晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

18寸晶圓熱度轉(zhuǎn)高，英特爾證實(shí)開(kāi)發(fā)計(jì)劃

針對(duì)市場(chǎng)的謠傳紛紛，英特爾(Intel)已經(jīng)證實(shí)，該公司將在美國(guó)興建的新晶圓廠，將會(huì)支持18寸晶圓技術(shù)。據(jù)業(yè)界消息，英特爾將在美國(guó)奧勒岡州Hillsboro新建一座研發(fā)晶圓廠，并將該公司其它位于美國(guó)的晶圓廠升級(jí)至22納米

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2010-12-13

晶圓英特爾晶圓廠 Intel
外資買(mǎi)超百億捧晶圓封測(cè)

上周臺(tái)股在三大法人的買(mǎi)超帶動(dòng)下，激勵(lì)指數(shù)震蕩盤(pán)堅(jiān)，再創(chuàng)今年新高，單周上漲94.82點(diǎn)，漲幅1.1%，以8,718.83點(diǎn)收市。總計(jì)三大法人單周進(jìn)出，買(mǎi)超臺(tái)股112.72億，其中外資買(mǎi)超141.76億，投信賣(mài)超38.05億，自營(yíng)商買(mǎi)超9.

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2010-12-12

電子印刷電路板主軸晶圓
全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

根據(jù)SEMI發(fā)布的最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)，預(yù)估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長(zhǎng)，而2012年將成長(zhǎng)9%；相較于2003~2007年的每年兩位數(shù)成長(zhǎng)，SEMI對(duì)明后年的預(yù)估相對(duì)審慎保守。若從產(chǎn)業(yè)區(qū)隔來(lái)

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2010-12-12

內(nèi)存 SEMI 晶圓晶圓廠
臺(tái)積上月?tīng)I(yíng)收減4% 符合預(yù)期

晶圓龍頭臺(tái)積電（2330）11月?tīng)I(yíng)收終結(jié)連續(xù)八個(gè)月歷史新高，在新臺(tái)幣升值影響下，11月?tīng)I(yíng)收368.46億元，月減4.1%，符合市場(chǎng)預(yù)期。依此推算，第四季將小幅超越法說(shuō)會(huì)預(yù)定的1,090億元高標(biāo)，上看1,110億元，與第三季相比，

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2010-12-11

處理器臺(tái)積電 IDC 晶圓
Intel再建22nm新廠可兼容450毫米晶圓

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，處理器與顯卡更新速度逐漸加快，工藝的步伐則落在了后面。新一代產(chǎn)品雖然性能卓越，但功耗及發(fā)熱量很難控制，急需新工藝“上馬”。最近我們得到消息，Intel方面首次確認(rèn)：下一代22nm工

半導(dǎo)體
2010-12-10

BSP 晶圓晶圓廠 Intel
英特爾確認(rèn)備戰(zhàn)450mm晶圓生產(chǎn)

讓整個(gè)產(chǎn)業(yè)猜測(cè)了一次又一次之后，Intel今天終于官方確認(rèn)，他們的新工廠已經(jīng)在為下一代450mm晶圓做著準(zhǔn)備。450mm(18英寸)指的都是硅晶圓的直徑，就像現(xiàn)在最普遍使用的300mm(12英寸)，以及早被淘汰的200mm(8英寸)、15

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-10

IP 晶圓英特爾 Intel
英特爾奧勒岡州新廠擬配置18吋晶圓設(shè)備

據(jù)Electronista報(bào)導(dǎo)，英特爾(Intel)已證實(shí)當(dāng)前設(shè)備已準(zhǔn)備進(jìn)駐位于美國(guó)奧勒岡州的D1X廠房，該廠原設(shè)定作為研發(fā)之用，未來(lái)將具備18吋晶圓制程設(shè)備。據(jù)日前報(bào)導(dǎo)，英特爾擬投資60億~80億美元于奧勒岡州興建研發(fā)晶圓

