晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

Gartner：晶圓設(shè)備市場(chǎng)2013恢復(fù)成長(zhǎng)

隨著晶圓和其它邏輯制造廠增加30奈米以下的生產(chǎn)，晶圓制造設(shè)備于2012初始表現(xiàn)強(qiáng)勁。但是，根據(jù)Gartner最新報(bào)告，2012年全球晶圓制造設(shè)備（WFE）支出預(yù)期為330億美元，較2011年362億美元的支出規(guī)模衰退了8.9%。Gartn

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2012-06-26

晶圓晶圓制造 GARTNER JOHNSON
晶圓與電池價(jià)格維持緩漲格局 Q3實(shí)際出貨仍需觀察

根據(jù)EnergyTrend的數(shù)據(jù)顯示，受到歐洲經(jīng)濟(jì)狀況仍不穩(wěn)定的影響，消息指出歐洲部分電廠投資案因而受到牽連，進(jìn)度不如預(yù)期。另一方面，原本市場(chǎng)對(duì)于第三季訂單有相當(dāng)期待，在此次InterSolar展會(huì)中結(jié)束后出現(xiàn)變化，目前看

消費(fèi)電子
2012-06-25

電池多晶硅硅晶圓晶圓
晶圓與電池價(jià)格維持緩漲格局 Q3實(shí)際出貨仍需觀察

根據(jù)EnergyTrend的數(shù)據(jù)顯示，受到歐洲經(jīng)濟(jì)狀況仍不穩(wěn)定的影響，消息指出歐洲部分電廠投資案因而受到牽連，進(jìn)度不如預(yù)期。另一方面，原本市場(chǎng)對(duì)于第三季訂單有相當(dāng)期待，在此次InterSolar展會(huì)中結(jié)束后出現(xiàn)變化，目前看

消費(fèi)電子
2012-06-25

電池多晶硅硅晶圓晶圓
晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn)，晶圓加工廠商仍可以在小基板上

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-06-20

摩爾定律電流 FINFET 晶圓
8吋重?fù)轿A需求移往亞洲合晶居大中華NO.1

半導(dǎo)體矽晶圓廠商合晶 (6182)董事長(zhǎng)焦平海19日表示，國(guó)際半導(dǎo)體矽晶圓大廠近幾年來(lái)陸續(xù)將資源投注重心放在12吋市場(chǎng)，削減其效益不彰的8吋矽晶圓產(chǎn)能，然8吋市場(chǎng)需求熱度不減，尤其半導(dǎo)體制造轉(zhuǎn)往亞洲區(qū)的趨勢(shì)明顯，合

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2012-06-19

晶圓廠 NI IC 晶圓
《半導(dǎo)體》旺矽Q2營(yíng)收估增逾5成

旺矽（6223）第2季來(lái)接單持續(xù)轉(zhuǎn)強(qiáng)，除了晶圓探針卡接單滿載，LED測(cè)試設(shè)備接單也在6月出現(xiàn)強(qiáng)勁成長(zhǎng)，月增率達(dá)15％，因此6月?tīng)I(yíng)收有機(jī)會(huì)較5月成長(zhǎng)10～20％，第2季營(yíng)收將較首季大增50～60％，營(yíng)運(yùn)明顯走出谷底。旺矽營(yíng)

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2012-06-19

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備 LED測(cè)試晶圓
晶圓技術(shù)幫助實(shí)現(xiàn)更高速度和更低功耗

更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn)，晶圓加工廠商仍可以在小基板上

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-06-18

低功耗電流 FINFET 晶圓
晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn)，晶圓加工廠商仍可以在小基板上

電源
2012-06-17

摩爾定律電流 FINFET 晶圓
力成：2年內(nèi)進(jìn)全球封測(cè)前四大

(記者鐘榮峰新竹15日電)記憶體封測(cè)廠力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，預(yù)估最快2年內(nèi)，力成全年合并營(yíng)業(yè)額規(guī)模，可進(jìn)入全球封測(cè)產(chǎn)業(yè)前四大。力成今天上午在新竹明新科技大學(xué)召開(kāi)股東會(huì)，議事進(jìn)行相當(dāng)順利，不到半小時(shí)股東會(huì)便宣

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2012-06-16

PID SIP CHIP 晶圓
晶圓技術(shù)幫助實(shí)現(xiàn)更高速度和更低功耗

更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn)，晶圓加工廠商仍可以在小基板上

電源
2012-06-15

低功耗電流 FINFET 晶圓
德儀報(bào)喜臺(tái)積聯(lián)電利多晶圓雙雄營(yíng)運(yùn)持續(xù)樂(lè)觀

晶圓雙雄通訊客戶頻頻報(bào)喜，高通釋出28奈米產(chǎn)能已獲滿足，德儀（TI）第2季財(cái)測(cè)優(yōu)于預(yù)期，顯示晶圓雙雄臺(tái)積電（2330）與聯(lián)電營(yíng)運(yùn)多頭未變，股價(jià)再添有利支撐。臺(tái)積電昨日下跌0.8元，收在79.2元。聯(lián)電下跌0.15元，收在

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2012-06-15

通訊聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn)，晶圓加工廠商仍可以在小基板上

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2012-06-15

摩爾定律電流 FINFET 晶圓
晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn)，晶圓加工廠商仍可以在小基板上

