內(nèi)存

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內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱(chēng)為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

力成訂單塞爆 Q4大成長(zhǎng)

內(nèi)存封測(cè)龍頭力成（6239）董事長(zhǎng)蔡篤恭昨（27）日表示，近期訂單旺到爆，第三季前出貨都會(huì)改寫(xiě)新高，第四季大客戶(hù)又導(dǎo)入新制程增加產(chǎn)出，力成更添動(dòng)能。力成昨天舉行股東會(huì)，通過(guò)去年財(cái)報(bào)及每股配發(fā)3.5元現(xiàn)金股利

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2010-05-28

爾必達(dá) DRAM 內(nèi)存控制
傳南亞華亞提高預(yù)算以加速新制程量產(chǎn)

5月25日來(lái)自業(yè)內(nèi)人士的消息，南亞科技和華亞存儲(chǔ)兩大內(nèi)存制造商正在計(jì)劃提高他們的預(yù)算，總計(jì)將達(dá)到31億美元。消息透露，由于鎂光科技的42nm工藝比計(jì)劃中提前了兩個(gè)月開(kāi)始量產(chǎn)，為了趕上它的步伐，南亞和華亞兩

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2010-05-26

電子晶圓鎂光內(nèi)存
韓系廠商出狠招內(nèi)存價(jià)格將會(huì)大幅下挫

三星是依靠在疲軟的市場(chǎng)環(huán)境下，不惜成本的加大投資，憑借韓國(guó)匯率貶值和政府無(wú)限貸款來(lái)拖垮競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，以惡性競(jìng)爭(zhēng)的手段搶占市場(chǎng)。其重點(diǎn)是DRAM、NAND閃存和液晶面板等科技產(chǎn)品必備的原材料業(yè)務(wù)。韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》20

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2010-05-21

LCD 三星電子 DRAM 內(nèi)存
訂單滿(mǎn)手力成擴(kuò)資本支出

內(nèi)存封測(cè)龍頭力成（6239）訂單滿(mǎn)手，因應(yīng)客戶(hù)旺盛需求，將透過(guò)自行提升產(chǎn)能及委外代工并進(jìn)方式，擴(kuò)大生產(chǎn)量，幅度約在兩成。配合擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，力成也將提高今年資本支出，由原本預(yù)估的90億元，上修到120億元。這也

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2010-05-21

SPANSION DRAM 內(nèi)存
諾發(fā)開(kāi)發(fā)出面向3Xnm工藝內(nèi)存銅布線的2nm厚WN通孔下層膜技術(shù)

美國(guó)諾發(fā)系統(tǒng)（Novellus Systems）宣布，該公司面向銅（Cu）布線的W通孔開(kāi)發(fā)出了厚度僅為2nm的WN下層膜技術(shù)。如果使用該項(xiàng)技術(shù)的話(huà)，便可將銅布線技術(shù)用于3Xnm工藝內(nèi)存中。為了實(shí)現(xiàn)DRAM和閃存的高速化，銅布線被大量

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2010-05-20

電阻布線內(nèi)存
卡位DDR3封測(cè)市場(chǎng)，力成領(lǐng)先搶單

內(nèi)存封測(cè)大廠力成科技（6239）第1季獲利表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，毛利率與去年第4季持平為27.5％，稅后凈利達(dá)17.73億元，每股凈利為2.62元。由于上游DRAM廠及NAND廠的新增產(chǎn)能不斷開(kāi)出，力成科技董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，今年對(duì)于半導(dǎo)

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2010-05-17

SIP DDR3 MCP 內(nèi)存
四家半導(dǎo)體封測(cè)大廠重金擴(kuò)產(chǎn)

封測(cè)廠聯(lián)合科技加入擴(kuò)張產(chǎn)能行動(dòng)，宣布今年資金支出達(dá)到2億美元，為歷年來(lái)次高，加計(jì)日月光（2311）、矽品（2325）及力成（6239）等三家封測(cè)大廠今年資本支出金額，四家半導(dǎo)體封測(cè)大廠今年資本支出逾450億元，凸顯封

半導(dǎo)體
2010-05-12

半導(dǎo)體通訊封裝內(nèi)存
下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起國(guó)際大廠攻勢(shì)凌厲

期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場(chǎng)戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics)宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(jī)(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問(wèn)世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對(duì)PC、消費(fèi)性電子和通訊市場(chǎng)使

