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企業(yè)節(jié)省支出　惠瑞捷：測(cè)試業(yè)景氣依舊疲軟

自動(dòng)測(cè)試(ATE)設(shè)備商惠瑞捷策略營(yíng)銷(xiāo)部副總裁Mark Allison表示，2010年內(nèi)存測(cè)試景氣依舊疲軟，主因是測(cè)試設(shè) 備的資本支出尚未有所提升。他認(rèn)為，新的晶圓廠有新的產(chǎn)出恐怕得等到2011年，同時(shí)，內(nèi)存制造廠仍使用舊型、

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2010-07-23

測(cè)試機(jī) DDR3 內(nèi)存 DRAM
Immersion機(jī)臺(tái)缺貨臺(tái)DRAM廠改采購(gòu)舊機(jī)種應(yīng)急

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后，浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(ImmersionScanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機(jī)種上，交期幾乎拉到快12個(gè)月，使得2010年才下訂單的臺(tái)系DRAM廠苦等多時(shí)；存儲(chǔ)器業(yè)者透露，爾必達(dá)(Elpida)陣

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2010-07-22

爾必達(dá) IMMERSION SCANNER DRAM
第三季度DRAM價(jià)格或下滑

據(jù)韓國(guó)ETNEWS報(bào)導(dǎo)，過(guò)去1年2個(gè)月期間呈現(xiàn)上升趨勢(shì)的DRAM價(jià)格，可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價(jià)格將小幅下滑后止跌，但第4季將會(huì)有大幅的下滑趨勢(shì)。雖韓國(guó)企業(yè)的凈利也將減少，但對(duì)臺(tái)灣企業(yè)打擊可能更大。據(jù)相關(guān)業(yè)者

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2010-07-20

三星電子海力士 ELECTRONICS DRAM
兩年投資3千億興建晶圓15廠臺(tái)積電中科擴(kuò)廠提供8千工作

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體龍頭廠商看好未來(lái)景氣與市場(chǎng)需求，紛紛在臺(tái)灣擴(kuò)大投資計(jì)劃！臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨（十六）日宣布，臺(tái)積電將在兩年內(nèi)投資新臺(tái)幣三千億元，在中科興建晶圓十五廠，預(yù)計(jì)提供八千名工作機(jī)會(huì)，帶動(dòng)大臺(tái)中高科技

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2010-07-19

晶圓臺(tái)積電晶圓廠 DRAM
封測(cè)三雄本季獲利喊沖

主要DRAM大廠導(dǎo)入新制程，帶動(dòng)產(chǎn)能本季大幅產(chǎn)出，讓內(nèi)存封測(cè)訂單將跳升，內(nèi)存封測(cè)三雄力成（6239）、福懋科（8131）及華東（8110）將配合擴(kuò)增生產(chǎn)線，第三季業(yè)績(jī)及獲利同步躍升。在內(nèi)存封測(cè)訂單強(qiáng)勁成長(zhǎng)激勵(lì)下

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2010-07-15

東芝 IC 內(nèi)存 DRAM
DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順新產(chǎn)能變數(shù)多

近期DRAM市場(chǎng)供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價(jià)不見(jiàn)起色，仍持續(xù)往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加，進(jìn)而壓抑價(jià)格走勢(shì)，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳

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2010-07-14

終端 PC GB DRAM
第三代低延時(shí)內(nèi)存（美光）

美光科技(Micron Technology, Inc)近日推出了第三代低延時(shí)DRAM (RLDRAM○R 3內(nèi)存)—一種高帶寬內(nèi)存技術(shù)，能更有效的傳輸網(wǎng)絡(luò)信息。視頻內(nèi)容、移動(dòng)應(yīng)用和云計(jì)算的蓬勃發(fā)展，對(duì)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高效的要求，以便在

智能硬件
2010-07-14

Altera 美光內(nèi)存 DRAM
全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求已超過(guò)金融危機(jī)之前水平

根據(jù)DigiTimes，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長(zhǎng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷(xiāo)售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來(lái)看，含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷(xiāo)售比重已過(guò)半并持續(xù)成長(zhǎng)中，已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的

