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DRAM第一季度表現(xiàn)強勁，預示2010年好光景
DRAM產(chǎn)業(yè)第一季度表現(xiàn)強勁，令iSuppli公司憧憬2010年可能是該產(chǎn)業(yè)有史以來產(chǎn)業(yè)最好的一年。第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的銷售收入達到95億美元，高于iSuppli公司預測的86億美元。DRAM產(chǎn)業(yè)不僅保持銷售收入環(huán)比增長勢頭，而且創(chuàng)
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臺媒：三星壓境帶給臺灣半導體產(chǎn)業(yè)思考
歷經(jīng)2008-2009年金融風暴后，全球半導體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)快速反彈回升的跡象，下游終端應用市場對半導體產(chǎn)品的需求，亦從供過于求轉(zhuǎn)為供不應求。據(jù)WSTS統(tǒng)計與資策會MIC預測，2008與2009年全球半導體市場連續(xù)2年陷入衰退，分別
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DRAM第一季度表現(xiàn)強勁 預示2010年好光景
DRAM產(chǎn)業(yè)第一季度表現(xiàn)強勁，令iSuppli公司憧憬2010年可能是該產(chǎn)業(yè)有史以來產(chǎn)業(yè)最好的一年。第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的銷售收入達到95億美元，高于iSuppli公司預測的86億美元。DRAM產(chǎn)業(yè)不僅保持銷售收入環(huán)比增長勢頭，而且創(chuàng)
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擴大生產(chǎn)規(guī)模 三星變更半導體產(chǎn)線設置
為了擴大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(Samsung Electronics)變更半導體制作產(chǎn)線的營運方式，將原本一座工廠內(nèi)設置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營運體系。據(jù)南韓MT News報導，三星23日動工的京畿道華城半導體
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迎戰(zhàn)三星 臺塑集團準備好了
南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關注。臺塑集團總裁王文淵日前于內(nèi)部會議表示，原先預期三星明年下半年啟動擴產(chǎn)，其進度比預期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制
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產(chǎn)業(yè)全面復蘇應用材料2季度訂單上升29％
在剛剛公布的VLSI全球PV設備廠商排名中，應用材料依然穩(wěn)坐頭把交椅。不過和其太陽能業(yè)務相比，IC和TFT－LCD業(yè)務為應用材料今年第2季度的貢獻更值得稱頌。在截至到5月2日的Q2財季，應用材料總銷售額達到了23億美元，較
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韓系廠商出狠招內(nèi)存價格將會大幅下挫
三星是依靠在疲軟的市場環(huán)境下，不惜成本的加大投資，憑借韓國匯率貶值和政府無限貸款來拖垮競爭對手，以惡性競爭的手段搶占市場。其重點是DRAM、NAND閃存和液晶面板等科技產(chǎn)品必備的原材料業(yè)務。韓國《中央日報》20
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訂單滿手 力成擴資本支出
內(nèi)存封測龍頭力成（6239）訂單滿手，因應客戶旺盛需求，將透過自行提升產(chǎn)能及委外代工并進方式，擴大生產(chǎn)量，幅度約在兩成。 配合擴產(chǎn)計劃，力成也將提高今年資本支出，由原本預估的90億元，上修到120億元。這也
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英飛凌與日本爾必達籍專利交叉達成和解
北京時間5月21日凌晨消息（舒允文）歐洲第二大半導體制造商德國英飛凌（Infineon）21日宣布，公司與日本爾必達（Elpida Memory）已通過半導體技術專利交叉許可，就專利侵權訴訟達成和解，雙方均同意撤銷所有未決專利
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最新DRAM廠商排名出爐三星市占優(yōu)勢擴大
市場調(diào)研機構(gòu)Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場份額公司排名情況。在Q1排名中市場份額擴大的優(yōu)勝者是三星，美光及力晶及茂德。Q1市場份額減少的失意者為海力士，爾必達，南亞和威邦。Q1的市場排名中依銷售額計，三
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最新DRAM廠商排名出爐 三星市占優(yōu)勢擴大
市場調(diào)研機構(gòu)Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場份額公司排名情況。在Q1排名中市場份額擴大的優(yōu)勝者是三星，美光及力晶及茂德。Q1 市場份額減少的失意者為海力士，爾必達，南亞和威邦。Q1的市場排名中依銷售額計，
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歐盟罰操縱內(nèi)存芯片價格10家公司4.03億美元
歐盟委員會星期三宣布對包括三星電子在內(nèi)的10家內(nèi)存芯片廠商合謀操縱內(nèi)存芯片價格一共處以3.31億歐元(4.03億美元)。歐盟委員會稱，這些公司(多數(shù)是非歐洲的公司)在1998年至2002年期間共享秘密信息使他們能夠制定價格
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擴大市占海力士2012年前擬投資近80億美元
韓國媒體KoreaTimes獨家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預料競爭將加劇。除提高投資外，該份名為「財務穩(wěn)健中期策
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三星斥156億美元巨資擴大產(chǎn)能競爭對手咋舌
三星電子前日宣布，今年的擴張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計劃將以11兆韓元擴充內(nèi)存芯片產(chǎn)能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器(LCD)，以及電視與手機業(yè)務。此外，加上研發(fā)支出，預計三星今
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擴大市占 海力士2012年前擬投資近80億美元
韓國媒體Korea Times獨家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預料競爭將加劇。除提高投資外，該份名為「財務穩(wěn)健中期策
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三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈
三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應該要節(jié)制擴產(chǎn)，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來規(guī)模最大的
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5月DRAM合約價出爐DDR2持平DDR3小漲
原本進入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%；DRAM業(yè)者認為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿意，
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三星電子2010年整體投資將達26兆韓元
三星電子在16號半導體生產(chǎn)線開工儀式上表示，2010年整體投資將達到26兆韓元。該生產(chǎn)線位于韓國華城，將主要用于生產(chǎn)下一代存儲產(chǎn)品，2011年建成投產(chǎn)后預計能月產(chǎn)12英寸半導體晶片20萬片以上。2010年三星電子26兆韓元
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光刻設備交貨延期推遲DRAM40納米戰(zhàn)局
全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤式機臺(ImmersionScanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進45納米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周
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美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術
美光科技(MicronTechnologyInc.)7日宣布完成收購NORFlash大廠恒憶(NumonyxB.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金FranciscoPart