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2012-06-15

摩爾定律電流 FINFET 晶圓
晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn)，晶圓加工廠商仍可以在小基板上

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2012-06-15

摩爾定律電流 FINFET 晶圓
新竹強(qiáng)震晶圓破片

新竹縣尖石鄉(xiāng)昨（13）日二度發(fā)生里氏規(guī)模逾4級(jí)地震，一度驚傳晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電位于竹科園區(qū)內(nèi)產(chǎn)線發(fā)生破片狀況，據(jù)了解，影響程度尚在調(diào)查中，并未波及廠商的正常營(yíng)運(yùn)。昨下午4時(shí)22分新竹發(fā)生里氏規(guī)模4.9級(jí)

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2012-06-14

聯(lián)電臺(tái)積電晶圓廠晶圓
三星將在韓興建晶圓工廠生產(chǎn)20nm和14nm芯片

三星電子近日宣布，計(jì)劃在韓國(guó)水原華城興建一座新的晶圓廠，將用來(lái)生產(chǎn)20nm、14nm工藝的移動(dòng)芯片。三星準(zhǔn)備在新工廠身上投資2.25萬(wàn)億韓元，約合122億元人民幣，本月正式破土動(dòng)工，預(yù)計(jì)2013年底建成投產(chǎn)。新工廠將主要

消費(fèi)電子
2012-06-13

三星芯片三星電子晶圓
三星將在韓興建晶圓工廠生產(chǎn)20nm和14nm芯片

三星電子近日宣布，計(jì)劃在韓國(guó)水原華城興建一座新的晶圓廠，將用來(lái)生產(chǎn)20nm、14nm工藝的移動(dòng)芯片。三星準(zhǔn)備在新工廠身上投資2.25萬(wàn)億韓元，約合122億元人民幣，本月正式破土動(dòng)工，預(yù)計(jì)2013年底建成投產(chǎn)。新工廠將主要

消費(fèi)電子
2012-06-13

三星芯片三星電子晶圓
臺(tái)積18寸晶圓最快2015年導(dǎo)入量產(chǎn)

臺(tái)積電11日表示，18寸晶圓會(huì)先在新竹12廠（Fab12）第6期導(dǎo)入研發(fā)試產(chǎn)線，最快2015、2016年在中科15廠第五期（P5）正式導(dǎo)入18寸晶圓廠的量產(chǎn)作業(yè)。臺(tái)積電表示，由于18寸晶圓仍得看設(shè)備與大環(huán)境需求的配合，根據(jù)臺(tái)積電

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2012-06-13

半導(dǎo)體臺(tái)積電晶圓廠晶圓
張忠謀：28納米需求未變?nèi)酰琎3產(chǎn)能仍吃緊

臺(tái)積電(2330)董事長(zhǎng)張忠謀表示，28納米制程需求并未變?nèi)酰?季產(chǎn)能仍將吃緊；公司也將維持穩(wěn)定的股利政策，保留充沛現(xiàn)金用以28納米以上先進(jìn)制程布局。臺(tái)積電今天召開(kāi)股東常會(huì)，張忠謀會(huì)后接受媒體訪問(wèn)時(shí)指出，因內(nèi)

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2012-06-13

Intel 臺(tái)積電 SAMSUNG 晶圓
臺(tái)積18寸晶圓最快2015年導(dǎo)入量產(chǎn)

臺(tái)積電昨（11）日表示，18寸晶圓會(huì)先在新竹12廠（Fab12）第6期導(dǎo)入研發(fā)試產(chǎn)線，最快2015、2016年在中科15廠第五期（P5）正式導(dǎo)入18寸晶圓廠的量產(chǎn)作業(yè)。臺(tái)積電表示，由于18寸晶圓仍得看設(shè)備與大環(huán)境需求的配合，根據(jù)

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2012-06-12

半導(dǎo)體臺(tái)積電晶圓廠晶圓

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晶圓

Gartner：晶圓設(shè)備市場(chǎng)2013恢復(fù)成長(zhǎng)

晶圓與電池價(jià)格維持緩漲格局 Q3實(shí)際出貨仍需觀察

晶圓與電池價(jià)格維持緩漲格局 Q3實(shí)際出貨仍需觀察

晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

8吋重?fù)轿A需求移往亞洲合晶居大中華NO.1

《半導(dǎo)體》旺矽Q2營(yíng)收估增逾5成

晶圓技術(shù)幫助實(shí)現(xiàn)更高速度和更低功耗

晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

力成：2年內(nèi)進(jìn)全球封測(cè)前四大

晶圓技術(shù)幫助實(shí)現(xiàn)更高速度和更低功耗

德儀報(bào)喜臺(tái)積聯(lián)電利多晶圓雙雄營(yíng)運(yùn)持續(xù)樂(lè)觀

晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

新竹強(qiáng)震晶圓破片

三星將在韓興建晶圓工廠生產(chǎn)20nm和14nm芯片

三星將在韓興建晶圓工廠生產(chǎn)20nm和14nm芯片

臺(tái)積18寸晶圓最快2015年導(dǎo)入量產(chǎn)

張忠謀：28納米需求未變?nèi)酰琎3產(chǎn)能仍吃緊

臺(tái)積18寸晶圓最快2015年導(dǎo)入量產(chǎn)

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