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2010-05-11

PCM NEO 內(nèi)存
下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起國(guó)際大廠攻勢(shì)凌厲

相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場(chǎng)戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(jī)(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問(wèn)世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對(duì)PC、消費(fèi)性電子和通訊市場(chǎng)使用

智能硬件
2010-05-11

PCM NEO 內(nèi)存
IC封測(cè)廠4月?tīng)I(yíng)收不同調(diào)，整體續(xù)揚(yáng)力道受壓抑

IC 封測(cè)廠4月?tīng)I(yíng)收表現(xiàn)不同調(diào)，其中以驅(qū)動(dòng)IC、內(nèi)存、晶圓測(cè)試相關(guān)的業(yè)者表現(xiàn)較佳，都有持續(xù)創(chuàng)新高的表現(xiàn)；至于日月光(2311)、硅品(2325)、超豐(2441)成長(zhǎng)動(dòng)能都出現(xiàn)停滯，其中硅品因?yàn)閮?nèi)存測(cè)試與驅(qū)動(dòng)IC封裝業(yè)務(wù)切割予

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2010-05-11

晶圓廠 IC 驅(qū)動(dòng)IC 內(nèi)存
看好MCP SiP需求強(qiáng)勁　力成加強(qiáng)業(yè)務(wù)比重

封測(cè)大廠力成科技近年來(lái)積極開(kāi)發(fā)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)，并透過(guò)飛索(Spansion)蘇州廠跨入多芯片封裝(MCP)。該公司近來(lái)在著墨MCP和SiP均見(jiàn)成長(zhǎng)，比重分別從2009年第4季10%、8%分別增加至11%、9%，未來(lái)將加重SiP和MCP業(yè)務(wù)

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2010-05-06

芯片封裝 SIP MCP 內(nèi)存
力成上月?tīng)I(yíng)收再攻頂

內(nèi)存封測(cè)龍頭力成（6239）昨（5）日公布4月?tīng)I(yíng)收30.01億元，月增1.73%，改寫(xiě)去年12月所創(chuàng)的29.98億元紀(jì)錄，再創(chuàng)歷史新高，顯示DRAM市況持續(xù)升溫，且第二季將淡季不淡。經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)／提供另一封測(cè)大廠硅品（2325）4月?tīng)I(yíng)

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2010-05-06

封裝 DRAM 內(nèi)存
全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收2010第一季營(yíng)收續(xù)成長(zhǎng)6.9%

根據(jù)集邦科技公布價(jià)格，DDR3合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與14%；DDR２合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約

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2010-05-04

三星 DDR3 DRAM 內(nèi)存
內(nèi)存晴雨表 DRAM產(chǎn)業(yè)回升，以勝利姿態(tài)揮別2009

據(jù)iSuppli公司，2009年DRAM市場(chǎng)搖擺不定，從一個(gè)極端到另一個(gè)極端，但第四季度克服了年初時(shí)的疲弱局面，高調(diào)結(jié)束全年，自2007年以來(lái)首次實(shí)現(xiàn)盈利。2009年第一季度創(chuàng)下2001年以來(lái)的最低營(yíng)業(yè)收入，DRAM產(chǎn)業(yè)隨后持續(xù)穩(wěn)步

智能硬件
2010-05-04

ISUPPLI DDR3 DRAM 內(nèi)存
三星今年將推"相變內(nèi)存" 取代手機(jī)閃存卡

三星計(jì)劃于今年晚些時(shí)候推出相變內(nèi)存卡(PCM)，旨在取代當(dāng)前手機(jī)等電子產(chǎn)品所使用的閃存技術(shù)。相變內(nèi)存由相變材料制成，通過(guò)加熱材料形式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與閃存存儲(chǔ)相比，相變內(nèi)存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)更加省電，預(yù)計(jì)可延長(zhǎng)電池續(xù)航

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-05-04

三星電子內(nèi)存
封測(cè)雙雄啟動(dòng)制程產(chǎn)能競(jìng)賽

封測(cè)雙雄競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)線從制程拉大到產(chǎn)能，硅品大舉增加銅打線封裝機(jī)臺(tái)，苦追領(lǐng)先的日月光，雙方亦大拼產(chǎn)能，硅品不僅買(mǎi)下力晶廠房，彰化和美二廠亦將完工啟用，日月光昆山廠則將于5月投產(chǎn)，高雄K12廠亦于同月動(dòng)工，并買(mǎi)下

