晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

專家精講：制備高亮度LED的等離子刻蝕技術(shù)

1、簡(jiǎn)介每個(gè)HBled制造商的目標(biāo)都是花更少的錢獲得更多的光輸出。面對(duì)強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)和眾多技術(shù)障礙，至關(guān)重要的是所有的生產(chǎn)步驟的推進(jìn)都要產(chǎn)生最佳的效果。優(yōu)化的等離子刻蝕提供了幾種方法以改善器件的輸出并降低制造成

顯示光電
2012-05-03

LED 等離子晶圓 HB
SEMI：2012年全球光罩市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)33.5億美元

SEMI 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，全球光罩(photomask)市場(chǎng)規(guī)模可在 2012年達(dá)到33.5億美元，較 2011年成長(zhǎng)7%；該市場(chǎng)規(guī)模數(shù)字意味著光罩市場(chǎng)連續(xù)第三年創(chuàng)營收新高紀(jì)錄，SEMI并預(yù)測(cè)2013年與2014年該市場(chǎng)將各成長(zhǎng)4%與3%。根據(jù)SEMI

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2012-05-03

先進(jìn)制程 SEMI PHOTO 晶圓
格羅方德晶圓八廠實(shí)現(xiàn)20奈米3D晶片制程技術(shù)

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布新技術(shù)，將可為新一代的行動(dòng)與消費(fèi)性應(yīng)用實(shí)現(xiàn)三維(3D)晶片堆疊，位于紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產(chǎn)工具，可在半導(dǎo)體晶圓上建立矽穿孔(TSV)技術(shù)，作業(yè)于20奈米技術(shù)平臺(tái)上

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2012-05-03

晶片格羅方德制程技術(shù) 晶圓
用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級(jí)有源像素CMOS圖像傳感器

I．介紹需要大面積光電探測(cè)器陣列的應(yīng)用通常使用基于無定形光電探測(cè)器（即無定型硅或無定型硒）的固體靜態(tài)探測(cè)器，使設(shè)備的電子性能受到限制。最近幾年來，這類傳感器已在各種X射線應(yīng)用中得到了廣泛使用，如乳房X線照

醫(yī)療電子
2012-05-02

CMOS圖像傳感器 X射線 BSP 晶圓
MEMS創(chuàng)新工藝解決微型MEMS的無縫互連挑戰(zhàn)

如果你正在尋求挑戰(zhàn)，那么就試試將微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)IC 和傳統(tǒng)IC 以及其它MEMS IC互連吧。MEMS 技術(shù)涉及到許多不同功能之間的高層集成。MEMS 芯片的集成通常是指電子和機(jī)械功能的集成。那么這種工藝的最終目標(biāo)是什么呢

醫(yī)療電子
2012-05-02

微型 MEMS 晶圓
搶攻節(jié)能商機(jī)日本產(chǎn)官學(xué)合組SiC晶片研發(fā)團(tuán)隊(duì)

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所(產(chǎn)總研)27日發(fā)布新聞稿宣布，攜手富士電機(jī)(FujiElectric)、住友電工(SumitomoElectricIndustries)、ALVAC等16家日本企業(yè)設(shè)立的電源控制晶片共同研發(fā)團(tuán)隊(duì)「TsukubaPower-ElectronicsConstella

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2012-05-02

晶片電力 SIC 晶圓
崇越1Q業(yè)績(jī)

崇越為信越半導(dǎo)體矽晶圓、光阻液等材料獨(dú)家代理商，第1季由于臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能滿載，拉升單一營收新臺(tái)幣至30.8億元，比起上季僅下滑1%，年減12.63%；毛利率12.3%，也比起上季提升2.23個(gè)百分點(diǎn)，但與2011年同期的13

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2012-05-02

半導(dǎo)體臺(tái)積電 EPS 晶圓
臺(tái)積電調(diào)高資本支出加速20nm制程

臺(tái)積電(TSMC)日前發(fā)布2012年第一季營收表現(xiàn)以及針對(duì)第二季的營運(yùn)展望，同時(shí)也宣布將調(diào)高2012年計(jì)劃的資本支出至80-85億美元，以因應(yīng)對(duì)于28nm制程的市場(chǎng)需求，以及加速建置20nm制程產(chǎn)能。臺(tái)積電表示，由于市場(chǎng)對(duì)于28n

