晶圓

我要報(bào)錯(cuò)

晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

18寸晶圓產(chǎn)業(yè)未到位效益要等等

一片18寸（450mm）晶圓產(chǎn)出的芯片數(shù)是12寸（300mm）的兩倍以上，當(dāng)18寸廠的時(shí)代來(lái)臨時(shí)，將有助提高廠商的制造優(yōu)勢(shì)；不過(guò)，18寸廠投入成本相對(duì)較高，加上產(chǎn)業(yè)鏈尚未就緒，發(fā)揮效益仍需一段時(shí)間。 2008年5月時(shí)，全球

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2011-12-13

晶圓晶圓廠英特爾三星
臺(tái)積電晶圓十五廠第三期動(dòng)土　將配備20奈米制程

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)日前在中部科學(xué)工業(yè)園區(qū)舉行晶圓十五廠第三期動(dòng)土典禮；該廠第一期是于2010年7月動(dòng)土、2011年年中完工裝機(jī)并將于明年初開(kāi)始量產(chǎn)；同時(shí)晶圓十五廠第二期也于2011年年中動(dòng)工，預(yù)計(jì)將于2012年進(jìn)

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2011-12-13

GPU 臺(tái)積電 APPLICATION 晶圓
臺(tái)積電晶圓十五廠第三期東突，有望帶來(lái)新契機(jī)

TSMC日前在中部科學(xué)工業(yè)園區(qū)舉行晶圓十五廠第三期動(dòng)土典禮;該廠第一期是于2010年7月動(dòng)土、2011年年中完工裝機(jī)并將于明年初開(kāi)始量產(chǎn)，同時(shí)晶圓十五廠第二期也于2011年年中動(dòng)工，預(yù)計(jì)將于2012年進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電預(yù)估，

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2011-12-13

臺(tái)積電電量 APPLICATION 晶圓
中芯國(guó)際與Elpida達(dá)成和解協(xié)議

中芯國(guó)際日前宣布，其與Elpida已于二零一一年十二月八日訂立和解協(xié)議(“和解協(xié)議”)，以解決有關(guān)日期為二零零七年八月三十日雙方經(jīng)修訂及重訂之200mm晶圓生產(chǎn)商業(yè)協(xié)議的所有待決的仲裁指控及反訴。根據(jù)和解協(xié)議條款

消費(fèi)電子
2011-12-12

中芯國(guó)際 PID 晶圓
中芯國(guó)際與Elpida達(dá)成和解協(xié)議

本公告乃依據(jù)香港聯(lián)合交易所有限公司證券上市規(guī)則第13.09 條而作出。中芯國(guó)際日前宣布，其與Elpida已于二零一一年十二月八日訂立和解協(xié)議(“和解協(xié)議”)，以解決有關(guān)日期為二零零七年八月三十日雙方經(jīng)修訂

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-12

中芯國(guó)際 PID 晶圓
Rorze首次展出支持4個(gè)端口的450mm晶圓搬運(yùn)機(jī)器人

Rorze支持4個(gè)端口的450mm晶圓搬運(yùn)機(jī)器人在“Semicon Japan 2011”（2011年12月7～9日，幕張Messe會(huì)展中心）上首次展出。該機(jī)器人可使支持4個(gè)端口的制造裝置開(kāi)發(fā)變得容易，有助于削減成本及提高可靠性。此前的

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2011-12-12

端口搬運(yùn)機(jī)器人 SEMI 晶圓
東電電子將一舉投放5款三維TSV裝置

（點(diǎn)擊放大） “Synapse V”（點(diǎn)擊放大）東電電子（TEL）一舉投產(chǎn)了5款用于三維封裝的TSV（硅通孔，through silicon via）制造裝置，并在“Semicon Japan 2011”（2011年12月7～9日，幕張Messe會(huì)展中心

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2011-12-12

電子 TE PSE 晶圓
半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程介紹

從大的方面來(lái)講，晶圓生產(chǎn)包括晶棒制造和晶片制造兩大步驟，它又可細(xì)分為以下幾道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部屬晶片制造，所以有時(shí)又統(tǒng)稱(chēng)它們?yōu)榫е衅筇幚砉ば颍? 晶棒成長(zhǎng) -

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2011-12-11

半導(dǎo)體晶片溫度晶圓
臺(tái)積電豪氣「建廠只要中科有地」

臺(tái)積電(2330)中科晶圓15廠第3期工程昨（9）日動(dòng)土興建，董事長(zhǎng)張忠謀現(xiàn)場(chǎng)表示，15廠第1期正在試產(chǎn)28納米制程的12寸晶圓，第2期的結(jié)構(gòu)體也已完成，第3期則會(huì)導(dǎo)入20納米及更先進(jìn)技術(shù)制程，月量能4萬(wàn)片，屆時(shí)中科15廠月

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2011-12-10

臺(tái)積電 OS CHIP 晶圓
世界先進(jìn)11月?tīng)I(yíng)收止跌月增23% 謹(jǐn)慎看Q4

世界先進(jìn)(5347-TW)今(9)日公布公司自行結(jié)算11月?tīng)I(yíng)收，11月?tīng)I(yíng)業(yè)額約為新臺(tái)幣12.43億元，月增23%，應(yīng)晶圓出貨量增未低于今年最低點(diǎn)10月水準(zhǔn)，并終止連續(xù)下滑態(tài)勢(shì)；而與去年同期相比，約增2成。公司累計(jì)今年1-11月?tīng)I(yíng)收為

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2011-12-10

晶圓
臺(tái)積電11月?tīng)I(yíng)收月減4.7% 張忠謀：Q4與Q3相去不遠(yuǎn)

臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀與經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥(右)、國(guó)科會(huì)主委李羅權(quán)(左)。(鉅亨網(wǎng)記者尹慧中攝) 臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(9)日公布11月合并營(yíng)收為358.59億元，較今年次高的10月下滑4.7%，較去年同期減少2.

