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文章數(shù)893
  • 巨磁阻多圈位置傳感器的磁體設計

    基于巨磁阻(GMR)傳感技術的真正上電多圈傳感器必將徹底改變工業(yè)和汽車用例中的位置傳感市場,因為與現(xiàn)有解決方案相比,其系統(tǒng)復雜性和維護要求更低。本文說明了設計磁性系統(tǒng)時必須考慮的一些關鍵因素,以確保在要求嚴苛的應用中也能可靠運行。其中還介紹了一種磁性參考設計,方便早期采用該技術。在上一篇文章中,我們介紹了多圈傳感技術以及一些關鍵應用領域,例如機器人、編碼器和線控轉向系統(tǒng)。

  • 先進電氣化技術加速實現(xiàn)可持續(xù)交通

    電動交通和可持續(xù)能源生態(tài)系統(tǒng)如何為電動汽車(EV)車主創(chuàng)造和提供更大的價值?ADI公司的電氣化解決方案產(chǎn)品系列ADI Recharge?給出了新的定義。ADI Recharge改善了電動汽車操作,并提高了電池的全壽命價值,最終有助于降低電動汽車的總擁有成本。ADI正攜手OEM、一級供應商、電池制造商、電力公司和其他利益相關方,利用電動汽車電池數(shù)據(jù)構建一個前所未有的信息生態(tài)系統(tǒng)。

  • 可穿戴溫度傳感器應用的剛柔結合電路設計考慮因素

    本文是開發(fā)測量核心體溫( CBT )傳感器產(chǎn)品的剛柔結合電路板的通用設計指南,可應用于多種高精度(±0.1°C)溫度檢測應用。

  • 釋放開源評估平臺的潛力,制作超聲發(fā)射子系統(tǒng)的原型

    本文討論了開發(fā)先進超聲設備所面臨的挑戰(zhàn)。利用現(xiàn)有評估平臺既可降低系統(tǒng)開發(fā)成本,也可縮短超聲系統(tǒng)發(fā)射模塊的特性測試時間。本文介紹了如何同步多個通道的分步過程,這是波束控制的一個關鍵概念,也是醫(yī)學成像所特有的概念。

  • 如何設計電池充電速度快4倍的安全可穿戴設備

    本文將介紹模擬真無線立體聲(TWS)耳機應用電源架構的參考設計。它能將應用的快速充電速度提高近4倍,同時優(yōu)化解決方案尺寸和系統(tǒng)BOM成本。使用熱敏電阻和熱成像測量得出的測試結果顯示,與傳統(tǒng)解決方案相比溫度更低。該設計展示了采用單電感、多輸出(SIMO)架構且具有自動裕量跟蹤功能的解決方案所提供的眾多優(yōu)勢。

  • SPICE與IBIS:為電路仿真選擇更合適的模型

    隨著電路仿真技術在原型設計行業(yè)的不斷普及,仿真模型可能成為廣大終端市場客戶的一項關鍵需求。SPICE和IBIS模型是非常受歡迎的兩種仿真模型,有助于在電路板開發(fā)的原型設計階段節(jié)省成本。本文將介紹SPICE與IBIS建模系統(tǒng)的區(qū)別,以及在制造電路板之前進行測試的重要意義。將討論如何根據(jù)電路設計選擇合適的模型。此外還將分析一些示例使用場景和常用的仿真工具,如LTspice? 和HyperLynx?。

  • 學子專區(qū)—ADALM2000實驗:IC溫度傳感器

    本實驗活動的目標是使用集成電路溫度傳感器測量環(huán)境溫度,這些溫度傳感器提供與絕對溫度成比例的輸出(電流或電壓)。

  • 如何利用電壓輸入到輸出控制自動優(yōu)化LDO穩(wěn)壓器的效率

    低壓差(LDO)穩(wěn)壓器是為噪聲敏感設備供電的可靠工具。除了提供直接電源軌外,LDO穩(wěn)壓器還能對其他電源進行后置調(diào)節(jié)。來自開關轉換器的噪聲會滲透到許多設計中,通常需要下游LDO穩(wěn)壓器來消除噪聲。LDO穩(wěn)壓器雖然有效,但其功耗可能對系統(tǒng)效率產(chǎn)生負面影響。專門設計的電壓輸入到輸出控制(VIOC)引腳可通過單一連接降低功耗并提高效率。VIOC引入了對開關轉換器的自動控制,可使系統(tǒng)實現(xiàn)出色效率。本文重點介紹一款超低噪聲LDO穩(wěn)壓器,其性能優(yōu)于無VIOC的LDO穩(wěn)壓器。

