晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底大幅降低LED生產(chǎn)成本

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED

顯示光電
2012-05-30

LED 照明晶圓基板
新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底大幅降低LED生產(chǎn)成本

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED

消費(fèi)電子
2012-05-30

LED 照明晶圓基板
新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo

功率器件
2012-05-30

軟開關(guān) IGBT RC 晶圓
新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底大幅降低LED生產(chǎn)成本

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-05-29

LED 照明晶圓基板
砸34億美元三星加碼非記憶體晶片

南韓三星電子日前宣布，計(jì)劃在其晶片生產(chǎn)作業(yè)集中的京畿道華城，投資4兆韓元（約34億美元）興建一座新的非記憶體晶片廠。因?yàn)樵谥腔坌褪謾C(jī)和平板電腦等需求帶動(dòng)下，非記憶體晶片將是三星下一個(gè)金雞母。這座新廠將成為

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2012-05-28

DRAM 三星晶片晶圓
砸34億美元三星加碼非記憶體晶片

南韓三星電子日前宣布，計(jì)劃在其晶片生產(chǎn)作業(yè)集中的京畿道華城，投資4兆韓元（約34億美元）興建一座新的非記憶體晶片廠。因?yàn)樵谥腔坌褪謾C(jī)和平板電腦等需求帶動(dòng)下，非記憶體晶片將是三星下一個(gè)金雞母。這座新廠將

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2012-05-28

DRAM 三星晶片晶圓
精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

電阻值的測(cè)量通常比較簡(jiǎn)單。但是，對(duì)于非常小阻值的測(cè)量，我們必須謹(jǐn)慎對(duì)待我們所做的假定。對(duì)于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y(cè)量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使

功率器件
2012-05-28

器件導(dǎo)通電阻功率MOSFET 晶圓
新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底大幅降低LED生產(chǎn)成本

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-05-28

LED 照明晶圓基板
SEMI：南韓12寸晶圓 2012年成長(zhǎng)10%以上

國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)（SEMI）表示，近10年來，韓國的半導(dǎo)體投資一直呈現(xiàn)穩(wěn)定成長(zhǎng)的趨勢(shì)，尤其在Samsung與Hynix在記憶體領(lǐng)域的強(qiáng)勢(shì)領(lǐng)導(dǎo)下。韓國12寸晶圓的產(chǎn)能從2002年起迅速成長(zhǎng)，2011年有9%的成長(zhǎng)率，而2012年

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2012-05-27

半導(dǎo)體設(shè)備 SEMI SAMSUNG 晶圓
LED銷售額：2020將12倍于2012

國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)(SEMI)日前發(fā)表研究報(bào)告指出，全球LED制造設(shè)備支出在2011年大增36%后，預(yù)期2012年將會(huì)下滑18%。該機(jī)構(gòu)并表示，2012年全球LED月產(chǎn)能將會(huì)達(dá)200萬片晶圓(以4?晶圓來計(jì)算)，較2011年上升27%。根據(jù)

顯示光電
2012-05-22

半導(dǎo)體設(shè)備 SEMI LED 晶圓
LED銷售額：2020將12倍于2012

國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)(SEMI)日前發(fā)表研究報(bào)告指出，全球LED制造設(shè)備支出在2011年大增36%后，預(yù)期2012年將會(huì)下滑18%。該機(jī)構(gòu)并表示，2012年全球LED月產(chǎn)能將會(huì)達(dá)200萬片晶圓(以4?晶圓來計(jì)算)，較2011年上升27%。根據(jù)

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-05-20

半導(dǎo)體設(shè)備 SEMI LED 晶圓
中芯擬夥京政府組合資

香港文匯報(bào)訊（記者劉璇）中芯國際（0981）宣布，與北京市政府計(jì)劃成立合資企業(yè)，擴(kuò)大中芯國際的生產(chǎn)設(shè)施。北京經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)、北京開發(fā)區(qū)管委會(huì)，與該公司全資附屬公司中芯北京將于今日訂立無法律約束力的合作

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2012-05-18

中芯國際中芯軟件晶圓
中芯攜手北京市府晶圓擴(kuò)產(chǎn)

大陸晶圓代工龍頭中芯國際，擬與北京市政府組建晶圓生產(chǎn)的合資企業(yè)，建設(shè)中芯北京二期項(xiàng)目；雙方在昨（15）日簽署框架協(xié)議，目標(biāo)12寸晶圓月產(chǎn)能達(dá)7萬片。中芯國際在港交所公告指出，中芯北京已和北京市經(jīng)濟(jì)和信息化委

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2012-05-17

中芯國際中芯電路晶圓
中芯國際擬與北京市政府組建合資企業(yè)

