內(nèi)存

我要報(bào)錯(cuò)

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

世界最小電腦記憶體：原子核內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

美國(guó)物理學(xué)家日前實(shí)現(xiàn)了在原子核磁自旋中存儲(chǔ)信息近兩分鐘，從而制造出目前最持久的自旋電子器件，這也可能是世界上最小的電腦記憶體。此次研究由美國(guó)猶他大學(xué)發(fā)起，研究人員嘗試在壽命相對(duì)較長(zhǎng)的原子核里存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

智能硬件
2011-01-23

內(nèi)存電腦溫度物理學(xué)
索尼和JVC將在2011年發(fā)售3D攝像機(jī)新品

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，繼松下于2010年8月率先推出3D攝像機(jī)之后，日本索尼和JVC也于近日對(duì)外宣布將在2011年推出3D攝像機(jī)產(chǎn)品。據(jù)悉，這兩家公司的3D攝像機(jī)上市時(shí)間分別定為今年4月和2月。報(bào)道中稱，索尼將推出的

消費(fèi)電子
2011-01-17

索尼攝像機(jī) 3D電視內(nèi)存
iSuppli：2011年DRAM需求量將面臨嚴(yán)重下滑

據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道，業(yè)內(nèi)分析師警告稱，經(jīng)過(guò)幾年繁榮的發(fā)展之后，今年DRAM廠商面臨著需求的嚴(yán)重下滑?；谀壳暗臄?shù)字，iSuppli 預(yù)測(cè)DRAM全球平均銷售價(jià)將會(huì)下降到了$35.5bn，與去年相比下降11.8%。該研究公司警告，在未

智能硬件
2011-01-14

DRAM ISUPPLI 內(nèi)存電腦
廣電部門(mén)釋疑：數(shù)字電視開(kāi)機(jī)慢還無(wú)法改進(jìn)

自從2010年下半年濟(jì)南市開(kāi)始數(shù)字電視整體轉(zhuǎn)換工作以來(lái)，數(shù)字電視用戶們向本報(bào)反映了在整轉(zhuǎn)過(guò)程中遇到的各種問(wèn)題。近日，濟(jì)南市廣播電視信息網(wǎng)絡(luò)中心辦公室的相關(guān)負(fù)責(zé)人，就市民向本報(bào)反映較為集中的問(wèn)題進(jìn)行了答復(fù)。

消費(fèi)電子
2011-01-12

數(shù)字電視數(shù)字電視機(jī)頂盒廣電網(wǎng)絡(luò) 內(nèi)存
三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存

三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。時(shí)至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2

消費(fèi)電子
2011-01-06

DRAM 三星 DDR4 內(nèi)存
IBM研發(fā)racetrack內(nèi)存進(jìn)入沖刺階段

磁自旋神奇的地方在于，它不會(huì)取代原子，能讓硬盤(pán)上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換，又沒(méi)有最終會(huì)讓快閃位單元耗損的疲乏機(jī)制(fatiguemechanisms)。目前的固態(tài)非易失性內(nèi)存如閃存、鐵電內(nèi)存(FRAM)，甚至

消費(fèi)電子
2010-12-31

IBM CE TRACK 內(nèi)存
富士通新型低成本機(jī)頂盒芯片出貨突破百萬(wàn)

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其2010年3月正式量產(chǎn)的新型低成本MPEG-2機(jī)頂盒芯片H20D出貨量成功突破100萬(wàn)。此次突破展示了富士通半導(dǎo)體機(jī)頂盒解決方案在競(jìng)爭(zhēng)激烈的低成本機(jī)頂盒市場(chǎng)所擁有的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。H20D

消費(fèi)電子
2010-12-30

富士通機(jī)頂盒芯片超低功耗內(nèi)存
富士通MPEG-2機(jī)頂盒芯片H20D出貨突破百萬(wàn)