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2012-05-02

臺(tái)積電制程技術(shù) QUALCOMM 晶圓
NAND Flash的應(yīng)用推動(dòng)18寸晶圓的誕生

因?yàn)楹馁M(fèi)成本高，所以過去2年業(yè)界都不看好18寸晶圓，設(shè)備商也不愿意在開發(fā)相關(guān)機(jī)臺(tái)上投資，而Global 450 Consortium聯(lián)盟的形成，加上SSD需求崛起，NAND Flash將會(huì)有大消耗，而臺(tái)積電、英特爾、三星態(tài)度也越來越明朗

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2012-05-01

Flash 晶圓廠 NAND 晶圓
專家精講：制備高亮度LED的等離子刻蝕技術(shù)

1、簡(jiǎn)介每個(gè)HBled制造商的目標(biāo)都是花更少的錢獲得更多的光輸出。面對(duì)強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)和眾多技術(shù)障礙，至關(guān)重要的是所有的生產(chǎn)步驟的推進(jìn)都要產(chǎn)生最佳的效果。優(yōu)化的等離子刻蝕提供了幾種方法以改善器件的輸出并降低制造成

數(shù)字電源
2012-05-01

LED 等離子晶圓 HB
臺(tái)積電報(bào)佳音封測(cè)雙雄搶先機(jī)

半導(dǎo)體大廠法說會(huì)報(bào)佳音，晶圓教父臺(tái)積電（2330）董事長(zhǎng)張忠謀看好半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)后市，釋出調(diào)升資本支出為80到85億美元的題材，封測(cè)雙雄日月光（2311 ）及矽品（2325）景氣亦被看好受惠連動(dòng)成長(zhǎng)，相關(guān)權(quán)證可望搶得先機(jī)

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2012-04-30

封裝臺(tái)積電晶圓
◆看好需求封測(cè)雙雄搶高階封裝

智慧型手機(jī)和平板電腦帶動(dòng)高階晶片封測(cè)需求，日月光和矽品為積極擴(kuò)展高階封裝產(chǎn)能，今年上修資本支出規(guī)模，集中投入在第2季和第3季，同時(shí)調(diào)高今年高階封裝產(chǎn)能。封測(cè)雙雄日月光(2311)和矽品(2325)對(duì)第2季開始市場(chǎng)

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2012-04-30

通訊晶片封裝晶圓
世界先進(jìn)估Q2晶圓出貨季增44-46% 毛利率27-29%

世界先進(jìn)(5327)今(27日)召開法說會(huì)，展望第二季，總經(jīng)理方略指出，受益于供應(yīng)鏈歷經(jīng)幾季的庫存調(diào)整告一段落，客戶開始為旺季備貨，加上新客戶、新產(chǎn)品的加持，世界第二季晶圓出貨量可望季增44-46%，稼動(dòng)率也可望升至

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2012-04-28

微米驅(qū)動(dòng)IC 晶圓
世界先進(jìn)估Q2晶圓出貨季增44-46% 毛利率27-29%

世界先進(jìn) (5327)今(27日)召開法說會(huì)，展望第二季，總經(jīng)理方略指出，受益于供應(yīng)鏈歷經(jīng)幾季的庫存調(diào)整告一段落，客戶開始為旺季備貨，加上新客戶、新產(chǎn)品的加持，世界第二季晶圓出貨量可望季增44-46%，稼動(dòng)率也可望升至

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2012-04-28

微米驅(qū)動(dòng)IC 晶圓
《業(yè)績(jī)-半導(dǎo)體》日月光首季EPS 0.31元

日月光(2311)今天舉行第1季法人說明會(huì)，第1季合并營收431.01億元，季減7%；第1季每股稅后盈余(EPS)0.31元，較去年第四季0.4元減少0.09元，比去年同期減少0.27元。日月光表示，第1季封裝業(yè)務(wù)第1季營收235.42億元，毛

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2012-04-28

半導(dǎo)體通訊 EPS 晶圓
《半導(dǎo)體》日月光董宏思：今年資本支出逾8億美元

日月光(2311)財(cái)務(wù)長(zhǎng)董宏思今天出席法說會(huì)表示，今年資本支出將達(dá)到8億美元，比原先預(yù)估7~7.5億美元之間還高，主要擴(kuò)充銅打線機(jī)臺(tái)及8寸和12寸凸塊晶圓封裝制程。董宏思表示，日月光今年資本支出上修至8億美元以上，