中國內(nèi)地產(chǎn)能最大的芯片生產(chǎn)商中芯國際公告表示，公司周二與北京經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)、北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽訂無法律約束力的合作框架文件，共同組建合資企業(yè)，在北京開發(fā)12英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)施，重點(diǎn)生產(chǎn)45至

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2012-05-17

半導(dǎo)體中芯國際軟件晶圓
中芯攜手北京市府晶圓擴(kuò)產(chǎn)

大陸晶圓代工龍頭中芯國際，擬與北京市政府組建晶圓生產(chǎn)的合資企業(yè)，建設(shè)中芯北京二期項(xiàng)目；雙方在昨（15）日簽署框架協(xié)議，目標(biāo)12寸晶圓月產(chǎn)能達(dá)7萬片。中芯國際在港交所公告指出，中芯北京已和北京市經(jīng)濟(jì)和信息化委

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2012-05-16

中芯國際中芯電路晶圓
中芯國際擬成立合資公司擴(kuò)大產(chǎn)能

5月15日上午消息，中芯國際今天披露，公司全資子公司中芯北京將與北京經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)、北京開發(fā)區(qū)管委會(huì)成立合資公司，重點(diǎn)生產(chǎn)45至20納米集成電路。合資公司股權(quán)比例暫未公開。中芯國際今天在港交所發(fā)布公告稱，

消費(fèi)電子
2012-05-16

中芯國際芯片集成電路行業(yè) 晶圓
中芯國際二零一二年第一季度業(yè)績(jī)公布

中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2012年3月31日止三個(gè)月的綜合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)。所有貨幣以美元列賬，除非特別指明。報(bào)告內(nèi)的財(cái)務(wù)報(bào)表數(shù)額按美國公認(rèn)會(huì)計(jì)原則厘定。二零一二年第一季摘要二零一二年第一季的總銷售額由二

消費(fèi)電子
2012-05-16

中芯國際移動(dòng)電話芯片晶圓
中芯攜手北京市府晶圓擴(kuò)產(chǎn)

大陸晶圓代工龍頭中芯國際，擬與北京市政府組建晶圓生產(chǎn)的合資企業(yè)，建設(shè)中芯北京二期項(xiàng)目；雙方在昨（15）日簽署框架協(xié)議，目標(biāo)12寸晶圓月產(chǎn)能達(dá)7萬片。中芯國際在港交所公告指出，中芯北京已和北京市經(jīng)濟(jì)和信息

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2012-05-16

中芯國際中芯電路晶圓
中芯國際二零一二年第一季度業(yè)績(jī)公布

中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2012年3月31日止三個(gè)月的綜合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)。所有貨幣以美元列賬，除非特別指明。報(bào)告內(nèi)的財(cái)務(wù)報(bào)表數(shù)額按美國公認(rèn)會(huì)計(jì)原則厘定。二零一二年第一季摘要二零一二年第一季的總銷售額由二

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2012-05-15

中芯國際移動(dòng)電話芯片晶圓
探針卡簡(jiǎn)化測(cè)試和替換流程

存儲(chǔ)器件持續(xù)不斷的降價(jià)壓力要求降低測(cè)試成本。很多公司通過同時(shí)測(cè)試更多的器件來提高吞吐率。過去的幾年里，測(cè)試探針卡的發(fā)展允許平行測(cè)試更多的器件——同時(shí)可測(cè)的待測(cè)器件（DUT）數(shù)量從32到64到128不斷

測(cè)試測(cè)量
2012-05-14

器件 MDASH HARMONY 晶圓

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晶圓

新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底大幅降低LED生產(chǎn)成本

新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底大幅降低LED生產(chǎn)成本

新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析

新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底大幅降低LED生產(chǎn)成本

砸34億美元三星加碼非記憶體晶片

砸34億美元三星加碼非記憶體晶片

精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底大幅降低LED生產(chǎn)成本

SEMI：南韓12寸晶圓 2012年成長(zhǎng)10%以上

LED銷售額：2020將12倍于2012

LED銷售額：2020將12倍于2012

中芯擬夥京政府組合資

中芯攜手北京市府晶圓擴(kuò)產(chǎn)

中芯國際擬與北京市政府組建合資企業(yè)

中芯攜手北京市府晶圓擴(kuò)產(chǎn)

中芯國際擬成立合資公司擴(kuò)大產(chǎn)能

中芯國際二零一二年第一季度業(yè)績(jī)公布

中芯攜手北京市府晶圓擴(kuò)產(chǎn)

中芯國際二零一二年第一季度業(yè)績(jī)公布

探針卡簡(jiǎn)化測(cè)試和替換流程

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