作為一家開發(fā)SiC技術的領先廠商，英飛凌認識到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測試標準，以保證碳化硅器件達到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側重于碳化硅可靠性的三個特定領域。
【2021年9月8日，德國慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司和松下公司簽署協(xié)議，共同開發(fā)和生產(chǎn)第二代(Gen2)成熟的氮化鎵(GaN)技術，提供更高的效率和功率密度水平。
2021年9月8日，中國上海訊——9月27日，為期三天的深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展(ELEXCON 2021)將隆重開幕。
【2021年9月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。
關于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
【2021年9月3日，德國慕尼黑訊】在電力電子和半導體市場，系統(tǒng)方法的發(fā)展勢頭越來越好。
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
日前，英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)市場推廣總監(jiān)陳子穎先生和英飛凌科技電源與傳感事業(yè)部大中華區(qū)應用市場總監(jiān)程文濤先生在媒體采訪中就第三代半導體技術價值、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術趨勢進行了深入解讀。
【2021年8月23日，德國慕尼黑訊】在英飛凌科技股份公司的協(xié)調(diào)下，“電子元件唯一可識別性的設計方法和硬件/軟件聯(lián)合驗證”(VE-VIDES)研究項目已經(jīng)開始運作。
如何評估IGBT模塊的損耗與結溫?英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
英飛凌科技股份公司推出的全新MEMS*掃描儀解決方案，由MEMS鏡片和MEMS驅動器組成，可助力實現(xiàn)全新的產(chǎn)品設計。
【2021年8月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司和羅伯特·博世有限公司推出了一款用于輕型汽車發(fā)電機的新型超低損耗二極管—有源整流二極管。
youryanglin
默渝
Huangpaul0755
14737662131
eyic16888
昨天
陽陽陽ly
WKY99
IFX-AllenQian
liqinglong1023
本站介紹 歡迎投稿 隱私聲明 廣告業(yè)務 網(wǎng)站地圖 聯(lián)系我們 誠聘英才
21ic電子網(wǎng) 2000- 版權所有
