美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目標在于提升汽車、能源、工業(yè)及通信系統(tǒng)中高頻應(yīng)用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用了Vishay最新一代碳化硅(SiC)MOSFET，并且以行業(yè)標準的SOT-227形式進行封裝。

此次推出的每個功率模塊都采用單開關(guān)和低邊斬波器配置，內(nèi)置的SiC MOSFET集成了軟體二極管，可實現(xiàn)低反向恢復(fù)特性。這種設(shè)計降低了開關(guān)損耗，提高了效率，可適用于太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電器、SMPS、直流/直流轉(zhuǎn)換器、不間斷電源(UPS)、暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、大規(guī)模電池儲能系統(tǒng)以及通信電源設(shè)備等領(lǐng)域。

VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用緊湊型的SOT-227封裝，使得這些器件能夠作為現(xiàn)有設(shè)計中競品的“即插即用”型替代方案。這樣，設(shè)計人員無需對PCB布局進行更改，即可采用最新的SiC技術(shù)，從而節(jié)省成本。模壓封裝還可提供高達2500 V(一分鐘)的電氣絕緣，通過消除組件與散熱器之間對額外絕緣措施的需求，進一步降低了成本。

這些功率模塊提供50 A至200 A的連續(xù)漏極電流，導(dǎo)通電阻低至12.1 mW。這些器件符合RoHS標準，具備低電容高速開關(guān)特性，并可支持+175 °C的最高工作結(jié)溫。