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2012-04-28

半導(dǎo)體測(cè)試機(jī) IC封裝晶圓
訂單滿手臺(tái)積電早盤罕見亮燈漲停聯(lián)電漲逾3%

晶圓雙雄法說釋出第二季正面訊息，臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今天早盤還原權(quán)值再創(chuàng)歷史新高，早盤強(qiáng)漲逾3%，緊追昨ADR漲幅，一度亮燈漲停，但稍后打開，分析師指出今天臺(tái)積電股價(jià)波動(dòng)劇烈，將使大盤量能放大、并成盤面

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2012-04-27

通訊聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
世界先進(jìn)估Q2出貨季增44-46% 毛利率增逾2倍上看29%

繼晶圓雙雄釋出對(duì)第二季市場(chǎng)正面訊息，世界先進(jìn)(5347-TW)今(27)日于法人說明會(huì)中對(duì)第二季市場(chǎng)的看法也略優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。世界先進(jìn)預(yù)估，受惠于庫存回補(bǔ)以及新客戶需求，第二季出貨將季增44-46%，毛利率增逾2倍上看29%。

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2012-04-27

BLENDED 晶圓
NVIDIA期盼450毫米晶圓或牽手三星

在最近舉行的MentorGraphics用戶大會(huì)上，NVIDIAVLSI(超大規(guī)模集成電路)工程副總裁SameerHalepete發(fā)表主題演講，公開探討了半導(dǎo)體行業(yè)面臨的一些難關(guān)，并呼吁晶圓尺寸盡快從300毫米過渡到450毫米。SameerHalepete表示

消費(fèi)電子
2012-04-27

NVIDIA 三星 TEGRA 晶圓
智能手機(jī)引導(dǎo)低功耗潮流　Soitec矽晶圓成要角

王怡蘋／新竹智慧型手機(jī)引領(lǐng)市場(chǎng)潮流，低功耗、低成本成為IC設(shè)計(jì)重點(diǎn)，半導(dǎo)體材料的進(jìn)化也成為趨勢(shì)，絕緣層上覆矽(SOI)晶圓供應(yīng)商Soitec則針對(duì)28以至11奈米先進(jìn)制程，發(fā)展全耗盡(FD)技術(shù)的SOI晶圓，可降低IC功耗、并

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2012-04-27

低功耗智能手機(jī) TE 晶圓

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晶圓

專家精講：制備高亮度LED的等離子刻蝕技術(shù)

SEMI：2012年全球光罩市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)33.5億美元

格羅方德晶圓八廠實(shí)現(xiàn)20奈米3D晶片制程技術(shù)

用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級(jí)有源像素CMOS圖像傳感器

MEMS創(chuàng)新工藝解決微型MEMS的無縫互連挑戰(zhàn)

搶攻節(jié)能商機(jī)日本產(chǎn)官學(xué)合組SiC晶片研發(fā)團(tuán)隊(duì)

崇越1Q業(yè)績(jī)

臺(tái)積電調(diào)高資本支出加速20nm制程

NAND Flash的應(yīng)用推動(dòng)18寸晶圓的誕生

專家精講：制備高亮度LED的等離子刻蝕技術(shù)

臺(tái)積電報(bào)佳音封測(cè)雙雄搶先機(jī)

◆看好需求封測(cè)雙雄搶高階封裝

世界先進(jìn)估Q2晶圓出貨季增44-46% 毛利率27-29%

世界先進(jìn)估Q2晶圓出貨季增44-46% 毛利率27-29%

《業(yè)績(jī)-半導(dǎo)體》日月光首季EPS 0.31元

《半導(dǎo)體》日月光董宏思：今年資本支出逾8億美元

訂單滿手臺(tái)積電早盤罕見亮燈漲停聯(lián)電漲逾3%

世界先進(jìn)估Q2出貨季增44-46% 毛利率增逾2倍上看29%

NVIDIA期盼450毫米晶圓或牽手三星

智能手機(jī)引導(dǎo)低功耗潮流　Soitec矽晶圓成要角

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