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2010-12-10

半導(dǎo)體設(shè)備晶圓英特爾晶圓廠
臺(tái)股盤(pán)后—晶圓雙雄催油門(mén) 面板利空甩一邊沖過(guò)8750！

美股持續(xù)走高，臺(tái)股早盤(pán)跳空開(kāi)高，雖然面板廠遭歐盟重罰，但資金涌進(jìn)臺(tái)積電、聯(lián)電晶圓雙雄，搭配封測(cè)、廣達(dá)等電子權(quán)值股，加權(quán)指數(shù)維持高檔震蕩，收盤(pán)時(shí)上漲50.05點(diǎn)，以8753.84點(diǎn)作收，成交量放大至1596.28億元，再創(chuàng)

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2010-12-09

電子聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
英特爾開(kāi)始研發(fā)生產(chǎn)第一塊450mm晶圓

英特爾已經(jīng)證實(shí)，他們位于俄勒岡州的D1X生產(chǎn)線已經(jīng)準(zhǔn)備開(kāi)始生產(chǎn)450mm的芯片晶圓，更大的晶圓可以一次性生產(chǎn)更多的芯片產(chǎn)品，有利于降低成本，并可以讓更大規(guī)模的芯片制造不至于出現(xiàn)成本躍升。對(duì)于大多數(shù)半導(dǎo)體廠商

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2010-12-09

芯片制造新材料晶圓英特爾
【SEMICON】450mm晶圓相關(guān)部材展示超過(guò)預(yù)期

在與微細(xì)化同為半導(dǎo)體制造重要課題的大口徑化方面，在“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張Messe會(huì)展中心）上450mm晶圓的搬運(yùn)機(jī)器人及晶圓盒等相關(guān)展品的數(shù)量超過(guò)了預(yù)期。一直關(guān)注該領(lǐng)域的多名記者均表示

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2010-12-08

搬運(yùn)機(jī)器人 IC SEMI 晶圓
設(shè)備商出新招　半導(dǎo)體制造成本再下探

甫于日前落幕的日本半導(dǎo)體設(shè)備暨材料展(SEMICON Japan 2010)上，包括應(yīng)用材料(Applied Materials)與艾司摩爾(ASML)等設(shè)備大廠分別宣布，在半導(dǎo)體蝕刻(Etch)與微影(Lithography)制造技術(shù)上取得新的突破，將可大幅提升

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2010-12-07

晶片半導(dǎo)體制造 RF 晶圓
SOKUDO的涂布/顯像裝置的吞吐量達(dá)到350張/小時(shí)以上

在“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張MESSE會(huì)展中心）上，SOKUDO公開(kāi)了可將該公司涂布/顯像裝置“SOKUDO DUO”的吞吐量提高至350張/小時(shí)以上（與曝光裝置連接時(shí)）的技術(shù)。預(yù)定2011年上市配備這種技術(shù)的

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2010-12-07

SEMI JAPAN DUO 晶圓
大日本網(wǎng)屏制造投產(chǎn)150mm晶圓外觀檢測(cè)裝置

大日本網(wǎng)屏制造（DNS）開(kāi)發(fā)出了晶圓外觀檢測(cè)裝置“ZI-2000”。在“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張Messe會(huì)展中心）上展出的同時(shí)，還將從2010年12月開(kāi)始銷(xiāo)售。 DNS為了強(qiáng)化LED、太陽(yáng)能電池、充電電

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2010-12-07

器件功率半導(dǎo)體 DNS 晶圓
第三季晶圓價(jià)位持續(xù)下跌但幅度已較和緩

根據(jù)Global Semiconductor Alliance (GSA)發(fā)布的報(bào)告，今(2010)年第三季晶圓價(jià)位持續(xù)下跌，不過(guò)下降的幅度已比前一季和緩。該季八寸與十二寸CMOS晶圓比前一季分別降價(jià)0.3%與4 .4%；后者在第二季為3200美元，至第

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2010-12-06

CMOS GSA PACKAGE 晶圓
潛力股／京元電歐日客戶訂單穩(wěn)

產(chǎn)業(yè)評(píng)析：京元電（2449）是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)半導(dǎo)體晶圓測(cè)試大廠，業(yè)務(wù)涵蓋邏輯IC與記憶體IC測(cè)試，聯(lián)發(fā)科等一線大廠都是客戶?？春美碛桑壕┰娗叭久抗杉円?.18元，第四季略受傳統(tǒng)淡季影響，產(chǎn)能利用率降低，法人估全年每

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2010-12-05

半導(dǎo)體元件聯(lián)發(fā)科晶圓
ASML TWINSCAN系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)新的里程碑