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2010-05-04

封裝驅(qū)動(dòng)IC 內(nèi)存
封測(cè)廠Q1財(cái)報(bào) 力成獲利王

封測(cè)廠第1季財(cái)報(bào)全數(shù)出爐，根據(jù)各公司公布數(shù)據(jù)，內(nèi)存封測(cè)廠力成（6239）每股凈利2.62元，穩(wěn)坐封測(cè)廠獲利王寶座；龍頭大廠日月光（2311）營(yíng)收及稅后凈利的絕對(duì)金額最高；晶圓測(cè)試廠欣銓?zhuān)?264）則以31.2％凈利率稱(chēng)霸。

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2010-05-03

晶圓芯片測(cè)試封裝內(nèi)存
聯(lián)電審慎看待下半年不如臺(tái)積電樂(lè)觀

有別于臺(tái)積電持續(xù)積極看多今年全年度半導(dǎo)體市況的立場(chǎng)，聯(lián)電于28日法說(shuō)中對(duì)下半年市場(chǎng)展望則相對(duì)較為保留，表示仍會(huì)審慎因應(yīng)下半年的產(chǎn)業(yè)情勢(shì)。另在合并和艦案的進(jìn)度上，聯(lián)電則指出，相關(guān)申請(qǐng)文件尚在準(zhǔn)備中，預(yù)期一

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2010-04-30

電子聯(lián)電臺(tái)積電內(nèi)存
力成今年?duì)I收看增20%

內(nèi)存封測(cè)龍頭力成（6239）董事長(zhǎng)蔡篤恭昨（29）日表示，今年內(nèi)存市況不錯(cuò)，力成業(yè)績(jī)可一路旺到第三季，不僅本季沒(méi)有淡季沖擊，全年?duì)I收也可望比去年增加兩成。力成昨天舉行法說(shuō)會(huì)并公布首季財(cái)報(bào)，毛利率維持與上

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2010-04-30

封裝 DRAM 內(nèi)存控制
沒(méi)有臺(tái)積電樂(lè)觀！聯(lián)電：審慎看待下半年

有別于臺(tái)積電(2330)持續(xù)積極看多今年全年度半導(dǎo)體市況的立場(chǎng)，聯(lián)電(2303)于28日法說(shuō)中對(duì)下半年市場(chǎng)展望則相對(duì)較為保留，表示仍會(huì)審慎因應(yīng)下半年的產(chǎn)業(yè)情勢(shì)。另在合并和艦案的進(jìn)度上，聯(lián)電則指出，相關(guān)申請(qǐng)文件尚在準(zhǔn)

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2010-04-29

電子聯(lián)電臺(tái)積電內(nèi)存

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天涯尋刀
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內(nèi)存

力成訂單塞爆 Q4大成長(zhǎng)

傳南亞華亞提高預(yù)算以加速新制程量產(chǎn)

韓系廠商出狠招內(nèi)存價(jià)格將會(huì)大幅下挫

訂單滿(mǎn)手力成擴(kuò)資本支出

諾發(fā)開(kāi)發(fā)出面向3Xnm工藝內(nèi)存銅布線的2nm厚WN通孔下層膜技術(shù)

卡位DDR3封測(cè)市場(chǎng)，力成領(lǐng)先搶單

四家半導(dǎo)體封測(cè)大廠重金擴(kuò)產(chǎn)

下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起國(guó)際大廠攻勢(shì)凌厲

下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起國(guó)際大廠攻勢(shì)凌厲

IC封測(cè)廠4月?tīng)I(yíng)收不同調(diào)，整體續(xù)揚(yáng)力道受壓抑

看好MCP SiP需求強(qiáng)勁　力成加強(qiáng)業(yè)務(wù)比重

力成上月?tīng)I(yíng)收再攻頂

全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收2010第一季營(yíng)收續(xù)成長(zhǎng)6.9%

內(nèi)存晴雨表 DRAM產(chǎn)業(yè)回升，以勝利姿態(tài)揮別2009

三星今年將推"相變內(nèi)存" 取代手機(jī)閃存卡

封測(cè)雙雄啟動(dòng)制程產(chǎn)能競(jìng)賽

封測(cè)廠Q1財(cái)報(bào) 力成獲利王

聯(lián)電審慎看待下半年不如臺(tái)積電樂(lè)觀

力成今年?duì)I收看增20%

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