本文采用以ST7920為控制器的YMl2864R構(gòu)成了自動監(jiān)控型獨立通氣籠盒(Individually Ventilated Cages,IVC)系統(tǒng)的人機界面顯示部分;給出了點陣液晶顯示模塊與單片機之間的硬件接口設(shè)計;介紹了液晶模塊文本顯示和繪圖顯示的基本特性及實現(xiàn),并重點介紹了任意字符反白和任意位置任意大小圖形顯示的方法。
由于芯片廠商提高產(chǎn)量和PC廠商堅持反對價格進一步上漲的強硬立場,DRAM內(nèi)存價格在今年 6月出現(xiàn)了一年以來的首次下降?! ?nèi)存芯片價格下降對 于每個購買新PC的用戶來說都很重要,因為昂貴的DRAM內(nèi)存芯片價格是PC價格
爾必達內(nèi)存發(fā)布了首款自行開發(fā)制造的圖形DRAM——2Gbit GDDR(graphic double data rate)5型DRAM。除了游戲機及個人電腦的圖形處理用途之外,還面向科學(xué)計算、物理模擬及數(shù)字圖像處理等的GPU(圖形處理器)用途。將
花旗環(huán)球證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之昨(4)日一口氣調(diào)升友達(2409)、奇美電(3009)、達虹(8056)、聯(lián)詠(3034)等4文件面板概念股目標價,但也提醒,友達因營業(yè)利率走跌與需提列面板價格控管費用,去(20
臺塑集團旗下的半導(dǎo)體硅晶圓廠商臺勝科(3532)于28日召開股東常會,董事長李志村表示,臺勝科今年以來不論在八吋廠或十二吋廠都是滿載生產(chǎn),但目前還不夠的是「價格還需要再上漲」,李志村表示,臺勝科自今年1月起就恢
因應(yīng)大陸由世界工廠轉(zhuǎn)為全球市場,臺灣半導(dǎo)體協(xié)會理事長暨臺積電新事業(yè)總經(jīng)理蔡力行昨(25)日表示,臺灣居于有利地位,尤其臺灣半導(dǎo)體有很強的垂直整合供應(yīng)鏈,日本則具備先進技術(shù)優(yōu)勢,臺日連手有助搶進大陸市場
又一個3D(三維)芯片聯(lián)盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一項3D多項目晶圓(MPW)服務(wù),以Tezzaron公司的3D芯片技術(shù)和GlobalFoundries公司的130納米CMOS代工工藝為基礎(chǔ)。多年以來,Tezzaron一直在致力于研發(fā)
隨著IC需求持續(xù)成長,市場研究機構(gòu)Gartner再度上調(diào)2010年全球晶圓制造廠資本支出預(yù)測值。由于各大晶圓廠快速擴張45/40奈米制程,NANDFlash及DRAM制造業(yè)者轉(zhuǎn)型至3x節(jié)點(3xnode)制程,該機構(gòu)預(yù)測,2010年晶圓制造設(shè)備銷
進入2010年后,全球半導(dǎo)體接連擴大設(shè)備投資,將使半導(dǎo)體設(shè)備市場急速膨脹。據(jù)市調(diào)機構(gòu)Gartner預(yù)測統(tǒng)計,因全球半導(dǎo)體企業(yè)自2009年底開始為因應(yīng)逐漸轉(zhuǎn)好的市場情況,紛紛進行大規(guī)模投資,2010年如光學(xué)設(shè)備等半導(dǎo)體制造
「日本經(jīng)濟新聞」報導(dǎo),日本半導(dǎo)體大廠爾必達公司將與臺灣的聯(lián)華電子及力成科技共同研發(fā)最尖端的「銅硅穿孔(TSV)」加工技術(shù)。報導(dǎo)指出,半導(dǎo)體的微細化技術(shù)已快達到極限,將來的研發(fā)焦點聚焦在芯片的垂直堆棧技術(shù)。
今日主流內(nèi)存技術(shù)的末日即將來臨?一家專精自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機存取內(nèi)存(spin transfer torque random access memory, STT-RAM)的美國硅谷新創(chuàng)公司 Grandis 日前發(fā)表了更新的產(chǎn)品藍圖,并宣示以這種新一代 MARM 取代 D
聯(lián)電昨日與爾必達、力成簽訂直通硅晶穿孔(TSV)技術(shù)合作開發(fā)合約,市場則再度傳出,爾必達將是聯(lián)電私募案引進策略合作伙伴的口袋名單之一,且雙方未來不排除朝向交叉持股的合作方向進行。唯聯(lián)電及爾必達對此一市場消
聯(lián)電(2303)、爾必達(Elpida)及力成(6239)昨(21)日宣布,三方將結(jié)合在三維(3D)IC的設(shè)計、制造與封裝等優(yōu)勢,投入開發(fā)整合邏輯芯片及動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)的3D IC完整解決方案,并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生
晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠力成(6239-TW)日本爾必達(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對包括28奈米先進制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進行合作。 聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,有鑒于摩爾定律的成長已經(jīng)趨緩
力成董事長蔡篤恭今日表示,只要3D IC的TSV技術(shù)率先達成熟階段,市場需求自然會浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝) 日本DRAM晶圓大廠爾必達(6665-JP),臺灣晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測大廠力成(6239-TW)今(21
研究機構(gòu)iSuppli表示,力晶2010年首季銷售季成長81%,已躍居全球第5大DRAM供應(yīng)廠。全球DRAM產(chǎn)業(yè)首季營收比前1季成長8.8%,根據(jù)iSuppli的資料,前5大DRAM廠約占全球整體DRAM產(chǎn)業(yè)營收的91%,前2大廠三星電子(SamsungEl
全球第2大內(nèi)存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布,該公司已與大陸廠商無錫太極實業(yè)(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江蘇省無錫市建成第二座內(nèi)存廠房,名稱為「高科技半導(dǎo)體封裝測試公司(HitechSemiconductorPackage
聯(lián)電(2303)、爾必達(Elpida)、力成(6239)等3家半導(dǎo)體大廠今(21)日將宣布策略合作,據(jù)了解,3家業(yè)者將針對銅制程直通硅晶穿孔(Cu-TSV)3D芯片新技術(shù)進行合作開發(fā),除了針對3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作
韓聯(lián)社(Yonhap)報導(dǎo),海力士(Hynix Semiconductor)在中國大陸的第2座存儲器封測工廠已落成。這座廠房名為Hitech半導(dǎo)體封裝測試公司,位于江蘇無錫,是與無錫太極實業(yè)合資的企業(yè),由海力士持有45%股權(quán),太極實業(yè)擁有剩
繼三星電子(SamsungElectronics)宣布大手筆資本支出,臺系DRAM廠亦不甘示弱,臺塑集團旗下南亞科和爾必達(Elpida)集團旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入42及45納米制程,較原訂計畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示,