節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能
通過(guò)新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù)
面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系統(tǒng)穩(wěn)健性
器件可完全避免尖峰和脈沖的影響
雙MOSFET器件通過(guò)節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性,簡(jiǎn)化汽車(chē)電磁閥控制電路。
展覽面積在200平方米以上的Nexperia展臺(tái)位于4.1館,展位號(hào)為4.1A4-002
“ASFET”采用專(zhuān)為特定應(yīng)用量身定制的MOSFET參數(shù)
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的DFN2020D-6器件可節(jié)省90%PCB空間;可焊性側(cè)面可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)并提高可靠性
具有超寬差分通帶的高效組合功能的器件
Nijmegen -- 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的120 V、150 V和200 V設(shè)備兼具肖特基和快速恢復(fù)二極管的最佳屬性
具備行業(yè)基準(zhǔn)性能的器件,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),可保護(hù)信息娛樂(lè)、多媒體和ADAS系統(tǒng)。
liqinglong1023