ASML近日宣布，兩位使用TWINSCAN 光刻機(jī)的芯片制造商實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)新紀(jì)錄，即在24小時(shí)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了超過(guò)4000片晶圓的處理。這個(gè)里程碑記錄是在XT:870和XT:400上實(shí)現(xiàn)的，兩家使用者為亞洲的不同客戶。設(shè)備幫助他們提高了300mm

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-03

CAN ASML WIN 晶圓
ASML TWINSCAN系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)新的里程碑每日處理晶圓超越4000片

ASML近日宣布，兩位使用TWINSCAN 光刻機(jī)的芯片制造商實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)新紀(jì)錄，即在24小時(shí)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了超過(guò)4000片晶圓的處理。這個(gè)里程碑記錄是在XT:870和XT:400上實(shí)現(xiàn)的，兩家使用者為亞洲的不同客戶。設(shè)備幫助他們提高了300mm

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2010-12-03

CAN ASML WIN 晶圓
應(yīng)材搶攻3D IC TSV設(shè)備

設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)積極強(qiáng)化硅晶設(shè)備，近期硅系統(tǒng)事業(yè)群積極推出新產(chǎn)品，顯現(xiàn)出應(yīng)材亟欲趁這波半導(dǎo)體支出高峰期，大舉搶灘，站穩(wěn)龍頭寶座。應(yīng)材在3D IC布局也頗具雄心，2009年已搶下硅晶穿孔(TSV)蝕

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2010-12-03

半導(dǎo)體 IC VIA 晶圓
虹晶總座由彭永家接任　強(qiáng)化與全球晶圓合作

由晶圓代工廠全球晶圓(Global Foundries)扶植的IC設(shè)計(jì)服務(wù)公司虹晶科技(Socle Technology)1日宣布人事異動(dòng)，由歷任邁吉倫(Magellan)董事長(zhǎng)、明導(dǎo)(Mentor)亞太區(qū)總裁的彭永家，接任總經(jīng)理暨執(zhí)行長(zhǎng)一職。虹晶董事

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2010-12-02

電子 AMD LOGIC 晶圓
應(yīng)用材料計(jì)劃重返硅蝕刻領(lǐng)域，投放新型裝置

美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）2010年11月30日宣布，為了重返硅蝕刻領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)出了新型蝕刻裝置“Centris AdvantEdge Mesa Etch”，并決定在12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展示。AMAT表示，在Si蝕刻領(lǐng)域的市場(chǎng)份額方面，

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2010-12-02

DRAM 自動(dòng)校準(zhǔn) CE 晶圓

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晶圓

18寸晶圓熱度轉(zhuǎn)高，英特爾證實(shí)開(kāi)發(fā)計(jì)劃

外資買(mǎi)超百億捧晶圓封測(cè)

全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

臺(tái)積上月?tīng)I(yíng)收減4% 符合預(yù)期

Intel再建22nm新廠可兼容450毫米晶圓

英特爾確認(rèn)備戰(zhàn)450mm晶圓生產(chǎn)

英特爾奧勒岡州新廠擬配置18吋晶圓設(shè)備

臺(tái)股盤(pán)后—晶圓雙雄催油門(mén) 面板利空甩一邊沖過(guò)8750！

英特爾開(kāi)始研發(fā)生產(chǎn)第一塊450mm晶圓

【SEMICON】450mm晶圓相關(guān)部材展示超過(guò)預(yù)期

設(shè)備商出新招　半導(dǎo)體制造成本再下探

SOKUDO的涂布/顯像裝置的吞吐量達(dá)到350張/小時(shí)以上

大日本網(wǎng)屏制造投產(chǎn)150mm晶圓外觀檢測(cè)裝置

第三季晶圓價(jià)位持續(xù)下跌但幅度已較和緩

潛力股／京元電歐日客戶訂單穩(wěn)

ASML TWINSCAN系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)新的里程碑

ASML TWINSCAN系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)新的里程碑每日處理晶圓超越4000片

應(yīng)材搶攻3D IC TSV設(shè)備

虹晶總座由彭永家接任　強(qiáng)化與全球晶圓合作

應(yīng)用材料計(jì)劃重返硅蝕刻領(lǐng)域，投放新型裝置

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