積電持續(xù)推進(jìn)高階制程，下世代的20、16奈米產(chǎn)能將陸續(xù)于明后年大量開出，其生產(chǎn)重鎮(zhèn)位于南科的的臺(tái)積電晶圓十四廠也將于本周四

模擬
2013-10-02

先進(jìn)制程臺(tái)積電制程技術(shù) 晶圓
半導(dǎo)體進(jìn)入20nm時(shí)代難倒半導(dǎo)體封裝

當(dāng)前，電器和移動(dòng)AV設(shè)備市場(chǎng)上，智能手機(jī)和平板PC成長(zhǎng)迅猛。智能手機(jī)的全球銷量從2012年的6.5億部增加到2013年的7.9億部。預(yù)計(jì)2015年將達(dá)到10億部。類似地，PC的全球銷量從2011年的1.2億臺(tái)增加到2013年的1.6億臺(tái)。預(yù)

消費(fèi)電子
2013-09-30

半導(dǎo)體封裝 PC LSI 晶圓
日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線，打造國(guó)際三維LSI基地

2013年9月20日，日本東北大學(xué)為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級(jí)芯片LSI試制生產(chǎn)基地（GINTI：GlobalINTegrationInitiative）”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關(guān)人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺(tái)技術(shù)中心

半導(dǎo)體
2013-09-29

芯片 NI LSI 晶圓
2014年晶電將新增MOCVD機(jī)10

據(jù)悉，晶電尚未敲定2014年資本支出，不過為因應(yīng)往年旺季產(chǎn)能滿載情況，明年新增的MOCVD機(jī)臺(tái)，將至少是10～15臺(tái)起跳，且至少是4寸以上的機(jī)臺(tái)，目前月產(chǎn)能為120萬(wàn)片～150萬(wàn)片，產(chǎn)能規(guī)模將持續(xù)攀高，MOCVD機(jī)臺(tái)

顯示光電
2013-09-29

照明晶電晶圓
銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

銅柱凸點(diǎn)和微焊點(diǎn)將改變倒裝芯片的市場(chǎng)和供應(yīng)鏈。之所以這樣說，是因?yàn)槌艘苿?dòng)產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更多的I/O個(gè)數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。目前全

半導(dǎo)體
2013-09-29

芯片封裝倒裝芯片 I/O 晶圓
日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線

9月20日，日本東北大學(xué)為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級(jí)芯片LSI試制生產(chǎn)基地(GINTI：Global INTegration Initiative)”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關(guān)人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺(tái)技術(shù)中心(宮城

消費(fèi)電子
2013-09-27

索尼芯片 LSI 晶圓
2014年晶電將新增10-15臺(tái)MOCVD機(jī)擴(kuò)大產(chǎn)能

據(jù)悉，晶電尚未敲定2014年資本支出，不過為因應(yīng)往年旺季產(chǎn)能滿載情況，明年新增的MOCVD機(jī)臺(tái)，將至少是10～15臺(tái)起跳，且至少是4寸以上的機(jī)臺(tái)，目前月產(chǎn)能為120萬(wàn)片～150萬(wàn)片，產(chǎn)能規(guī)模將持續(xù)攀高，MOCVD機(jī)臺(tái)總數(shù)將突破

消費(fèi)電子
2013-09-27

照明晶電晶圓
2014年晶電將新增10-15臺(tái)MOCVD機(jī)擴(kuò)大產(chǎn)能

據(jù)悉，晶電尚未敲定2014年資本支出，不過為因應(yīng)往年旺季產(chǎn)能滿載情況，明年新增的MOCVD機(jī)臺(tái)，將至少是10～15臺(tái)起跳，且至少是4寸以上的機(jī)臺(tái)，目前月產(chǎn)能為120萬(wàn)片～150萬(wàn)片，產(chǎn)能規(guī)模將持續(xù)攀高，MOCVD機(jī)臺(tái)總數(shù)將突破

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-09-27

照明晶電晶圓
日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線

9月20日，日本東北大學(xué)為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級(jí)芯片LSI試制生產(chǎn)基地(GINTI：Global INTegration Initiative)”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關(guān)人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺(tái)技術(shù)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-09-27

索尼芯片 LSI 晶圓
擴(kuò)充產(chǎn)能晶電明年將新增MOCVD10至15臺(tái)

據(jù)悉，晶電尚未敲定2014年資本支出，不過為因應(yīng)往年旺季產(chǎn)能滿載情況，明年新增的MOCVD機(jī)臺(tái)，將至少是10～15臺(tái)起跳，且至少是4寸以上的機(jī)臺(tái)，目前月產(chǎn)能為120萬(wàn)片～150萬(wàn)片，產(chǎn)能規(guī)模將持續(xù)攀高，MOCVD機(jī)臺(tái)

顯示光電
2013-09-27

照明晶電晶圓

首頁(yè) 上一頁(yè) 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 下一頁(yè) 尾頁(yè)

j543211
jasom.D
yanhaijian
yuguangkuo
yingjielu86
ppxxjh
jjxpeng
loyaltz
明天你好8
guoyun_he
donny_
xyz549040622
搬磚砌樓
dog_xin
jasontu
hjl2832
火焰舞者
happde
happde
wcg13537439710

晶圓

昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓

SEMI：全球矽晶圓出貨量維持穩(wěn)健成長(zhǎng)步調(diào)

6英寸SiC晶圓接連出現(xiàn)，各公司紛紛公布供貨時(shí)間

昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓

臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%

臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%

臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%

全新的自動(dòng)化在線多項(xiàng)目晶圓（MPW）報(bào)價(jià)系統(tǒng)提供即時(shí)報(bào)價(jià)

臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%

臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%

臺(tái)積電拚先進(jìn)制程，南科生產(chǎn)重鎮(zhèn)將亮相

半導(dǎo)體進(jìn)入20nm時(shí)代難倒半導(dǎo)體封裝

日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線，打造國(guó)際三維LSI基地

2014年晶電將新增MOCVD機(jī)10

銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線

2014年晶電將新增10-15臺(tái)MOCVD機(jī)擴(kuò)大產(chǎn)能

2014年晶電將新增10-15臺(tái)MOCVD機(jī)擴(kuò)大產(chǎn)能

日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線

擴(kuò)充產(chǎn)能晶電明年將新增MOCVD10至15臺(tái)

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(428人)

熱門活動(dòng)

課程視頻