半導(dǎo)體
2010-07-14

半導(dǎo)體市場(chǎng) DIGI DRAM
DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順　新產(chǎn)能變數(shù)多

近期DRAM市場(chǎng)供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價(jià)不見(jiàn)起色，仍持續(xù)往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加，進(jìn)而壓抑價(jià)格走勢(shì)，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳

智能硬件
2010-07-14

終端 PC GB DRAM
茂德、旺宏12吋廠交易案　訂9月正式交接

茂德的新竹12吋晶圓廠出售予旺宏定案后，雙方?jīng)Q定在9月1日正式交接，目前旺宏新購(gòu)入的機(jī)器設(shè)備已開(kāi)始進(jìn)駐，為轉(zhuǎn)進(jìn)NOR Flash產(chǎn)品做暖身；此外，茂德針對(duì)原新竹廠的代工客戶(hù)需求，在5月進(jìn)行最后1次的投片后，部分產(chǎn)品轉(zhuǎn)

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2010-07-14

晶圓廠制程技術(shù) ROM DRAM
亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長(zhǎng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷(xiāo)售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來(lái)看，含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷(xiāo)售比重已過(guò)半并持續(xù)成長(zhǎng)中，已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市

半導(dǎo)體
2010-07-13

通訊半導(dǎo)體市場(chǎng) DRAM
擴(kuò)充營(yíng)運(yùn)規(guī)?！∪A東進(jìn)行60億元聯(lián)貸案簽約

內(nèi)存封測(cè)廠華東科技預(yù)計(jì)8日舉行5年期新臺(tái)幣60億元的聯(lián)合授信案簽約儀式。華東表示，該公司封測(cè)產(chǎn)能利用率滿載，而訂單能見(jiàn)度現(xiàn)已看到年底，為了擴(kuò)充營(yíng)運(yùn)規(guī)模，資本支出由30億元上修至50億元，因而辦理聯(lián)貸案，以支應(yīng)

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2010-07-08

液晶電視 IC封裝內(nèi)存 DRAM
力成營(yíng)收創(chuàng)高

DRAM封測(cè)力成（6239）公布6月合并營(yíng)收，達(dá)31.08億元，月增2.7％，連續(xù)兩個(gè)月創(chuàng)新高，第2季營(yíng)收達(dá)90.7億元，季增6.5％，高于原來(lái)法說(shuō)會(huì)預(yù)期。昨日股價(jià)隨大盤(pán)整理，終場(chǎng)微幅下跌0.6元，以93元作收，成交量10315張。

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2010-07-08

DRAM
制程轉(zhuǎn)進(jìn)成本下降DRAM業(yè)明年可持續(xù)獲利

針對(duì)DRAM廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange指出，明年DRAM均價(jià)較今年下跌約30%。然而隨著制程轉(zhuǎn)進(jìn)、成本下降，DRAM廠營(yíng)業(yè)利益率(OPMargin)成本優(yōu)勢(shì)最佳者，今年?duì)I業(yè)利益率平均為36%，明

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2010-07-07

三星 NANDFLASH 內(nèi)存 DRAM
制程轉(zhuǎn)進(jìn)成本下降 DRAM業(yè)明年可持續(xù)獲利

針對(duì) DRAM 廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén) DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均價(jià)較今年下跌約30%。然而隨著制程轉(zhuǎn)進(jìn)、成本下降， DRAM 廠營(yíng)業(yè)利益率(OP Margin)成本優(yōu)勢(shì)最佳者，今年?duì)I業(yè)利益率平均

智能硬件
2010-07-07

三星 Flash NAND DRAM
三星46nm良率提升DRAM價(jià)格有望持續(xù)下降

臺(tái)灣媒體報(bào)道，受到三星46nm制程工藝DRAM芯片良率提高的利好消息影響，DRAM內(nèi)存芯片的期貨價(jià)格有望在7、8月份持續(xù)下跌。業(yè)界消息稱(chēng)，三星目前向PC廠商供應(yīng)的2GBDDR3價(jià)格已經(jīng)從先前的45美元下降到了40美元。消息稱(chēng)，隨