  • 利用USB-C實現(xiàn)并聯(lián)電池充電如何幫助提升用戶體驗

    USB-C端口比之前的USB端口更加靈活,逐漸成為消費電子設備的標配。在這些設備中,更大功率和更長壽命的設備越來越受歡迎。因此,以更高的功率水平為這些設備充電的需求也隨之增長。本文將介紹并聯(lián)電池充電架構的基礎知識和用例,以及將USB-C集成到這些用例中的實際效果。此外,本文還會介紹并聯(lián)電池充電和USB-C在消費市場的應用情況以及優(yōu)缺點。

  • pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

    假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件,其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而,如果柵極和漏極偏置時序不正確,漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓,并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。

  • 匯聚產(chǎn)業(yè)動能 ADI進博會攜手5大合作伙伴簽署戰(zhàn)略合作

    11月6日,全球領先的半導體公司Analog Devices(下文簡稱:ADI)首次亮相第六屆中國國際進口博覽會(下文簡稱:進博會)。展會期間,ADI以“激活邊緣智能,共建數(shù)字中國”為主題,圍繞工業(yè)、汽車、醫(yī)療健康、消費電子、新能源與可持續(xù)發(fā)展等核心領域,集中展現(xiàn)了一系列創(chuàng)新的半導體解決方案。作為深耕本土市場的重要舉措,ADI宣布與5家行業(yè)頭部企業(yè)達成重要戰(zhàn)略合作,通過多領域、多層次的合作,共同推動行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

  • 機電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法

    本文介紹已獲專利的適用于機電接觸應用的1-Wire?接觸封裝解決方案,并對比傳統(tǒng)的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優(yōu)越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議,并作了機械規(guī)格和可靠性分析。

  • 通過動態(tài)電壓調(diào)整實現(xiàn)精密電壓調(diào)節(jié)

    本文探討如何通過動態(tài)電壓調(diào)整(DVS)來實現(xiàn)精密電壓調(diào)節(jié)。DVS是一種根據(jù)預期的負載瞬變將輸出電壓稍微調(diào)高或調(diào)低的過程。本文介紹如何使用特定IC實現(xiàn)可靠的電壓監(jiān)控。

  • ADI與您相約2023進博會,感受邊緣智能多樣精彩

    Analog Devices (ADI)誠邀公眾和媒體參與第六屆中國國際進口博覽會,期待通過演示互動和專家研討,探訪ADI在工業(yè)自動化、汽車、醫(yī)療健康、消費電子、新能源與可持續(xù)發(fā)展等領域的創(chuàng)新成果,感受ADI如何通過邊緣感知、數(shù)據(jù)處理等半導體技術連接現(xiàn)實世界和數(shù)字世界,令數(shù)據(jù)和見解更貼近決策端,并對人類生活和地球環(huán)境產(chǎn)生更加積極的影響。

  • 瞬變對AI加速卡供電的影響

    圖形處理單元(GPU)、張量處理單元(TPU)和其他類型的專用集成電路(ASIC)通過提供并行處理能力來實現(xiàn)高性能計算,以滿足加速人工智能(AI)訓練和推理工作負載的需求。

簡介
Analog Devices, Inc.(簡稱ADI)始終致力于設計與制造先進的半導體產(chǎn)品和優(yōu)秀解決方案,憑借杰出的傳感、測量和連接技術,搭建連接真實世界和數(shù)字世界的智能化橋梁,從而幫助客戶重新認識周圍的世界。
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