
目前,國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展比較成熟,LED產(chǎn)業(yè)上游包括原材料和襯底等環(huán)節(jié),中游包括外延和芯片等環(huán)節(jié),下游包括封裝、應(yīng)用等環(huán)節(jié)。目前我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)集中在產(chǎn)業(yè)鏈下游,企業(yè)規(guī)模小,研發(fā)能力不強(qiáng),企業(yè)眾多,與國(guó)外技
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出2.6A、36V 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT3694,該器件具有兩個(gè)線性控制器,采用 4mm x 5mm QFN 或 TSSOP-20E 封裝。LT3694 在 4V 至 36V 的 VIN 范圍內(nèi)工作,具有 70V 的瞬
目前,國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展比較成熟,LED產(chǎn)業(yè)上游包括原材料和襯底等環(huán)節(jié),中游包括外延和芯片等環(huán)節(jié),下游包括封裝、應(yīng)用等環(huán)節(jié)。目前我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)集中在產(chǎn)業(yè)鏈下游,企業(yè)規(guī)模小,研發(fā)能力不強(qiáng),企業(yè)眾多,與國(guó)外技
目前,國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展比較成熟,LED產(chǎn)業(yè)上游包括原材料和襯底等環(huán)節(jié),中游包括外延和芯片等環(huán)節(jié),下游包括封裝、應(yīng)用等環(huán)節(jié)。目前我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)集中在產(chǎn)業(yè)鏈下游,企業(yè)規(guī)模小,研發(fā)能力不強(qiáng),企業(yè)眾多,與國(guó)外技
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)慣性組件應(yīng)用已起飛,目前尤以手機(jī)中的應(yīng)用最被全球業(yè)者所看好,故業(yè)者將加速度計(jì)(Accelerometer)以及陀螺儀(Gyroscope)等產(chǎn)品也向嵌入手機(jī)中為目標(biāo),封裝高度均可降至1mm以下。目前包含Kionix、
日本IBM東京基礎(chǔ)研究所的折井靖光在2010年11月15日舉行的“支持部件內(nèi)置及三維化的安裝技術(shù)”EPADs研究會(huì)上,發(fā)表了特邀演講,指出在今后所有物體均能連接到互聯(lián)網(wǎng)的世界里,封裝及安裝技術(shù)將越來(lái)越重要。 折井靖
受到下游電子系統(tǒng)產(chǎn)品需求不如預(yù)期,再加上臺(tái)幣升值等不利因素影響,臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)第三季較上季僅微幅成長(zhǎng)4.1%。而根據(jù)工研院IEKITIS計(jì)劃今日出爐的報(bào)告顯示,新臺(tái)幣在第四季面臨持續(xù)升值的壓力,預(yù)估第四季臺(tái)灣半導(dǎo)
問題描述: 81%的電子系統(tǒng)中在使用FPGA,包括很多商用產(chǎn)品和國(guó)防產(chǎn)品,并且多數(shù)FPGA使用的是BGA封裝形式。BGA封裝形式的特點(diǎn)是焊接球小和焊接球的直徑小。當(dāng)FGPA被焊在PCB板上時(shí),容易造成焊接連接失效。焊接
臺(tái)積電董事會(huì)9日通過明年資本預(yù)算26.9億美元(約新臺(tái)幣810億元),主要用于12寸晶圓廠與晶圓封裝兩大業(yè)務(wù)。臺(tái)積電為抓住科技產(chǎn)品“輕薄短小”的趨勢(shì),業(yè)務(wù)從上游晶圓代工擴(kuò)大到下游封裝,不但將威脅日月光、
