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晶圓

我要報(bào)錯(cuò)
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

  • 晶圓雙雄5月營(yíng)收將報(bào)喜

    晶圓雙雄公布5月營(yíng)收，預(yù)料將雙喜臨門，臺(tái)積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高，聯(lián)電則步入40與28納米收割期，法人預(yù)估5月營(yíng)收繼續(xù)站穩(wěn)90億元，有機(jī)會(huì)叩關(guān)百億元，創(chuàng)17個(gè)月來新高，第2季超越財(cái)測(cè)可期。目前臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者中，單月營(yíng)

  • TrendForce：兩岸晶圓價(jià)差成未來關(guān)注重點(diǎn)

    6月7日消息，繼上周電池價(jià)格走勢(shì)出現(xiàn)兩極化的現(xiàn)象后，本周晶圓價(jià)格也呈現(xiàn)類似的情況。根據(jù)TrendForce旗下分析部門EnergyTrend的調(diào)查顯示，本周中國(guó)廠商電池價(jià)格維持在低檔盤整的局面，但臺(tái)灣廠商接單狀況仍然維持不墜

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  • 晶圓雙雄5月營(yíng)收將報(bào)喜

    晶圓雙雄公布5月營(yíng)收，預(yù)料將雙喜臨門，臺(tái)積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高，聯(lián)電則步入40與28納米收割期，法人預(yù)估5月營(yíng)收繼續(xù)站穩(wěn)90億元，有機(jī)會(huì)叩關(guān)百億元，創(chuàng)17個(gè)月來新高，第2季超越財(cái)測(cè)可期。目前臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者中，單月營(yíng)

  • 晶圓雙雄 Q3掛「蘋安符」

    蘋果強(qiáng)攻新iPad及iPhone5，第3季拉貨動(dòng)起來，包括手機(jī)芯片、影像傳感器、無線網(wǎng)通芯片等龐大半導(dǎo)體元件需求，7月將大舉備料，為臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電、世界先進(jìn)、日月光、矽品、京元電、力成、華東等半導(dǎo)體帶來強(qiáng)勁訂

  • 京元電5月營(yíng)收增4.66%

    IC晶圓和成品測(cè)試廠京元電自結(jié)5月營(yíng)收新臺(tái)幣10.5億元，較4月10.04億元成長(zhǎng)4.66%，比去年同期9.5億元成長(zhǎng)10.52%。 中央社臺(tái)北7日?qǐng)?bào)導(dǎo)指出，累計(jì)今年前5月京元電自結(jié)營(yíng)收47.82億元，較去年同期48.38億元微減1.15%。

  • IC芯片的晶圓級(jí)射頻(RF)測(cè)試分析

    　對(duì)于超薄介質(zhì)，由于存在大的漏電和非線性，通過標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而，使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn)，對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電路

  • 聯(lián)電5月營(yíng)收92.06億元連2月站上90億元大關(guān)

    晶圓雙雄今(??8)日同步公告5月營(yíng)收。聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)自結(jié)5月營(yíng)收新臺(tái)幣92.06億元，月增0.89%，連2月站上90億元大關(guān)；而與去年同期相比則減2.06% 。聯(lián)電自結(jié)4月營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣91.24億元，創(chuàng)近10個(gè)月來單月營(yíng)收新高

  • 晶圓雙雄 營(yíng)收將報(bào)喜

    晶圓雙雄5月營(yíng)收今（8）日公布5月營(yíng)收，預(yù)料將雙喜臨門，臺(tái)積電（2330）可望續(xù)創(chuàng)歷史新高，聯(lián)電則步入40與28納米收割期，法人預(yù)估5月營(yíng)收繼續(xù)站穩(wěn)90億元，有機(jī)會(huì)叩關(guān)百億元，創(chuàng)17個(gè)月來新高，第2季超越財(cái)測(cè)可期。目前

  • 晶圓雙雄 營(yíng)收將報(bào)喜

    晶圓雙雄5月營(yíng)收今（8）日公布5月營(yíng)收，預(yù)料將雙喜臨門，臺(tái)積電（2330）可望續(xù)創(chuàng)歷史新高，聯(lián)電則步入40與28納米收割期，法人預(yù)估5月營(yíng)收繼續(xù)站穩(wěn)90億元，有機(jī)會(huì)叩關(guān)百億元，創(chuàng)17個(gè)月來新高，第2季超越財(cái)測(cè)可期。 目

  • 晶圓雙雄 營(yíng)收將報(bào)喜

    晶圓雙雄5月營(yíng)收今（8）日公布5月營(yíng)收，預(yù)料將雙喜臨門，臺(tái)積電（2330）可望續(xù)創(chuàng)歷史新高，聯(lián)電則步入40與28奈米收割期，法人預(yù)估5月營(yíng)收繼續(xù)站穩(wěn)90億元，有機(jī)會(huì)叩關(guān)百億元，創(chuàng)17個(gè)月來新高，第2季超越財(cái)測(cè)可期。

  • 半導(dǎo)體獲利 瑞信下修 臺(tái)積、聯(lián)電Q3每股純益估1.78元、0.32元

    愈來愈多外資提出對(duì)第3季半導(dǎo)體景氣看法保守的觀點(diǎn)，瑞信證券臺(tái)股研究部主管艾藍(lán)迪（Randy Abrams）表示，第3季總體經(jīng)濟(jì)帶來風(fēng)險(xiǎn)，因此對(duì)臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電（2303）、矽品（2325）、日月光（2311）等四檔重量級(jí)半

  • 高盛調(diào)降晶圓雙雄投資評(píng)等

    外資圈對(duì)歐債危機(jī)，導(dǎo)致全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)趨緩、恐迫使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫(kù)存水位攀升的疑慮越來越高，美商高盛證券半導(dǎo)體分析師呂東風(fēng)昨（1）日將臺(tái)積電與聯(lián)電投資評(píng)等分別調(diào)降至「中立」與「賣出」，目標(biāo)價(jià)分別為80與12元。

  • 12類半導(dǎo)體晶圓設(shè)備未經(jīng)許可登陸仍罰

    經(jīng)濟(jì)部國(guó)貿(mào)局近日修正輸往中國(guó)大陸的戰(zhàn)略性高科技貨品（SHTC）管制項(xiàng)目，國(guó)貿(mào)局長(zhǎng)卓士昭昨（31）日表示，SHTC管制出口地將中國(guó)大陸除名，不過，廠商如果未經(jīng)許可出口12類半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備至大陸，仍將遭受刑事處罰

  • 新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析

    本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo

  • 新研發(fā)定向自組裝技術(shù)掃清14nm節(jié)點(diǎn)障礙

    由半導(dǎo)體研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所資助的一個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)日前宣布，已經(jīng)開發(fā)出一種新穎的自組裝技術(shù)，該技術(shù)之前僅在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，但現(xiàn)在已經(jīng)能針對(duì)14nm半導(dǎo)體工藝完善地建立所需的不規(guī)則圖案了。

  • 精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

    電阻值的測(cè)量通常比較簡(jiǎn)單。但是，對(duì)于非常小阻值的測(cè)量，我們必須謹(jǐn)慎對(duì)待我們所做的假定。對(duì)于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y(cè)量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使

  • 新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底 大幅降低LED生產(chǎn)成本

    據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED

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