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2011-12-10

半導(dǎo)體通訊臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來(lái)將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有

消費(fèi)電子
2011-12-09

先進(jìn)制程 40納米臺(tái)積電晶圓
聯(lián)電11月?tīng)I(yíng)收月減2.3% 創(chuàng)30個(gè)月來(lái)新低

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(8)日公布11月?tīng)I(yíng)收為80.65億元，月減少2.31%，較去年同期減少22.75%，創(chuàng)30個(gè)月來(lái)新低水準(zhǔn)。聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，第4季本業(yè)仍將維持獲利狀態(tài)，并因匯兌利益回補(bǔ)、業(yè)績(jī)可望略?xún)?yōu)于預(yù)期。針對(duì)第4季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)

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2011-12-09

晶片電子市場(chǎng) 聯(lián)電晶圓
聯(lián)電11月?tīng)I(yíng)收月減2.3% 創(chuàng)30個(gè)月來(lái)新低

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(8)日公布11月?tīng)I(yíng)收為80.65億元，月減少2.31%，較去年同期減少22.75%，創(chuàng)30個(gè)月來(lái)新低水準(zhǔn)。聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，第4季本業(yè)仍將維持獲利狀態(tài)，并因匯兌利益回補(bǔ)、業(yè)績(jī)可望略?xún)?yōu)于預(yù)期。針對(duì)第4季營(yíng)運(yùn)

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2011-12-08

晶片電子市場(chǎng) 聯(lián)電晶圓
臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來(lái)將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有

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2011-12-08

先進(jìn)制程 40納米臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來(lái)將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-08

先進(jìn)制程 40納米臺(tái)積電晶圓
庫(kù)存調(diào)整后半導(dǎo)體矽晶圓12月可望有回補(bǔ)效應(yīng)

半導(dǎo)體矽晶圓自今年9月起國(guó)內(nèi)相關(guān)廠商已見(jiàn)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求減弱，10月份景氣寒風(fēng)加劇，再加上歐債問(wèn)題沖擊市場(chǎng)對(duì)景氣后勢(shì)的信心，故半導(dǎo)體矽晶圓廠商在近2- 3個(gè)月都感受到需求衰退，包括國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體矽晶圓廠如中美晶(

半導(dǎo)體
2011-12-08

半導(dǎo)體太陽(yáng)能晶圓晶圓廠
矽晶圓倒貨近尾聲　報(bào)價(jià)回穩(wěn)

黃女瑛／臺(tái)北近期太陽(yáng)能多晶矽晶圓報(bào)價(jià)呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)，每片平均報(bào)價(jià)維持在1.1~1.2美元，太陽(yáng)能業(yè)者指出，主要是廠商打算出清庫(kù)存部分已陸續(xù)倒貨近尾聲，資金充裕的太陽(yáng)能業(yè)者寧愿減產(chǎn)，亦不愿賣(mài)1片虧1片，導(dǎo)致虧損擴(kuò)

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2011-12-08

太陽(yáng)能電池晶圓晶圓廠
▲京元電11月?tīng)I(yíng)收略減2.5%

(中央社記者鐘榮峰臺(tái)北2011年12月6日電)IC晶圓和成品測(cè)試廠京元電子(2449)公布11月自結(jié)營(yíng)收新臺(tái)幣9.32億元，較10月9.56億元下滑2.5%，比去年同期11億元減少15.27%。京元電表示11月LCD驅(qū)動(dòng)IC測(cè)試量有小幅下滑，其

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2011-12-08

晶片聯(lián)發(fā)科 Flash 晶圓
臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來(lái)將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有

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2011-12-08

先進(jìn)制程 40納米臺(tái)積電晶圓

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晶圓

18寸晶圓產(chǎn)業(yè)未到位效益要等等

臺(tái)積電晶圓十五廠第三期動(dòng)土　將配備20奈米制程

臺(tái)積電晶圓十五廠第三期東突，有望帶來(lái)新契機(jī)

中芯國(guó)際與Elpida達(dá)成和解協(xié)議

中芯國(guó)際與Elpida達(dá)成和解協(xié)議

Rorze首次展出支持4個(gè)端口的450mm晶圓搬運(yùn)機(jī)器人

東電電子將一舉投放5款三維TSV裝置

半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程介紹

臺(tái)積電豪氣「建廠只要中科有地」

世界先進(jìn)11月?tīng)I(yíng)收止跌月增23% 謹(jǐn)慎看Q4

臺(tái)積電11月?tīng)I(yíng)收月減4.7% 張忠謀：Q4與Q3相去不遠(yuǎn)

臺(tái)積電積極布局28納米制程

聯(lián)電11月?tīng)I(yíng)收月減2.3% 創(chuàng)30個(gè)月來(lái)新低

聯(lián)電11月?tīng)I(yíng)收月減2.3% 創(chuàng)30個(gè)月來(lái)新低

臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)積電積極布局28納米制程

庫(kù)存調(diào)整后半導(dǎo)體矽晶圓12月可望有回補(bǔ)效應(yīng)

矽晶圓倒貨近尾聲　報(bào)價(jià)回穩(wěn)

▲京元電11月?tīng)I(yíng)收略減2.5%

臺(tái)積電積極布局28納米制程

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