
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
半導(dǎo)體矽晶圓廠商合晶 (6182)董事長焦平海19日表示,國際半導(dǎo)體矽晶圓大廠近幾年來陸續(xù)將資源投注重心放在12吋市場,削減其效益不彰的8吋矽晶圓產(chǎn)能,然8吋市場需求熱度不減,尤其半導(dǎo)體制造轉(zhuǎn)往亞洲區(qū)的趨勢明顯,合
旺矽(6223)第2季來接單持續(xù)轉(zhuǎn)強(qiáng),除了晶圓探針卡接單滿載,LED測試設(shè)備接單也在6月出現(xiàn)強(qiáng)勁成長,月增率達(dá)15%,因此6月營收有機(jī)會(huì)較5月成長10~20%,第2季營收將較首季大增50~60%,營運(yùn)明顯走出谷底。 旺矽營
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
(記者鐘榮峰新竹15日電)記憶體封測廠力成董事長蔡篤恭表示,預(yù)估最快2年內(nèi),力成全年合并營業(yè)額規(guī)模,可進(jìn)入全球封測產(chǎn)業(yè)前四大。力成今天上午在新竹明新科技大學(xué)召開股東會(huì),議事進(jìn)行相當(dāng)順利,不到半小時(shí)股東會(huì)便宣
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
晶圓雙雄通訊客戶頻頻報(bào)喜,高通釋出28奈米產(chǎn)能已獲滿足,德儀(TI)第2季財(cái)測優(yōu)于預(yù)期,顯示晶圓雙雄臺(tái)積電(2330)與聯(lián)電營運(yùn)多頭未變,股價(jià)再添有利支撐。臺(tái)積電昨日下跌0.8元,收在79.2元。聯(lián)電下跌0.15元,收在
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
新竹縣尖石鄉(xiāng)昨(13)日二度發(fā)生里氏規(guī)模逾4級(jí)地震,一度驚傳晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電位于竹科園區(qū)內(nèi)產(chǎn)線發(fā)生破片狀況,據(jù)了解,影響程度尚在調(diào)查中,并未波及廠商的正常營運(yùn)。 昨下午4時(shí)22分新竹發(fā)生里氏規(guī)模4.9級(jí)
三星電子近日宣布,計(jì)劃在韓國水原華城興建一座新的晶圓廠,將用來生產(chǎn)20nm、14nm工藝的移動(dòng)芯片。三星準(zhǔn)備在新工廠身上投資2.25萬億韓元,約合122億元人民幣,本月正式破土動(dòng)工,預(yù)計(jì)2013年底建成投產(chǎn)。新工廠將主要
三星電子近日宣布,計(jì)劃在韓國水原華城興建一座新的晶圓廠,將用來生產(chǎn)20nm、14nm工藝的移動(dòng)芯片。三星準(zhǔn)備在新工廠身上投資2.25萬億韓元,約合122億元人民幣,本月正式破土動(dòng)工,預(yù)計(jì)2013年底建成投產(chǎn)。新工廠將主要
臺(tái)積電11日表示,18寸晶圓會(huì)先在新竹12廠(Fab12)第6期導(dǎo)入研發(fā)試產(chǎn)線,最快2015、2016年在中科15廠第五期(P5)正式導(dǎo)入18寸晶圓廠的量產(chǎn)作業(yè)。臺(tái)積電表示,由于18寸晶圓仍得看設(shè)備與大環(huán)境需求的配合,根據(jù)臺(tái)積電
臺(tái)積電(2330)董事長張忠謀表示,28納米制程需求并未變?nèi)?,?季產(chǎn)能仍將吃緊;公司也將維持穩(wěn)定的股利政策,保留充沛現(xiàn)金用以28納米以上先進(jìn)制程布局。 臺(tái)積電今天召開股東常會(huì),張忠謀會(huì)后接受媒體訪問時(shí)指出,因內(nèi)
臺(tái)積電昨(11)日表示,18寸晶圓會(huì)先在新竹12廠(Fab12)第6期導(dǎo)入研發(fā)試產(chǎn)線,最快2015、2016年在中科15廠第五期(P5)正式導(dǎo)入18寸晶圓廠的量產(chǎn)作業(yè)。臺(tái)積電表示,由于18寸晶圓仍得看設(shè)備與大環(huán)境需求的配合,根據(jù)
臺(tái)積電昨(11)日表示,18寸晶圓會(huì)先在新竹12廠(Fab12)第6期導(dǎo)入研發(fā)試產(chǎn)線,最快2015、2016年在中科15廠第五期(P5)正式導(dǎo)入18寸晶圓廠的量產(chǎn)作業(yè)。 臺(tái)積電表示,由于18寸晶圓仍得看設(shè)備與大環(huán)境需求的配合,根
行政院經(jīng)濟(jì)建設(shè)委員會(huì)今天(11日)召開委員會(huì)議,通過中部科學(xué)園區(qū)臺(tái)中園區(qū)擴(kuò)建案,即臺(tái)灣積體電路制造公司將在此興建18寸晶圓廠,預(yù)計(jì)民國103年(2014年)進(jìn)駐設(shè)廠,投入新臺(tái)幣約4000億元。 經(jīng)建會(huì)表示,有鑒于中科臺(tái)
晶圓雙雄臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)、聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)股東會(huì)預(yù)定明日登場;基于宏觀經(jīng)濟(jì)下行風(fēng)險(xiǎn)影響,外資法人關(guān)注庫存水位攀升、夏季用電以及新廠產(chǎn)能開出與行動(dòng)裝置等需求帶動(dòng)等二壞二好因素對(duì)于二者在下半年