晶圓
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日本東北大學公開300mm晶圓試產(chǎn)線，打造國際三維LSI基地
2013年9月20日，日本東北大學為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級芯片LSI試制生產(chǎn)基地（GINTI：GlobalINTegrationInitiative）”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺技術中心
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聯(lián)電重申28nm貢獻比 內(nèi)外資高低目標價差達8元
聯(lián)電24日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻目標為個位數(shù)百分比。對聯(lián)電，外資未有調高目標價的報告，而內(nèi)資法人出具的最新報告則從中立轉買進、喊出調高目標價至18元，也是內(nèi)資近1年半來的最高價，并使內(nèi)外
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聯(lián)電重申28nm貢獻比 內(nèi)外資高低目標價差達8元
聯(lián)電24日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻目標為個位數(shù)百分比。對聯(lián)電，外資未有調高目標價的報告，而內(nèi)資法人出具的最新報告則從中立轉買進、喊出調高目標價至18元，也是內(nèi)資近1年半來的最高價，并使內(nèi)外
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日本東北大學公開300mm晶圓試產(chǎn)線，打造國際三維LSI基地
2013年9月20日，日本東北大學為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級芯片LSI試制生產(chǎn)基地（GINTI：Global INTegration Initiative）”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺技術中
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聯(lián)電重申28nm貢獻比 內(nèi)外資高低目標價差達8元
聯(lián)電24日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻目標為個位數(shù)百分比。對聯(lián)電，外資未有調高目標價的報告，而內(nèi)資法人出具的最新報告則從中立轉買進、喊出調高目標價至18元，也是內(nèi)資近1年半來的最高價，并使內(nèi)外
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2014年晶電將新增MOCVD機10-15臺
據(jù)悉，晶電尚未敲定2014年資本支出，不過為因應往年旺季產(chǎn)能滿載情況，明年新增的MOCVD機臺，將至少是10～15臺起跳，且至少是4寸以上的機臺，目前月產(chǎn)能為120萬片～150萬片，產(chǎn)能規(guī)模將持續(xù)攀高，MOCVD機臺總數(shù)將突破
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美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設備
近日消息，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉變，以降低成
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美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設備
據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)
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聯(lián)電重申28奈米貢獻比 內(nèi)外資高低目標價差達8元
聯(lián)電(2303-TW)今(24)日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻目標為個位數(shù)百分比。對聯(lián)電，外資未有調高目標價的報告，而內(nèi)資法人出具的最新報告則從中立轉買進、喊出調高目標價至18元，也是內(nèi)資近1年半來的最
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銅柱凸點將成為倒裝芯片封裝的主流
銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應鏈。之所以這樣說，是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。目前全
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銅柱凸點或微焊點將成為倒裝芯片封裝的主流
銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應鏈。之所以這樣說，是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。目前全
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發(fā)揮互補綜效 臺/歐半導體廠齊攻18寸晶圓
由于臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在晶圓制造方面具有領先優(yōu)勢，可與歐洲業(yè)者擅長的設備及材料研發(fā)能力互補，因此兩地業(yè)者已展開策略聯(lián)盟，并著手開發(fā)18寸晶圓制程及生產(chǎn)設備，期藉由共同分擔研發(fā)、建廠費用與風險，加速推進下一個
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美國國網(wǎng)近2億高壓電路重建項目獲批
周四，美國公共服務委員會批準美國國家電網(wǎng)重建一條14英里長的高壓輸電線路的提議。線路位于紐約州薩拉托加北部和華盛頓西部。重建項目斥資3100萬美元(約合人民幣1.9億元)，將升級兩條貫穿莫羅和格林威治之間的115千
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發(fā)揮互補綜效 臺/歐半導體廠齊攻18寸晶圓
由于臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在晶圓制造方面具有領先優(yōu)勢，可與歐洲業(yè)者擅長的設備及材料研發(fā)能力互補，因此兩地業(yè)者已展開策略聯(lián)盟，并著手開發(fā)18寸晶圓制程及生產(chǎn)設備，期藉由共同分擔研發(fā)、建廠費用與風險，加速推進下一個
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美國國網(wǎng)近2億高壓電路重建項目獲批
周四，美國公共服務委員會批準美國國家電網(wǎng)重建一條14英里長的高壓輸電線路的提議。線路位于紐約州薩拉托加北部和華盛頓西部。重建項目斥資3100萬美元(約合人民幣1.9億元)，將升級兩條貫穿莫羅和格林威治之間的115千
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各國太陽能政策影響不明 業(yè)者保守因應
近期各國陸續(xù)公布與太陽能政策，有些政策可望提升太陽能系統(tǒng)安裝量，而有些政策則大幅削減補助范圍和金額，深深影響未來全球太陽能市場發(fā)展。根據(jù)全球市場研究機構TrendForce旗下綠能事業(yè)處EnergyTrend的觀察，近期公
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銅柱凸點將成為倒裝芯片封裝的主流
銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應鏈。之所以這樣說，是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。
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SSEC晶圓蝕刻制程平臺專用多路徑回收排放管路
先進封裝與半導體元件、高亮度發(fā)光二極體與硬碟制造之單晶圓濕制程系統(tǒng)大廠美國固態(tài)半導體設備(Solid State Equipment LLC，DBA SSEC) 發(fā)表專為 WaferEtch 平臺設計的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain
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再生晶圓雙雄 明年爆發(fā)
臺積電（2330）28納米制程產(chǎn)能大幅開出，明年持續(xù)擴增20納米制程產(chǎn)線，市場推估，明年再生晶圓單月需求將突破55萬片，上市再生晶圓雙雄中砂、辛耘雖加快擴產(chǎn)腳步，估計每月缺口仍達15萬片，商機看俏。中砂和辛耘是國
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再生晶圓雙雄 明年爆發(fā)
臺積電（2330）28納米制程產(chǎn)能大幅開出，明年持續(xù)擴增20納米制程產(chǎn)線，市場推估，明年再生晶圓單月需求將突破55萬片，上市再生晶圓雙雄中砂、辛耘雖加快擴產(chǎn)腳步，估計每月缺口仍達15萬片，商機看俏。 中砂和辛耘