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其2010年3月正式量產(chǎn)的新型低成本MPEG-2機(jī)頂盒芯片H20D出貨量成功突破100萬(wàn)。此次突破展示了富士通半導(dǎo)體機(jī)頂盒解決方案在競(jìng)爭(zhēng)激烈的低成本機(jī)頂盒市場(chǎng)所擁有的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。H20D

廠商動(dòng)態(tài)
2010-12-29

富士通機(jī)頂盒芯片 MPEG-2 內(nèi)存
茂德將用爾必達(dá)63nm芯片組裝高端內(nèi)存

臺(tái)灣內(nèi)存廠商茂德近日宣布已于日本內(nèi)存芯片廠商爾必達(dá)達(dá)成了一項(xiàng)協(xié)議，根據(jù)這項(xiàng)協(xié)議，茂德將使用爾必達(dá)設(shè)計(jì)的基于stack工藝技術(shù)的63nm制程內(nèi)存芯片來(lái)組裝自己的高端內(nèi)存條產(chǎn)品。當(dāng)年Winbond生產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)stackprocess

消費(fèi)電子
2010-12-29

芯片組爾必達(dá) 內(nèi)存芯片內(nèi)存
3D Racetrack內(nèi)存技術(shù) 存儲(chǔ)量提高百倍

IBM的研究人員最近證實(shí)，Racetrack內(nèi)存理論是正確的，可以用于指導(dǎo)這類內(nèi)存芯片的生產(chǎn)。采用Racetrack芯片，移動(dòng)設(shè)備的存儲(chǔ)容量將增加逾100倍，可以存儲(chǔ)50萬(wàn)首歌曲或3500部電影。由于Racetrack芯片能耗極低，移動(dòng)設(shè)

消費(fèi)電子
2010-12-27

IBM CE TRACK 內(nèi)存
IBM展示3D Racetrack內(nèi)存技術(shù) 存儲(chǔ)量可加大100倍

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM的研究人員最近證實(shí)，Racetrack內(nèi)存理論是正確的，可以用于指導(dǎo)這類內(nèi)存芯片的生產(chǎn)。采用Racetrack芯片，移動(dòng)設(shè)備的存儲(chǔ)容量將增加逾100倍，可以存儲(chǔ)50萬(wàn)首歌曲或3500部電影。由于Racetrack芯片

智能硬件
2010-12-27

IBM CE TRACK 內(nèi)存
IBM展示3D Racetrack內(nèi)存技術(shù)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM的研究人員最近證實(shí)，Racetrack內(nèi)存理論是正確的，可以用于指導(dǎo)這類內(nèi)存芯片的生產(chǎn)。采用Racetrack芯片，移動(dòng)設(shè)備的存儲(chǔ)容量將增加逾100倍，可以存儲(chǔ)50萬(wàn)首歌曲或3500部電影。由于Racetrack芯片

智能硬件
2010-12-24

IBM CE TRACK 內(nèi)存
12月份DRAM價(jià)格繼續(xù)大幅下滑

據(jù)iSuppli公司，12月DRAM價(jià)格繼續(xù)下降，跌勢(shì)不止，經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的大幅下滑，價(jià)格已降到年內(nèi)最低水平。12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價(jià)格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價(jià)格下跌，DDR2同樣跌

消費(fèi)電子
2010-12-24

DRAM GB DDR3 內(nèi)存
DRAM合約價(jià)再跌10%減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%，平均售價(jià)跌破20美元，低價(jià)來(lái)到17美元價(jià)格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價(jià)格較當(dāng)時(shí)的價(jià)格已下跌超過(guò)50%，市場(chǎng)預(yù)期供

模擬
2010-12-22

DRAM GB DDR3 內(nèi)存
Hynix CEO：明年內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)走低影響Q4利潤(rùn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，Hynix半導(dǎo)體公司CEOO.C.Kwon近日表示，預(yù)計(jì)明年電腦內(nèi)存芯片的價(jià)格將持續(xù)下降，同時(shí)，公司第四季度的盈利也會(huì)因此受到影響。短期來(lái)看，全球芯片市場(chǎng)仍表現(xiàn)低迷?！敖衲晟习肽晷酒瑑r(jià)格還一直保持堅(jiān)挺