美國(guó)InvenSense開發(fā)出將3軸加速度傳感器、16bitA-D轉(zhuǎn)換器及信號(hào)處理LSI集成在一個(gè)封裝內(nèi)的3軸陀螺儀傳感器(角速度傳感器)“MPU-6000”。 這是該公司首次推出將加速度傳感器也集成在一個(gè)封裝內(nèi)的陀螺儀傳感器。雖然
臺(tái)積電周二發(fā)布公告稱,將出資18.9億美元用于擴(kuò)建中科的晶圓廠。計(jì)劃在中科的晶圓廠建立晶圓試產(chǎn)線,并擴(kuò)充12寸晶圓級(jí)芯片尺寸封裝產(chǎn)能與特殊技術(shù)產(chǎn)能。該公司沒有透露具體將于何時(shí)開始擴(kuò)充產(chǎn)能。此外,臺(tái)積電稱已經(jīng)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能,9日董事會(huì)通過約新臺(tái)幣812.6億元的資本預(yù)算,用以擴(kuò)充12吋制程、先進(jìn)制程與特殊制程產(chǎn)能,以及2011年逾8億美元的研發(fā)預(yù)算,并且也通過對(duì)歐洲子公司進(jìn)行增資。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠
晶圓代工龍頭臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能,9日董事會(huì)通過約新臺(tái)幣812.6億元的資本預(yù)算,用以擴(kuò)充12吋制程、先進(jìn)制程與特殊制程產(chǎn)能,以及2011年逾8億美元的研發(fā)預(yù)算,并且也通過對(duì)歐洲子公司進(jìn)行增資。?臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀看
臺(tái)積電董事會(huì)昨(9)日通過明年資本預(yù)算26.9億美元(約新臺(tái)幣810億元),主要用于12吋晶圓廠與晶圓封裝兩大業(yè)務(wù)。 臺(tái)積電為抓住科技產(chǎn)品「輕薄短小」的趨勢(shì),業(yè)務(wù)從上游晶圓代工擴(kuò)大到下游封裝,不但將威脅日月
日月光公告10月封測(cè)營(yíng)收為新臺(tái)幣111.73億元,加計(jì)EMS事業(yè)部營(yíng)收,則該公司10月集團(tuán)營(yíng)收為169.08億元,月減率為2.7%。就封測(cè)業(yè)務(wù)而言,日月光認(rèn)為單季出貨量應(yīng)可較上季成長(zhǎng),惟受到新臺(tái)幣升值和金價(jià)走揚(yáng)的沖擊抵銷,初
CNET科技資訊網(wǎng) 11月8日 北京消息:作為超威半導(dǎo)體公司“AMD”(NYSE:AMD)在華的投資性全資子公司,超威半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司(“AMD中國(guó)”)今日宣布將對(duì)其位于蘇州工業(yè)園區(qū)內(nèi)的工廠進(jìn)行擴(kuò)建。據(jù)悉,此次擴(kuò)建將
AMD今天在其蘇州工廠內(nèi)舉行了擴(kuò)建奠基儀式,擴(kuò)建完成后工廠產(chǎn)能將提高一倍。蘇州工廠是AMD在中國(guó)的第一個(gè)CPU測(cè)試封裝廠,2004年12月正式投產(chǎn),當(dāng)時(shí)投入資金為1億美元。這里的主要業(yè)務(wù)是將已經(jīng)生產(chǎn)完畢的臺(tái)式電腦和筆
Intersil公司推出其為國(guó)防、航空電子等惡劣應(yīng)用環(huán)境而設(shè)計(jì)的突破性ISL8200M DC/DC功率模塊的最新版本---ISL8200MM。ISL8200MM負(fù)載點(diǎn) DC/DC 功率模塊符合美國(guó)國(guó)防供應(yīng)中心(DSCC)VID V62/10608 的規(guī)范。它以單一封裝
Intersil公司推出其為國(guó)防、航空電子等惡劣應(yīng)用環(huán)境而設(shè)計(jì)的突破性ISL8200M DC/DC功率模塊的最新版本---ISL8200MM。ISL8200MM負(fù)載點(diǎn) DC/DC 功率模塊符合美國(guó)國(guó)防供應(yīng)中心(DSCC)VID V62/10608 的規(guī)范。它以單一封裝
著眼于系統(tǒng)商對(duì)于發(fā)光二極管(LED)光源在不同操作環(huán)境的穩(wěn)定性要求更為嚴(yán)苛,采用覆晶(Flip-chip)封裝技術(shù)的LED,較一般LED封裝的固晶方式擁有更高的信賴度,且兼具縮短高溫烘烤的制程時(shí)間、高良率、導(dǎo)熱效果佳、高