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企業(yè)節(jié)省支出 惠瑞捷：測試業(yè)景氣依舊疲軟
自動測試(ATE)設備商惠瑞捷策略營銷部副總裁Mark Allison表示，2010年內存測試景氣依舊疲軟，主因是測試設 備的資本支出尚未有所提升。他認為，新的晶圓廠有新的產出恐怕得等到2011年，同時，內存制造廠仍使用舊型、
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Immersion機臺缺貨臺DRAM廠改采購舊機種應急
全球半導體產業(yè)走入50奈米制程后，浸潤式曝光機臺(ImmersionScanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機種上，交期幾乎拉到快12個月，使得2010年才下訂單的臺系DRAM廠苦等多時；存儲器業(yè)者透露，爾必達(Elpida)陣
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第三季度DRAM價格或下滑
據(jù)韓國ETNEWS報導，過去1年2個月期間呈現(xiàn)上升趨勢的DRAM價格，可能將再度下滑。預期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌，但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少，但對臺灣企業(yè)打擊可能更大。據(jù)相關業(yè)者
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兩年投資3千億興建晶圓15廠 臺積電中科擴廠提供8千工作
國內半導體龍頭廠商看好未來景氣與市場需求，紛紛在臺灣擴大投資計劃！臺積電董事長張忠謀昨（十六）日宣布，臺積電將在兩年內投資新臺幣三千億元，在中科興建晶圓十五廠，預計提供八千名工作機會，帶動大臺中高科技
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封測三雄 本季獲利喊沖
主要DRAM大廠導入新制程，帶動產能本季大幅產出，讓內存封測訂單將跳升，內存封測三雄力成（6239）、福懋科（8131）及華東（8110）將配合擴增生產線，第三季業(yè)績及獲利同步躍升。 在內存封測訂單強勁成長激勵下
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DRAM廠制程轉換不順新產能變數(shù)多
近期DRAM市場供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價不見起色，仍持續(xù)往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導致產能增加，進而壓抑價格走勢，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉換不順消息頻傳
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第三代低延時內存（美光）
美光科技(Micron Technology, Inc)近日推出了第三代低延時DRAM (RLDRAM○R 3內存)—一種高帶寬內存技術，能更有效的傳輸網絡信息。視頻內容、移動應用和云計算的蓬勃發(fā)展，對網絡基礎設施提出了更高效的要求，以便在
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全球半導體市場需求已超過金融危機之前水平
根據(jù)DigiTimes，全球半導體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導體市場需求的
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DRAM廠制程轉換不順 新產能變數(shù)多
近期DRAM市場供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價不見起色，仍持續(xù)往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導致產能增加，進而壓抑價格走勢，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉換不順消息頻傳
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茂德、旺宏12吋廠交易案 訂9月正式交接
茂德的新竹12吋晶圓廠出售予旺宏定案后，雙方決定在9月1日正式交接，目前旺宏新購入的機器設備已開始進駐，為轉進NOR Flash產品做暖身；此外，茂德針對原新竹廠的代工客戶需求，在5月進行最后1次的投片后，部分產品轉
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亞洲需求成全球半導體市場強力支撐
全球半導體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市
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擴充營運規(guī)模 華東進行60億元聯(lián)貸案簽約
內存封測廠華東科技預計8日舉行5年期新臺幣60億元的聯(lián)合授信案簽約儀式。華東表示，該公司封測產能利用率滿載，而訂單能見度現(xiàn)已看到年底，為了擴充營運規(guī)模，資本支出由30億元上修至50億元，因而辦理聯(lián)貸案，以支應
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力成 營收創(chuàng)高
DRAM封測力成（6239）公布6月合并營收，達31.08億元，月增2.7％，連續(xù)兩個月創(chuàng)新高，第2季營收達90.7億元，季增6.5％，高于原來法說會預期。昨日股價隨大盤整理，終場微幅下跌0.6元，以93元作收，成交量10315張。
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制程轉進成本下降DRAM業(yè)明年可持續(xù)獲利
針對DRAM廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange指出，明年DRAM均價較今年下跌約30%。然而隨著制程轉進、成本下降，DRAM廠營業(yè)利益率(OPMargin)成本優(yōu)勢最佳者，今年營業(yè)利益率平均為36%，明
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制程轉進成本下降 DRAM業(yè)明年可持續(xù)獲利
針對 DRAM 廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均價較今年下跌約30%。然而隨著制程轉進、成本下降， DRAM 廠營業(yè)利益率(OP Margin)成本優(yōu)勢最佳者，今年營業(yè)利益率平均
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三星46nm良率提升DRAM價格有望持續(xù)下降
臺灣媒體報道，受到三星46nm制程工藝DRAM芯片良率提高的利好消息影響，DRAM內存芯片的期貨價格有望在7、8月份持續(xù)下跌。業(yè)界消息稱，三星目前向PC廠商供應的2GBDDR3價格已經從先前的45美元下降到了40美元。消息稱，隨
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三星46nm良率提升 DRAM價格有望持續(xù)下降
臺灣媒體報道，受到三星46nm制程工藝DRAM芯片良率提高的利好消息影響，DRAM內存芯片的期貨價格有望在7、8月份持續(xù)下跌。業(yè)界消息稱，三星目前向PC廠商供應的2GB DDR3價格已經從先前的45美元下降到了40美元。消息稱，
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DDR3 2Gb將成主流，封測廠成長動能將受影響
DDR3 今年已經完全取代DDR2，本土DRAM廠配合市場趨勢也陸續(xù)轉進生產DDR3，而在容量規(guī)格上面，下半年也將會看到DDR3 2Gb產品將上市，其中南科(2408)就表示，8月份開始，12吋廠將會全部投入DDR3 2Gb，預料最快明年DD
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內存產出增加 封測廠下半年訂單無虞
內存產出持續(xù)增加，有利于后段封測廠的接單，封測廠不僅陸續(xù)調高資本支出，也普遍看好下半年的營運。其中力成科技下半 年訂單能見度十分明朗，營運可望呈現(xiàn)逐季走揚勢。該公司封裝及測試產能利用率都將維持在95%的滿
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大摩王安亞：銅制程明年營收成長放緩 較看好內存封裝股
摩根士丹利證券半導體產業(yè)分析師王安亞今天發(fā)布封測產業(yè)報告指出，銅制程不利封裝業(yè)者中長期營收的成長，明后年將看到年增率放緩至個位數(shù)；相對于IC邏輯封裝，從事內存封裝的力成(6239-TW)較有成長空間，為封裝類股