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2010-07-05

三星 GB DDR3 DRAM
三星46nm良率提升 DRAM價(jià)格有望持續(xù)下降

臺(tái)灣媒體報(bào)道，受到三星46nm制程工藝DRAM芯片良率提高的利好消息影響，DRAM內(nèi)存芯片的期貨價(jià)格有望在7、8月份持續(xù)下跌。業(yè)界消息稱(chēng)，三星目前向PC廠商供應(yīng)的2GB DDR3價(jià)格已經(jīng)從先前的45美元下降到了40美元。消息稱(chēng)，

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-07-05

三星 GB DDR3 DRAM
DDR3 2Gb將成主流，封測(cè)廠成長(zhǎng)動(dòng)能將受影響

DDR3 今年已經(jīng)完全取代DDR2，本土DRAM廠配合市場(chǎng)趨勢(shì)也陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)生產(chǎn)DDR3，而在容量規(guī)格上面，下半年也將會(huì)看到DDR3 2Gb產(chǎn)品將上市，其中南科(2408)就表示，8月份開(kāi)始，12吋廠將會(huì)全部投入DDR3 2Gb，預(yù)料最快明年DD

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2010-07-05

GB DDR3 內(nèi)存 DRAM
內(nèi)存產(chǎn)出增加　封測(cè)廠下半年訂單無(wú)虞

內(nèi)存產(chǎn)出持續(xù)增加，有利于后段封測(cè)廠的接單，封測(cè)廠不僅陸續(xù)調(diào)高資本支出，也普遍看好下半年的營(yíng)運(yùn)。其中力成科技下半年訂單能見(jiàn)度十分明朗，營(yíng)運(yùn)可望呈現(xiàn)逐季走揚(yáng)勢(shì)。該公司封裝及測(cè)試產(chǎn)能利用率都將維持在95%的滿

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2010-07-02

封裝 Flash 內(nèi)存 DRAM
大摩王安亞：銅制程明年?duì)I收成長(zhǎng)放緩較看好內(nèi)存封裝股

摩根士丹利證券半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師王安亞今天發(fā)布封測(cè)產(chǎn)業(yè)報(bào)告指出，銅制程不利封裝業(yè)者中長(zhǎng)期營(yíng)收的成長(zhǎng)，明后年將看到年增率放緩至個(gè)位數(shù)；相對(duì)于IC邏輯封裝，從事內(nèi)存封裝的力成(6239-TW)較有成長(zhǎng)空間，為封裝類(lèi)股

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2010-07-02

封裝 IC封裝內(nèi)存 DRAM

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DRAM

企業(yè)節(jié)省支出　惠瑞捷：測(cè)試業(yè)景氣依舊疲軟

Immersion機(jī)臺(tái)缺貨臺(tái)DRAM廠改采購(gòu)舊機(jī)種應(yīng)急

第三季度DRAM價(jià)格或下滑

兩年投資3千億興建晶圓15廠臺(tái)積電中科擴(kuò)廠提供8千工作

封測(cè)三雄本季獲利喊沖

DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順新產(chǎn)能變數(shù)多

第三代低延時(shí)內(nèi)存（美光）

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求已超過(guò)金融危機(jī)之前水平

DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順　新產(chǎn)能變數(shù)多

茂德、旺宏12吋廠交易案　訂9月正式交接

亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐

擴(kuò)充營(yíng)運(yùn)規(guī)?！∪A東進(jìn)行60億元聯(lián)貸案簽約

力成營(yíng)收創(chuàng)高

制程轉(zhuǎn)進(jìn)成本下降DRAM業(yè)明年可持續(xù)獲利

制程轉(zhuǎn)進(jìn)成本下降 DRAM業(yè)明年可持續(xù)獲利

三星46nm良率提升DRAM價(jià)格有望持續(xù)下降

三星46nm良率提升 DRAM價(jià)格有望持續(xù)下降

DDR3 2Gb將成主流，封測(cè)廠成長(zhǎng)動(dòng)能將受影響

內(nèi)存產(chǎn)出增加　封測(cè)廠下半年訂單無(wú)虞

大摩王安亞：銅制程明年?duì)I收成長(zhǎng)放緩較看好內(nèi)存封裝股

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