模擬
2010-12-22

NI CE 內(nèi)存電腦
半導(dǎo)體設(shè)備出貨趨緩　明年2Q回升

隨時(shí)序進(jìn)入淡季，半導(dǎo)體出貨持續(xù)走緩，根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)公布調(diào)查指出，半導(dǎo)體設(shè)備接單金額自8月開(kāi)始下滑，11月訂單出貨比(Book-to-BillRatio；B/B值)連第2個(gè)月低于1；半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者指出，為因應(yīng)2

模擬
2010-12-20

晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)備 SEMI 內(nèi)存
臺(tái)灣開(kāi)發(fā)出9納米超節(jié)能內(nèi)存預(yù)計(jì)5到10年內(nèi)量產(chǎn)

據(jù)香港中通社報(bào)道，臺(tái)灣“國(guó)研院”納米（臺(tái)稱“奈米”）組件實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)先全球，開(kāi)發(fā)出全球最小的9納米功能性電阻式內(nèi)存(R-RAM)數(shù)組晶胞；這個(gè)新內(nèi)存在幾乎不需耗電的情況下，1平方厘米面積內(nèi)可儲(chǔ)存

智能硬件
2010-12-20

RAM 組件電阻式內(nèi)存
IBM與Mosaid公司就侵權(quán)案達(dá)成和解協(xié)議

IBM與Mosaid公司就侵權(quán)案達(dá)成和解協(xié)議

嵌入式動(dòng)態(tài)
2010-12-20

IBM AI MOS 內(nèi)存
近距離接觸 25nm NAND閃存制造技術(shù)

目前，限制SSD普及的門(mén)檻依然是昂貴的價(jià)格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來(lái)更具性價(jià)比的產(chǎn)品。顯然，英特爾和美光的合作，使兩家公司在技術(shù)和創(chuàng)新上走在了其他公

模擬
2010-12-18

閃存芯片 NAND閃存 5NM 內(nèi)存
全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

根據(jù)SEMI發(fā)布的最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)，預(yù)估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長(zhǎng)，而2012年將成長(zhǎng)9%；相較于2003~2007年的每年兩位數(shù)成長(zhǎng)，SEMI對(duì)明后年的預(yù)估相對(duì)審慎保守。若從產(chǎn)業(yè)區(qū)隔來(lái)

半導(dǎo)體
2010-12-14

晶圓晶圓廠 SEMI 內(nèi)存

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內(nèi)存

世界最小電腦記憶體：原子核內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

索尼和JVC將在2011年發(fā)售3D攝像機(jī)新品

iSuppli：2011年DRAM需求量將面臨嚴(yán)重下滑

廣電部門(mén)釋疑：數(shù)字電視開(kāi)機(jī)慢還無(wú)法改進(jìn)

三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存

IBM研發(fā)racetrack內(nèi)存進(jìn)入沖刺階段

富士通新型低成本機(jī)頂盒芯片出貨突破百萬(wàn)

富士通MPEG-2機(jī)頂盒芯片H20D出貨突破百萬(wàn)

茂德將用爾必達(dá)63nm芯片組裝高端內(nèi)存

3D Racetrack內(nèi)存技術(shù) 存儲(chǔ)量提高百倍

IBM展示3D Racetrack內(nèi)存技術(shù) 存儲(chǔ)量可加大100倍

IBM展示3D Racetrack內(nèi)存技術(shù)

12月份DRAM價(jià)格繼續(xù)大幅下滑

DRAM合約價(jià)再跌10%減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

Hynix CEO：明年內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)走低影響Q4利潤(rùn)

半導(dǎo)體設(shè)備出貨趨緩　明年2Q回升

臺(tái)灣開(kāi)發(fā)出9納米超節(jié)能內(nèi)存預(yù)計(jì)5到10年內(nèi)量產(chǎn)

IBM與Mosaid公司就侵權(quán)案達(dá)成和解協(xié)議

近距離接觸 25nm NAND閃存制造技術(shù)

全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

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