未來物聯(lián)網(wǎng)時代可能需要仰賴超低價芯片，用來連接與傳感器與擴(kuò)展物聯(lián)網(wǎng)規(guī)模。據(jù)EETimes在ARM TechCon論壇采訪報導(dǎo)，當(dāng)前的靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)和閃存(NAND Flash)、藍(lán)牙接口和傳感器為因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)大量的節(jié)點需求，會消耗太多功率，到2027年可能會有幾種替代方案出現(xiàn)。

2027年前終端節(jié)點系統(tǒng)單芯片將僅消耗10微瓦/MHz。

ARM無線軟件總監(jiān)Jason Hillyard表示，2027年終端節(jié)點系統(tǒng)單芯片將僅消耗10微瓦/MHz，在無線電圖上發(fā)送和傳輸數(shù)據(jù)只要1~2毫瓦。Hillyard并展示軟件系統(tǒng)單芯片(slideware SoC)，使用一個由亞閾值(subthreshold)電路打造，適合能源收集方式的新架構(gòu)。

ARM資深首席研究工程師Lucian Shifren表示，這種設(shè)備最大的缺點是缺乏適當(dāng)?shù)膬?nèi)存。內(nèi)存能源是未來的主要問題，每個人都押寶ReRAM和STT來取代SRAM和Flash，但STT太昂貴，且使用太多的寫入能源，而ReRAM和相變替代品使用相對較高的電壓，因此都不可行。

ARM首席技術(shù)專家Mike EE Muller表示，ARM已經(jīng)針對基于學(xué)術(shù)研究的內(nèi)存進(jìn)行芯片測試，不過他拒絕透露進(jìn)度，只表示ARM的目標(biāo)是打造一種非揮發(fā)物、低功耗的設(shè)計，對邏輯芯片和內(nèi)存都有幫助，屆時內(nèi)存范圍會擴(kuò)大，但不會取代Flash。

超低功耗方案廠商Ambig Micro技術(shù)官表示，基于亞閾值電路的微控制器中的內(nèi)存已經(jīng)開始碰到瓶頸?？傊?027年前物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)單芯片需要在功率和成本上創(chuàng)下新的低點，還有很多技術(shù)有待突破。